一种在硅基板上选择性沉积的方法，硅基板上形成有裸露硅区与氧化物区。该方法包括将基板置于处理腔室内的晶片支撑件上、引导含碳气体进入反应器、施加偏压至基板、由含碳气体产生等离子体、通过等离子体掺杂工艺将碳离子注入基板上的氧化物区中，及沉积含...

本发明的实施例关于气体输送系统。该气体输送系统包括与一个或更多个气体控制板及一处理腔室流体连通的快速气体交换模块。快速气体交换模块具有第一组流量控制器及第二组流量控制器且其中每一组流量控制器都具有多个流量控制器。配置流量控制器以使得将在...

一种制造薄膜电池的方法可包括以下步骤：覆盖沉积电解质层，接着选择性地激光图案化电解质层。一些或者所有其他的装置层可以是使用遮光掩模形成的原位图案化的层。

一种沉积介电薄膜的方法可包括以下步骤：沉积薄介电层；停止沉积介电层，以及改变腔室中的气体（如果需要）；在基板附近诱导和维持等离子体，以提供对所沉积的介电层的离子轰击；以及重复所述沉积、停止、以及诱导和维持步骤，直到沉积了所需厚度的电介质...

本发明描述用于制造薄膜电池的方法与混合型工厂。方法包括用于制造薄膜电池的操作。混合型工厂包括用于制造薄膜电池的一个或多个工具组。在实例中，用于制造锂基薄膜电池的混合工厂架构包括用于沉积有源层的处理工具。处理工具包括用于沉积有源层的群集工...

本发明内容的实施例了提供制造薄膜晶体管器件的方法，对形成于薄膜晶体管器件中的有源层的周边侧壁有良好的轮廓控制。在一实施例中，一种制造薄膜晶体管器件的方法包括：提供基板，所述基板具有有源层形成于其上，源极-漏极金属电极层设置在所述有源层上...

藉由激光划线及等离子体蚀刻二者来分割基板的方法。一种方法包括下列步骤：利用等离子体蚀刻腔室，藉由累积一厚度的经等离子体沉积聚合物以形成原位掩模，以保护IC凸块表面不受后续等离子体蚀刻。可与经等离子体沉积聚合物一起应用第二掩模材料，诸如水...

本发明提供了用于修复损坏的低k膜的方法。低k膜的损坏发生在处理膜期间，诸如在蚀刻、灰化和平坦化期间。处理低k膜导致水储存在膜的孔隙中，并且处理低k膜进一步导致亲水性化合物在低k膜结构中形成。结合紫外线（UV）辐射与含碳化合物的修复工艺从...

本发明提供用于沉积聚合物膜的方法与设备。在一些实施方式中，用于沉积介电膜的方法可包含：流动液态聚合物前驱物材料穿过与基板间隔开的孔口，该液态聚合物前驱物材料将沉积于该基板上；在该孔口与该基板之间提供电位差，以朝向该基板吸引该液态聚合物并...

本发明涉及一种用于有机发光二极管的处理的化学气相沉积装置。对于有机发光二极管的处理而言，通常在化学气相沉积工艺期间使用掩模。在基板上方准确地对准掩模可藉由使用两个X-Y-Z运动对准元件与两个Z运动对准元件，以及一个或多个对准可视化系统一...

本发明大体而言涉及光学系统，所述光学系统能够跨越包含于衬底的表面上的退火区域可靠地递送数量均匀的能量。所述光学系统经调适以在衬底的表面上的所要区域上递送或投射具有所要二维形状的数量均匀的能量。用于光学系统的能量源通常为多个激光，所述多个...

在此提供用于使用热丝化学气相沉积（HWCVD）腔室清洁基板的表面的方法。在一些实施方式中，用于清洁基板的表面的方法可包括以下步骤：提供基板至热丝化学气相沉积（HWCVD）腔室，该基板具有布置在该基板的表面上的材料；提供氢（H2）气至该H...

本文提供用于将材料沉积在基板上的方法及设备。在一些实施方式中，用于处理基板的设备可包括：处理腔室，该处理腔室具有安置于该处理腔室中的基板支撑件，以支撑基板的处理表面；喷射器，该喷射器被安置至基板支撑件的第一侧，且该喷射器具有第一流动路径...

本发明提供一种设备及方法，用于控制等离子体腔室中的等离子体放电的强度及分布。在一实施例中，成形电极嵌入基板支撑件中，以在所述腔室内提供具有径向及轴向分量的电场。在另一实施例中，用绝缘体将喷头组件的面板电极划分为多个区域，而能将不同电压施...

提供了藉由激光划线和等离子体蚀刻二者分割基板的方法。一种方法包括：激光剥蚀材料层；以第一辐照度和后续的第二辐照度进行剥蚀，第二辐照度低于第一辐照度。可利用经调整而具有不同通量水平的射束的多重进程、或具有各种通量水平的多重激光束，在第一通...

本发明的实施方式提供用于在热处理期间支撑与控制基板的装置与方法。本发明的一个实施方式提供用于处理基板的装置。该装置包含腔室主体、基板支撑件以及辅助力组件，该腔室主体界定内部容积，该基板支撑件被布置在该内部容积内，该辅助力组件被配置成用以...

一种切割具有多个IC的基板的方法。一种方法包括形成多层掩模，该多层掩模包含位于半导体基板上的可溶于溶剂中的第一掩模材料层及位于该第一掩模材料层上的不溶于该溶剂中的第二掩模材料层。使用激光划线工艺对该多层掩模进行图案化以提供具有间隙的图案...

本文公开用于退火半导体基板的方法和设备。该设备具有脉冲的能量源，该脉冲的能量源导引脉冲的能量朝向基板。均质器增加脉冲的能量的空间均匀度。脉冲成形系统成形脉冲的能量的时间性轮廓。可使用旁通系统来选择脉冲循环器。脉冲循环器允许能量的脉冲循环...

本发明提供用于控制在处理腔室内的多区域加热器的温度的方法与装置。在一些实施方式中，提供控制多区域加热器的方法，所述多区域加热器被配置在基板支撑件上，其中所述多区域加热器具有第一区域与第二区域。在一些实施方式中，所述方法可包括以下步骤：测...

本发明揭示切割具有数个IC的基板的方法。方法包括以下步骤：在半导体基板之上形成遮罩，遮罩包含水溶性材料层。利用飞秒(femtosecond)激光划线工艺来图案化遮罩，以提供具有间隙的图案化遮罩。图案化步骤曝露基板介于IC之间的区域。随后...