提供用于物理气相沉积的设备和方法。在一些实施方式中，在物理气相沉积腔室中冷却靶材的冷却环可包括环形主体，环形主体具有中心开口；入口端口，该入口端口耦接至主体；出口端口，该出口端口耦接至主体，冷却剂通道，该冷却剂通道设置在主体中并且具有第...

提供一种在太阳能电池制造期间使用多边形镜以及光束成形器在一个或多个层内激光钻孔的激光扫描装置。在背电触点形成期间，装置可用于在太阳能电池的背侧钝化层内激光钻孔。装置包含多边形镜的使用以改善太阳能电池背电触点形成的速度。装置也包括光束成形...

描述了一种在图案化异质结构上抑制对暴露的含硅与氧材料的蚀刻速率的方法，且该方法包括两阶段远端等离子体蚀刻。使用本文的技术增加选择性的材料的范例包括氮化硅及硅。远端等离子体蚀刻的第一阶段将等离子体流出物与图案化异质结构反应，以在含硅与氧材...

描述了一种遮蔽配置（300），用以在层沉积时遮蔽基板。遮蔽配置包括掩模结构（340），所述掩模结构形成开口，用以在层沉积时暴露出基板，还包括保护遮罩（150），所述保护遮罩邻接掩模结构，所述保护遮罩保护遮蔽配置的一或多个部分在层沉积时不...

本发明公开了一种用于在蚀刻处理中集成计量的方法和装置。本发明的装置包括具有传送腔室、蚀刻腔室和计量腔室的多腔室系统，以及配置为可在所述蚀刻腔室和所述计量腔室之间传送衬底的机械手。本发明还公开了一种使用该装置处理衬底和执行计量测量的方法。...

依赖电子束作为等离子体源的等离子体反应器在电子束源中使用剖面式电子束析取网格以改良均匀性。

本发明提供了用于在腔室中感测基板的方法、设备与系统。本发明包含发出至少两种不同波长的辐射；向着腔室的内部引导所发出的第一波长的辐射通过该腔室的视口；向着基板载具的叶片中的孔的位置引导所发出的第二波长的辐射通过该腔室的该视口；检测由该叶片...

一种保持环包括大致为环形的上部和大致为环形的下部。下部具有顶表面和用于在抛光期间接触抛光垫的底表面。上部具有固定到下部的顶表面的底表面和被构造成机械地安装到承载头的刚性基座并且紧靠该承载头的刚性基座的顶表面。下部为第一塑料，上部为刚度约...

在此说明基板运输系统、设备与方法。所述系统经调适以有效率地于目的地取放基板，通过旋转吊杆连接装置至邻近所述目的地的位置，接着独立地致动上臂连结外壳以及一或多个腕部构件，以于所述目的地取放一或多个基板，其中所述腕部构件相对于所述前臂连结外...

本发明的实施方式提供用于支撑基板的基板支撑边缘环。一个实施方式中，提供一种基板支撑环。该基板支撑环包含环状主体。该环状主体包含：外条带，该外条带从外环状侧壁径向向内延伸；以及基板支撑区域，该基板支撑区域从外条带的内侧部分向内延伸，其中该...

本发明的实施方式提供用于堆叠的材料的氮化作用的改良设备与方法。在一个实施方式中，远程等离子体系统包括远程等离子体腔室、处理腔室与输送构件，远程等离子体腔室界定第一区，第一区用于产生包括离子与游离基团的等离子体，处理腔室界定第二区，第二区...

本发明描述切割各具有多个集成电路的半导体晶圆的方法。所述方法包括在所述半导体晶圆上方形成掩模。所述掩模由覆盖及保护所述集成电路的层所组成。以分裂束激光划线处理将所述掩模图案化，以提供具有多个间隙的经图案化的掩模。所述图案化曝露位于所述集...

在此提供在基板上沉积材料的方法和设备。在某些实施例中，设备可包括：具有基板支撑件的处理腔室；用来提供热能至基板支撑件的加热系统；气体入口端口，所述气体入口端口设置在基板支撑件的第一侧，以提供第一处理气体或第二处理气体中的至少一者越过基板...

本申请公开了用于可适性自对准双图案成型的基于序列内测量的过程调谐。一种用于可适性自对准双图案成型的设备及其方法。该方法包含提供基材给处理平台，处理平台配置为执行蚀刻过程和沉积过程；及测量单元，其配置用于真空中临界尺寸(CD)测量。真空中...

本发明描述了切割半导体晶圆的方法，每一晶圆具有多个集成电路。方法包括以下步骤：在半导体晶圆上方形成掩模，所述掩模由覆盖及保护集成电路的层组成。半导体晶圆由基板载具支撑。随后用激光划线工艺图案化掩模，以提供具有间隙的图案化掩模，从而曝露半...

一种电镀设备，所述电镀设备具有在头部中的转动件，在转动件上有接触环。升降/旋转传动机构可移动头部，以将接触环的区段放入除镀站的除镀通道中。电流和除镀液从接触环的接触件的径向朝内的位置被直接施加至接触件上。电流和除镀液也可从径向朝接触环的...