公共沉积平台、处理站及其操作方法技术

描述了一种沉积薄膜于基板上的设备。设备包括基板支撑件，具有外表面，引导基板沿基板支撑件的表面通过第一真空处理区域及至少一第二真空处理区域；对应第一处理区域的第一沉积源与对应该至少一第二真空处理区域的至少一第二沉积源，其中至少第一沉积源包括电极，具有表面，其中电极的表面相对基板支撑件的表面；处理气体入口及处理气体出口，其中处理气体入口及处理气体出口配置于电极的表面的数个相对侧；及至少一分离气体入口，具有一或数个分离气体入口开口，其中该一或数个分离气体入口开口至少提供于电极的表面的该些相对侧之一，使得处理气体入口及/或处理气体出口提供于该一或数个分离气体入口开口及电极的表面间。设备更包括一或数个真空法兰，提供至少一其它的气体出口于第一沉积源及该至少一第二沉积源间。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利说明】 专利技术
本专利技术的实施例是有关于一种薄膜处理设备，特别是有关于沉积系统，且更特别 是有关于卷对卷（roll-to-roll，R2R)沉积系统与用于操作该系统的方法。本专利技术的实施 例特别是有关于在卷对卷系统中的气体分离与于卷对卷系统中气体分离的方法，特别是用 于涂布薄膜于柔性的基板上的设备与提供在沉积设备的两个沉积源间的气体分离的方法。 专利技术背景 处理例如是塑料膜或箔的柔性的基板在封装工业、半导体工业及其它工业中有高 度的需求。处理可由以所需材料涂布柔性的基板组成，所需材料例如是金属，特别是铝。执 行此工作的系统一般包括处理鼓轮（processingdrum)，親接于处理系统以传输基板，且至 少部分的基板于该处理鼓轮上进行处理，处理鼓轮例如是圆柱滚轮。卷对卷涂布系统可藉 此提供高产量系统。 -般来说，例如是热蒸镀工艺的蒸镀工艺可利用来沉积金属的薄层，而可在柔性 的基板上进行金属化。然而，卷对卷沉积系统亦在显示器工业及光伏（photovoltaic，PV) 工业面临需求大量增加的情况。举例来说，触控面板元件、柔性显示器、以及柔性PV模块致 使对卷对卷涂布机中进行沉积合适层的需求增加，特别是以低制造成本的情况来说。然而， 此种装置一般具有数层，此些层一般以化学气相沉积（CVD)工艺制造并特别亦以等离子体 辅助化学气相沉积（PECVD)工艺制造。 以不同混合气体及/或不同工作压力作用的数种CVD、PECVD及/或物理气相沉积 (PVD)源的结合面临对优越的处理气体分离的需求，以在接续的工艺步骤中避免交叉污染 效用（crosscontaminationeffects)且确保长期工艺的稳定性。因此，就与此
的状态相较，气体分离水平应透过至少数个数量级来有利地改善。一般来说，沉积复杂的薄 膜层结构是接续地在不同R2R涂布机中进行，各R2R涂布机针对特殊沉积技术的需求来进 行设计。然而，此概念系导致了用于制造设备的高持有成本（costsofownership，C〇0)。 在一些卷对卷涂布机器中，例如是派镀隔间（compartments)的隔间可藉由狭缝 来分离，狭缝依循涂布鼓轮的曲率。气体分离强烈地取决于涂布鼓轮与气体分离单元间的 狭缝的宽度，且取决于狭缝的长度。当狭缝的宽度尽可能的小时，最佳的气体分离因子（gas separationfactor)达成。狭缝的宽度决定于气体分离单元的调整、塑料膜的厚度及涂布 鼓轮的温度。由于涂布鼓轮的直径因温度而增加，气体分离的狭缝被调整而用于最大的特 定涂布鼓轮温度（例如是80°C)及最大的塑料膜厚度（例如是高达500微米）。如果较薄 的膜及较低的鼓轮温度要以此安排进行处理，对于已给定的工艺条件来说，唯一改善此情 况的方式是对气体分离墙进行新的几何调整。若此举完成，机械的操作者必需知道，在不同 的工艺条件下，例如是较高的涂布鼓轮温度的情况中，涂布鼓轮的直径将膨胀，且分离墙将 有机会物理上地触碰到转动的涂布鼓轮。此对操作者来说是极大的失误，因为涂布鼓轮被 刮伤且涂布鼓轮长时间且昂贵的重工无法避免。因此，用于低涂布温度的气体分离调整在 现实生活中几乎无法完成。 相较于液晶显示器（liquidcrystaldisplays，IXD)，有机发光二极管（0LED)显 示器基于较快的反应时间、较大的视角、较高的对比、较轻的重量、较低的功率、及对柔性的 基板的适应性（amenability)而在近期的显示器应用中得到大量的关注。除了用于OLEDs 中的有机材料之外，许多用于小分子、柔性有机发光二极管（flexibleorganiclight emittingdiode，F0LED)及高分子发光二极管（polymerlightemittingdiode，PLED)显 示器的聚合物材料也发展出来。许多有机及聚合物材料是柔性的，以用于在各种基板上制 造复杂、多层装置，这使得它们在用于各种透明多色显示应用是相当理想的，透明多色显示 应用例如是薄的平面显示器（flatpaneldisplays，FPD)、电激发有机激光（electrically pumpedorganiclasers)、及有机光放大器。 多年来，在显示装置内的数层逐渐发展成数层中的各层提供不同的功能。沉积数 层于数个基板上可能需要数种处理腔体。传输数个基板通过数个处理腔体可能减少基板的 产能。因此，在此领域中，用于处理此种0LED结构及其它现代化更精密装置的有效方法及 设备是有需求的，以确保最大的基板产量且减少基板传输。 专利技术概要 有鉴于上述，根据独立权利要求的用于涂布薄膜于基板上的设备，以及根据独立 权利要求的于沉积设备的两个沉积源间提供气体分离的方法被提供。本专利技术的其它方面、 优点、及特性藉由从属权利要求、说明书、以及所附图式而更为清楚。 根据一实施例，提供了一种用以沉积薄膜于基板上的设备。此设备包括基板支撑 件，具有外表面，用以引导基板沿着基板支撑件的表面通过第一真空处理区域及至少第二 真空处理区域；第一沉积源及至少一第二沉积源，第一沉积源对应于第一真空处理区域，且 该至少一第二沉积源对应于该至少一第二真空处理区域，其中至少第一沉积源包括：电极， 具有表面，其中电极的表面相对于基板支撑件的表面；处理气体入口及处理气体出口，其 中处理气体入口及处理气体出口配置于电极的表面的数个相对侧；以及至少一分离气体入 口，具有一或数个分离气体入口开口，其中该一或数个分离气体入口开口至少提供于电极 的表面的该些相对侧中的一者，使得处理气体入口及/或处理气体出口提供于该一或数个 分离气体入口开口及电极的表面之间。该设备更包括一或数个真空法兰，提供至少一其它 的气体出口于第一沉积源及该至少一第二沉积源之间。 根据另一实施例，提供了一种以第一沉积源及至少一第二沉积源沉积至少两层于 基板上的方法。此方法包括沿着表面于基板支撑件的上方导引基板；提供分离气体于至少 第一沉积源的数个相对侧的至少两个位置；于该至少两个位置之间提供处理气体且排出处 理气体；以及于第一沉积源及该至少一第二沉积源之间的至少一真空出口抽取。 根据再另一实施例，提供了一种用于沉积薄膜于基板上的设备。此设备包括基板 支撑件，具有外表面，用以导引基板沿着基板支撑件的表面通过第一真空处理区域及至少 一第二真空处理区域；第一沉积站及至少一第二沉积源，第一沉积站对应于第一处理区域， 且该至少一第二沉积源对应于该至少一第二真空处理区域，其中至少第一沉积站包括：电 极，具有表面，其中电极的表面相对于基板支撑件的表面；处理气体入口及处理气体出口， 其中处理气体入口及处理气体出口配置于电极的表面的数个相对侧；第一分离墙，围绕电 极的表面以及处理气体入口及处理气体出口；至少一分离气体入口，围绕第一分离墙；以 及至少一第二分离墙，围绕该至少一分离气体入口。此设备更包括一或数个真空法兰，提供 至少一其它的气体出口于第一沉积站及该至少一第二沉积源之间。【附图说明】 为了可详细地了解本专利技术上述的特性，简要摘录于上的本专利技术更具体的说明可参 照实施例。附图有关于本专利技术的实施例且说明于下：图1绘示根据此处所述实施例的用于沉积或涂布薄膜且具有气体分离单元的卷 对卷沉积设备的示意图；本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用以沉积薄膜于基板上的设备，包括：基板支撑件，具有外表面，用以引导所述基板沿着所述基板支撑件的表面通过第一真空处理区域及至少一第二真空处理区域；第一沉积源及至少一第二沉积源，所述第一沉积源对应于所述第一处理区域，且所述至少一第二沉积源对应于所述至少一第二真空处理区域，其中至少所述第一沉积源包括：电极，具有表面，其中所述电极的所述表面相对于所述基板支撑件的所述表面；处理气体入口及处理气体出口，其中所述处理气体入口及所述处理气体出口配置于所述电极的所述表面的多个相对侧；以及至少一分离气体入口，具有一或多个分离气体入口开口，其中所述一或多个分离气体入口开口至少提供于所述电极的所述表面的所述多个相对侧中的一者，使得所述处理气体入口及/或所述处理气体出口提供于所述一或多个分离气体入口开口及所述电极的所述表面之间；所述设备更包括：一或多个真空法兰，提供至少一其它的气体出口于所述第一沉积源及所述至少一第二沉积源之间。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：N·莫里森，J·M·迭戈兹坎波，H·兰格拉夫，T·斯托利，S·海恩，F·里斯，W·布施贝克，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US