用于使用激光划线和等离子体蚀刻的器件裁切的原位沉积掩模层制造技术

藉由激光划线及等离子体蚀刻二者来分割基板的方法。一种方法包括下列步骤：利用等离子体蚀刻腔室，藉由累积一厚度的经等离子体沉积聚合物以形成原位掩模，以保护IC凸块表面不受后续等离子体蚀刻。可与经等离子体沉积聚合物一起应用第二掩模材料，诸如水溶性的掩模材料。以飞秒激光划线工艺图案化所述掩模的至少某些部分，以提供具有沟槽的经图案化掩模。图案化暴露出介于IC之间的基板区域，在所述区域中，所述基板受到等离子体蚀刻以裁切IC，且水溶性的材料层被洗掉。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于使用激光划线和等离子体蚀刻的器件裁切的原位沉积掩模层
本专利技术的实施例关于半导体处理的领域，特别地，关于供分割(dicing)基板所用的遮蔽方法，各基板上具有集成电路(1C)。相关
技术介绍
的描述在半导体基板处理中，在典型由硅或其他半导体材料组成的基板(也被称作晶圆)上形成1C。通常，利用半导体、导电或绝缘的不同材料薄膜层来形成1C。可使用各种熟知工艺来掺杂、沉积及蚀刻所述材料，以在相同的基板上同步形成多个平行的1C，如存储器件、逻辑器件、光伏器件等。在器件形成工艺之后，将基板安置在支撑构件(如跨越膜框架而展开的粘着膜)上，并“分割(dice)”基板以将每一个别的器件或“晶粒(die)”彼此分离，以进行封装等工艺。目前，最普及的两种分割技术为划线和锯切(sawing)。就划线而言，沿着预形成的划割线越过基板表面移动钻石尖头划线器。在诸如以滚轴施加压力之后，基板沿着所述划割线分开。就锯切而言，钻石尖头锯沿着切割道(street)切割基板。就薄基板裁切而言,诸如50至150微米(μπι)厚的主体娃裁切,常规的方式仅能产生不佳的工艺品质。自薄基板裁切晶粒时可能会面对的某些挑本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种分割基板的方法，所述基板包括多个IC，所述方法包括：将掩模形成于所述基板上，所述掩模覆盖并保护所述IC；以激光划线工艺图案化所述掩模厚度的至少一部分，以提供带有多个沟槽的经图案化掩模，暴露出介于所述IC之间的所述基板的区域；以及通过所述经图案化掩模中的所述沟槽，等离子体蚀刻所述基板，以裁切所述IC，其中形成该遮罩的步骤进一步包含下列步骤：将一聚合物等离子体沉积于该基板上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.06.15 US 13/160,9731.一种分割基板的方法,所述基板包括多个IC,所述方法包括: 将掩模形成于所述基板上，所述掩模覆盖并保护所述IC ； 以激光划线工艺图案化所述掩模厚度的至少一部分，以提供带有多个沟槽的经图案化掩模，暴露出介于所述IC之间的所述基板的区域；以及 通过所述经图案化掩模中的所述沟槽，等离子体蚀刻所述基板，以裁切所述1C，其中形成该遮罩的步骤进一步包含下列步骤:将一聚合物等离子体沉积于该基板上。2.如权利要求1所述的方法，其中所述等离子体蚀刻的步骤进一步包括深沟槽蚀刻工艺，所述深沟槽蚀刻工艺包括多个连续的蚀刻及沉积循环，各沉积循环沉积附加量的所述聚合物。3.如权利要求2所述的方法，其中等离子体沉积所述掩模及等离子体蚀刻所述基板的步骤是由相同的等离子体腔室进行的。4.如权利要求1所述的方法，其中等离子体沉积所述掩模的步骤进一步包括下列步骤:在所述IC上的铜凸块的顶表面上建立所述聚合物的层。5.如权利要求4所述的方法，其中等离子体沉积所述聚合物层的步骤进一步包括下列步骤:将所述基板暴露于来源气体的等离子体，所述来源气体包括C4F8X4F6及CH2F2中的至少一个。6.如权利要求5所述的方法，其中等离子体沉积所述聚合物层的步骤进一步包括下列步骤:沉积所述聚合物层达至少I微米的厚度。7.如权利要求1所述的`方法，其中形成所述掩模的步骤进一步包括下列步骤:在等离子体沉积所述聚合物层之前或之后施加第二掩模材料层，其中以激光划线工艺图案化所述掩模的至少一部分的步骤进一步包括下列步骤:剥蚀所述第二掩模材料以形成所述沟槽。8.如权利要求7所述之方法，其中所述第二掩模材料层是水溶性的聚合物，且其中蚀刻所述基板的步骤包括下列步骤:以蚀刻工艺蚀刻所述等沟槽，在所述蚀刻工艺期间所述水溶性的聚合物掩模材料层维持在100°C以下。9.如权利要求8所述的方法，其中形成第二掩模材料的步骤进一步包括:形成聚(乙烯醇)、聚(丙烯酸)、聚(甲基丙烯酸)、聚(...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·R·亚拉曼希里，类维生，B·伊顿，S·辛格，A·库玛，B·吴，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：
国别省市：