【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术提供一种芯片收获率、碎屑的减少及操作性优越的。通过从表面(5a)照射等离子体进行蚀刻来除去分割区域(6)的绝缘膜(3)。然后，在粘贴BG胶带(25)前通过等离子体处理除去形成于表面(5a)上的抗蚀剂掩模(7)的粗糙。对背面(5b)进行研削而对半导体晶片(5)进行了薄厚处理后，剥离BG胶带(25)。通过从表面(5a)照射等离子体进行蚀刻而将半导体晶片(5)分割成各个半导体芯片(1)。【专利说明】
本专利技术涉及将半导体晶片分割后进行单片化的。
技术介绍
作为将半导体晶片分割后进行单片化的，公知有利用切片 机(dicer)的刀片以机械的方式分割半导体晶片的方法。例如，在专利文献I中公开了基 于DBG(Dicing Before Grinding)方式的机械式切割法。在该专利文献I所公开的DBG方 式中，利用刀片从半导体晶片的元件形成面(表面)形成了沟槽后，在表面粘贴保护胶带。 接着，对半导体晶片的与表面相反一侧的面(背面)进行研削，直到抵达沟槽处，从而单片 化为各个半导体芯片。但是，使用了切片机的DBG方式中存在以下问题。首先，由于存在刀...
【技术保护点】
一种半导体芯片的制造方法，将具备形成有多个半导体元件部的第1面及与该第1面相反一侧的第2面的半导体晶片，按每个所述半导体元件部进行分割，来制造半导体芯片，其中多个所述半导体元件部在绝缘膜上是由分割区域划分开的，其中，该制造方法包括：在所述第1面上形成覆盖所述半导体元件部但使所述分割区域露出的掩模的工序；通过自所述第1面照射等离子体来除去从所述掩模露出的所述分割区域的所述绝缘膜的第1等离子体切割工序；在所述第1等离子体切割工序后将保护胶带粘贴到所述第1面上的工序；在粘贴了所述保护胶带之后，对所述第2面进行研削，对所述半导体晶片进行薄厚处理的工序；在所述研削之后在所述第2面上粘...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：针贝笃史，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：
国别省市：
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