无针孔介电薄膜制造制造技术

一种沉积介电薄膜的方法可包括以下步骤：沉积薄介电层；停止沉积介电层，以及改变腔室中的气体（如果需要）；在基板附近诱导和维持等离子体，以提供对所沉积的介电层的离子轰击；以及重复所述沉积、停止、以及诱导和维持步骤，直到沉积了所需厚度的电介质为止。这种方法的一种变体可包括以下步骤来代替所述重复步骤：沉积较低品质的厚介电层；沉积高品质的薄介电层；停止沉积介电层，以及改变腔室中的气体（如果需要）；以及在基板附近诱导和维持等离子体，以提供对所沉积的介电层的离子轰击。所述厚介电层可以比所述薄介电层更快速地沉积。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】无针孔介电薄膜制造相关申请的交叉引用本申请要求享有在2011年6月17日提交的美国临时申请第61/498,480号的权益，所述美国临时申请以引用方式全部并入本文。
本专利技术的实施方式通常涉及薄膜沉积，并且更具体来说涉及用于减少介电薄膜中针孔(pinhole)的方法和设备。
技术介绍
存在许多包括多个导电层——例如，薄膜电池（thinfilmbatteries;TFBs）和电变色(electrochromic)装置之间的介电膜的薄膜装置。关于这些装置，所述介电膜中的针孔可能会损害装置功能。例如，所述介电膜中的针孔可能会降低所述装置的击穿电压，或者更糟地还会导致各导电层之间的短路以及致使所述装置变得无效。图1图示典型的薄膜电池(thinfilmbattery;TFB)的剖面图。将TFB装置结构100所具有的阳极集电器(anodecurrentcollector)103和阴极集电器102(cathodecurrentcollector)形成在基板101上，接着形成阴极104、电解质105和阳极106；但是也可以将所述装置制造成具有颠倒次序的所述阴极、电解质和阳极。此外，可以分别沉积阴极集本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种沉积介电膜的方法，包含：在基板上沉积第一介电材料层；在沉积所述第一介电材料层之后，诱导和维持所述基板之上的等离子体，以提供对所述第一介电材料层的离子轰击；以及重复所述沉积、及诱导和维持步骤，直到沉积了预定厚度的介电材料为止。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.06.17 US 61/498,4801.一种沉积介电膜的方法，包含：在基板上沉积第一介电材料层，其中所述沉积是在工艺腔室中的真空沉积，且包括在没有氮的氩环境中溅射Li3PO4；将氮气引入所述工艺腔室；在沉积所述第一介电材料层以及引入氮之后，在所述基板上方诱导和维持等离子体，以提供对所述第一介电材料层的离子轰击；以及重复所述沉积、及诱导和维持步骤，直到沉积了预定厚度的介电材料为止。2.如权利要求1所述的方法，其中所述介电材料是LiPON。3.如权利要求2所述的方法，其中所述第一介电材料层的厚度小于200nm。4.如权利要求1所述的方法，所述方法进一步包含：在所述诱导和维持步骤之前改变所述工艺腔室中的所述工艺气体。5.如权利要求1所述的方法，其中所述第一介电材料层的厚度小于200nm。6.如权利要求1所述的方法，其中所述真空沉积步骤包括：溅射所述介电材料，所述溅射步骤包括将第一频率的射频功率和第二频率的射频功率同时施加到溅射靶。7.如权利要求6所述的方法，其中所述真空沉积步骤包括：施加偏压到所述基板。8.如权利要求1所述的方法，其中在所述诱导和维持步骤期间加热所述基板。9.一种沉积介电膜的方法，所述方法包含：在工艺腔室中将第一介电材料层真空沉积在基板上；在真空沉积所述第一介电材料层之后，在所述基板上方诱导和维持等离子体，以提供对所述第一介电材料层的离子轰击；和将第二介电材料层真空沉积到经离子轰击的所述第一介电材料层上；在真空沉积所述第二介电材料层之后，在所述基板上方诱导和维持等离子体，以提供对所述第二介电材料层的离子轰击；其中所述第二介电材料层比所...

【专利技术属性】
技术研发人员：冲·蒋，秉圣·利奥·郭，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：
国别省市：