藉由紫外线辅助的光化学沉积而对等离子体损坏的低介电常数薄膜的介电恢复制造技术

本发明专利技术提供了用于修复损坏的低k膜的方法。低k膜的损坏发生在处理膜期间，诸如在蚀刻、灰化和平坦化期间。处理低k膜导致水储存在膜的孔隙中，并且处理低k膜进一步导致亲水性化合物在低k膜结构中形成。结合紫外线（UV）辐射与含碳化合物的修复工艺从孔隙移除水，并且所述修复工艺进一步从低k膜结构中移除亲水性化合物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】藉由紫外线辅助的光化学沉积而对等离子体损坏的低介电常数薄膜的介电恢复专利技术背景
本专利技术的实施例大体而言关于用于修复和降低半导体制造中的低k膜的介电常数的方法。现有技术随着器件规模持续调整，半导体制造中的介电膜的介电常数(k)持续减小。对于能够持续减小特征尺寸而言，最小化对低介电常数(低k)膜的整合损坏是重要的。然而，随着特征尺寸缩小，在介电膜的电阻电容与可靠度上的改良变成一项严峻的挑战。当前用于蚀刻或灰化介电膜的技术涉及生成水(H2O)作为副产物的工艺化学过程(process chemistries)。水副产物可能导入沉积的介电膜中，因而增加介电膜的k值。同样，当前用于移除氧化铜(CuO)与化学机械平坦化(CMP)残余物的技术涉及使用氨(NH3)等离子体或氢(H2)等离子体。为了改良金属化结构的电迁移(EM)以及ILD膜的时间相关介电击穿(time dependent dielectric breakdown(TDDB)),移除氧化铜以及CMP残余物是必要的。然而，将低k膜暴露至见13与112等离子体修正了膜结构并且增加了 k值。现存的修复技术涉及液相硅烷化或使用超临界本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种修复损坏的低k介电膜的方法，所述方法包含：将介电膜定位在处理腔室中；加热所述处理腔室；使含碳前驱物流入所述处理腔室；将所述含碳前驱物与所述介电膜暴露至紫外线（UV）辐射；分解所述含碳前驱物；以及将含碳化合物沉积至所述介电膜的孔隙中。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.06.28 US 13/171,1321.一种修复损坏的低k介电膜的方法，所述方法包含: 将介电膜定位在处理腔室中； 加热所述处理腔室； 使含碳前驱物流入所述处理腔室； 将所述含碳前驱物与所述介电膜暴露至紫外线(UV)辐射； 分解所述含碳前驱物；以及 将含碳化合物沉积至所述介电膜的孔隙中。2.如权利要求1所述的方法，其中所述含碳前驱物包含1，3-丁二烯与异戊二烯中的至少一个。3.如权利要求2所述的方法，其中所述UV辐射具有介于200nm至220nm之间的波长。4.如权利要求1所述的方法，其中所述UV辐射具有介于20nm至230nm之间的波长。5.如权利要求1所述的方法，其中所述分解所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：K·S·伊姆，T·诺瓦克，B·谢，A·T·迪莫斯，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：
国别省市：