使用多个流动途径的自由基化学调制及控制制造技术

本发明专利技术描述了关于半导体处理腔室的系统及方法。示例性腔室可包括与腔室的第一出入口流体耦接的第一远端等离子体系统，及与腔室的第二出入口流体耦接的第二远端等离子体系统。系统亦可包括腔室中的气体分配组件，该气体分配组件可经配置以输送第一前驱物及第二前驱物两者进入腔室的处理区域内，同时保持第一前驱物及第二前驱物彼此流体隔离，直至该等前驱物经输送进入腔室的处理区域内为止。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种用于半导体处理的系统，该系统包含：腔室，该腔室经配置以在该腔室的处理区域内容纳半导体基板；第一远端等离子体系统，该第一远端等离子体系统与该腔室的第一出入口流体耦接且经配置以经由该第一出入口输送第一前驱物至该腔室内；第二远端等离子体系统，该第二远端等离子体系统与该腔室的第二出入口流体耦接且经配置以经由该第二出入口输送第二前驱物至该腔室内。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：N·K·英格尔，A·王，X·陈，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US