具有可调整电极的沉积源制造技术

描述了一种用于沉积薄膜于基板上的设备。此设备包括基板支撑件、等离子体沉积源及致动器。基板支撑件具有外表面，用于导引基板通过真空处理区域。等离子体沉积源用以沉积薄膜于真空处理区域中的基板上，其中等离子体沉积源包括电极。致动器配置用以调整电极和外表面之间的距离。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利说明】具有可调整电极的沉积源 专利技术
本专利技术的实施例是有关于一种薄膜处理设备，特别是有关于沉积系统，且更特别 是有关于卷对卷（roll-to-roll，R2R)沉积系统与用于操作该系统的方法。本专利技术的实施 例特别是有关于在卷对卷系统中的气体分离与于卷对卷系统中气体分离的方法，特别是用 于涂布薄膜于柔性的基板上的设备与提供在沉积设备的两个沉积源间的气体分离的方法。 专利技术背景 处理例如是塑料膜或箔的柔性的基板在封装工业、半导体工业及其它工业中有高 度的需求。处理可由以所需材料涂布柔性的基板组成，所需材料例如是金属，特别是铝。执 行此工作的系统一般包括处理鼓轮（processingdrum)，親接于处理系统以传输基板，且至 少部分的基板于该处理鼓轮上进行处理，处理鼓轮例如是圆柱滚轮。卷对卷涂布系统可藉 此提供高产量系统。 -般来说，例如是热蒸镀工艺的蒸镀工艺可利用来沉积金属的薄层，而可在柔性 的基板上进行金属化。然而，卷对卷沉积系统亦在显示器工业及光伏（photovoltaic，PV) 工业面临需求大量增加的情况。举例来说，触控面板元件、柔性显示器、以及柔性PV模块致 使对卷对卷涂布机中进行沉积合适层的需求增加，特别是以低制造成本的情况来说。然而， 此种装置一般具有数层，此些层一般以化学气相沉积（CVD)工艺制造并特别亦以等离子体 辅助化学气相沉积（PECVD)工艺制造。 以不同混合气体及/或不同工作压力作用的数种CVD、PECVD及/或物理气相沉积 (PVD)源的结合面临对优越的处理气体分离的需求，以在接续的工艺步骤中避免交叉污染 效用（crosscontaminationeffects)且确保长期工艺的稳定性。因此，就与此
的状态相较，气体分离水平应透过至少数个数量级来有利地改善。一般来说，沉积复杂的薄 膜层结构是接续地在不同R2R涂布机中进行，各R2R涂布机针对特殊沉积技术的需求来进 行设计。然而，此概念系导致了用于制造设备的高持有成本（costsofownership，C〇0)。 在一些卷对卷涂布机器中，例如是派镀隔间（compartments)的隔间可藉由狭缝 来分离，狭缝依循涂布鼓轮的曲率。气体分离强烈地取决于涂布鼓轮与气体分离单元间的 狭缝的宽度，且取决于狭缝的长度。当狭缝的宽度尽可能的小时，最佳的气体分离因子（gas separationfactor)达成。狭缝的宽度决定于气体分离单元的调整、塑料膜的厚度及涂布 鼓轮的温度。由于涂布鼓轮的直径因温度而增加，气体分离的狭缝被调整而用于最大的特 定涂布鼓轮温度（例如是80°C)及最大的塑料膜厚度（例如是高达500微米）。如果较薄 的膜及较低的鼓轮温度要以此安排进行处理，对于已给定的工艺条件来说，唯一改善此情 况的方式是对气体分离墙进行新的几何调整。若此举完成，机械的操作者必需知道，在不同 的工艺条件下，例如是较高的涂布鼓轮温度的情况中，涂布鼓轮的直径将膨胀，且分离墙将 有机会物理上地触碰到转动的涂布鼓轮。此对操作者来说是极大的失误，因为涂布鼓轮被 刮伤且涂布鼓轮长时间且昂贵的重工无法避免。因此，用于低涂布温度的气体分离调整在 现实生活中几乎无法完成。 相较于液晶显示器（liquidcrystaldisplays，IXD)，有机发光二极管（0LED)显 示器基于较快的反应时间、较大的视角、较高的对比、较轻的重量、较低的功率、及对柔性的 基板的适应性（amenability)而在近期的显示器应用中得到大量的关注。除了用于OLEDs 中的有机材料之外，许多用于小分子、柔性有机发光二极管（flexibleorganiclight emittingdiode，F0LED)及高分子发光二极管（polymerlightemittingdiode，PLED)显 示器的聚合物材料也发展出来。许多有机及聚合物材料是柔性的，以用于在各种基板上制 造复杂、多层装置，这使得它们在用于各种透明多色显示应用是相当理想的，透明多色显示 应用例如是薄的平面显示器（flatpaneldisplays，FPD)、电激发有机激光（electrically pumpedorganiclasers)、及有机光放大器。 多年来，在显示装置内的数层逐渐发展成数层中的各层提供不同的功能。沉积数 层于数个基板上可能需要数种处理腔体。传输数个基板通过数个处理腔体可能减少基板的 产能。因此，在此领域中，用于处理此种0LED结构及其它现代化更精密装置的有效方法及 设备是有需求的，以确保最大的基板产量且减少基板传输。 专利技术概要 有鉴于上述，根据独立权利要求的用于涂布薄膜于柔性的基板上的设备，以及根 据独立权利要求的于沉积设备的两个沉积源间提供气体分离的方法被提供。本专利技术的其它 方面、优点、及特性藉由从属权利要求、说明书、以及所附图式而更为清楚。 根据一实施例，提供了一种用于沉积薄膜于基板上的设备。此设备包括基板支撑 件，具有外表面，用于导引基板通过真空处理区域；等离子体沉积源，用以沉积薄膜于真空 处理区域中的基板上，其中等离子体沉积源包括电极；以及致动器，配置用以调整电极和外 表面之间的距离。 根据另一实施例，提供了一种于沉积设备中在基板上沉积薄膜的方法。此方法包 括于基板支撑件的上方导引基板；以及调整等离子体沉积源的电极与基板支撑件的距离， 特别是其中距离根据基板支撑件的温度及/或位置调整。【附图说明】 为了可详细地了解本专利技术上述的特性，简要摘录于上的本专利技术更具体的说明可参 照实施例。附图有关于本专利技术的实施例且说明于下： 图1绘示根据此处所述实施例的用于沉积或涂布薄膜且具有气体分离单元的卷 对卷沉积设备的示意图； 图2绘示根据此处所述实施例的用于沉积或涂布薄膜且具有气体分离单元的其 它卷对卷沉积设备的示意图； 图3A及图3B绘示根据此处所述实施例的用于沉积或涂布薄膜且具有气体分离单 元的其它卷对卷沉积设备的不同示意图； 图4绘示根据此处所述实施例的用于沉积或涂布薄膜且具有气体分离单元的其 它卷对卷沉积设备的示意图； 图5绘示根据此处所述实施例的用于沉积或涂布薄膜且具有气体分离单元的其 它卷对卷沉积设备的示意图； 图6绘示根据此处所述实施例的在卷对卷沉积系统及设备中使用的沉积源的示 意图； 图7绘示根据此处所述实施例的用于沉积或涂布薄膜于柔性的基板上的其它卷 对卷沉积设备的示意图； 图8绘示根据此处所述实施例的用于沉积或涂布薄膜且具有气体分离单元的其 它卷对卷沉积设备的示意图； 图9绘示根据此处所述实施例的用于沉积或涂布薄膜的卷对卷沉积设备的真空 腔体的内部的示意图；图10绘示根据此处所述实施例的用于沉积或涂布薄膜且具有气体分离单元的其 它卷对卷沉积设备的示意图； 图11A至图11C绘示根据此处所述实施例的卷对卷沉积设备中的气体分离单元的 气体分离概念的不意图； 图12绘示根据此处所述实施例的用于沉积或涂布薄膜且在三维视角中显示气体 分离单元概念的卷对卷沉积设备的沉积源的示意图； 图13A及图13B绘示根据此处所述实施例的用于沉积或涂布薄膜且具有等离子体 沉积源的其它卷对卷沉积设备的不同示意图； 图14A及图14B绘示根据此处所述实施例的用于沉积或涂布薄膜且具有等离子体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种设备，用于沉积薄膜于基板上，包括：基板支撑件，具有外表面，用于导引所述基板通过真空处理区域；等离子体沉积源，用以沉积所述薄膜于所述真空处理区域中的所述基板上，其中所述等离子体沉积源包括电极；以及致动器，配置用以调整所述电极和所述外表面之间的距离。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：W·布施贝克，F·里斯，T·斯托利，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US