基底和断裂准备至少一个功率半导体构件的基底的方法技术

本发明专利技术涉及一种基底和断裂准备至少一个功率半导体构件的基底的方法，该方法具有以下方法步骤：a）提供基底（1），其中，基底（1）具有不导电的绝缘材料体（2），b）在绝缘材料体（2）上沿着基底（1）的期望的断裂棱边（A、B、C、D、E）进行材料剥除，其中，材料剥除以如下方式执行，即，在至少两个期望的断裂棱边（A、B、C、D、E）相会的角区域（14）中执行相对于在期望的断裂棱边（A、B、C、D、E）的其余区域（17）中所执行的材料剥除更高度的材料剥除。本发明专利技术能够实现在断裂用于至少一个功率半导体构件的基底（1）时减少在绝缘材料体（2）上的不期望的裂缝。

Substrate and method of breaking the substrate of at least one power semiconductor component

The invention relates to a method for basal and basal fracture prepare at least one power semiconductor component, this method has the following steps: a) providing a substrate (1), the substrate (1) with an insulating material body (2), conductive b) in an insulating material body (2) along the basement (1) the expected edge edge fracture (A, B, C, D, E) of material stripping, the stripping materials are implemented, namely, the fracture edge at least two desired edges (A, B, C, D, E) (14) the angle of regional meeting in with respect to the desired execution edge fracture edge (A, B, C, D, E) of the remaining area (17) in the implementation of the material stripping more highly material stripping. It is possible to reduce undesirable cracks in an insulating material body (2) when a substrate (1) for breaking at least one power semiconductor component is broken.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种断裂准备至少一个功率半导体构件的基底的方法。此外本专利技术还涉及一种与之相关的基底。
技术介绍
在由现有技术公知的功率半导体模块中，功率半导体构件，例如功率半导体开关和二极管通常布置在基底上，并且借助基底的导体层、丝焊和/或复合薄膜彼此导电连接。功率半导体开关在此通常以晶体管，例如IGBTs(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)或 M0SFETs(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,金属氧化物半导体场效应晶体管)形式，或以半导体闸流管形式存在。布置在基底上的功率半导体构件在此经常与单个或多个所谓的半桥电路电接通，该半桥电路通常用于电压和电流的直流整流和交流整流。基底通常与冷却体直接或间接连结。为了制造功率半导体模块将功率半导体构件布置在基底上并且与该基底连接。基底在此可以例如以DCB基底的形式存在。基底具有结构化的导电金属层，该金属层由于其结构构造出导体轨迹。功率半导体构件经由导体轨迹彼此连接，从而使得流过功率半导体构件的、可能具有很高电流强本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种断裂准备至少一个功率半导体构件的基底（1）的方法，其具有以下方法步骤：a）提供所述基底（1），其中，所述基底（1）具有不导电的绝缘材料体（2），b）在所述绝缘材料体（2）上沿着所述基底（1）的期望的断裂棱边（A、B、C、D、E）进行材料剥除，其中，材料剥除以如下方式执行，即，在至少两个期望的断裂棱边（A、B、C、D、E）相会的角区域（14）中执行相对于在期望的断裂棱边（A、B、C、D、E）的其余区域（17）中所执行的材料剥除更高度的材料剥除。

【技术特征摘要】
2012.07.11 DE 102012212131.51.一种断裂准备至少一个功率半导体构件的基底(I)的方法，其具有以下方法步骤: a )提供所述基底(I)，其中，所述基底(I)具有不导电的绝缘材料体(2 )， b)在所述绝缘材料体(2)上沿着所述基底(I)的期望的断裂棱边(A、B、C、D、E)进行材料剥除，其中，材料剥除以如下方式执行，即，在至少两个期望的断裂棱边(A、B、C、D、E)相会的角区域(14)中执行相对于在期望的断裂棱边(A、B、C、D、E)的其余区域(17)中所执行的材料剥除更高度的材料剥除。2.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，所述材料剥除借助激光射束(20)来执行。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述材料剥除借助脉冲式激光射束(20)来执行，并且所述脉冲式激光射束(20)为了实现所述材料剥除沿着所述期望的断裂棱边(A、B、C、D、E)将凹部(18、18，、18’’ )引入所述绝缘材料体(2)中。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述激光射束(20)在所述至少两个期望的断裂棱边相会的角区域(14)中比在所述期望的断裂棱边(A、B、C、D、E)的其余区域(17)中沿着所述期望的断裂棱边(A、B、C、D、E)每长度单位将更多的凹部(18、18’ )引入所述绝缘材料体(2)中。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述脉冲式激光射束(20)以如下方式将所述凹部(18、18’、18’’)引入所述绝缘材料体(2)中，即，在第一分方法步骤中，所述激光射束(20)沿着所述基底(I)的期望的断裂棱边(A、B、C、D、E)将第一凹部(18)引入所述绝缘材料...

【专利技术属性】
技术研发人员：诺贝特·克劳斯，格奥尔格·泰斯，
申请(专利权)人：赛米控电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：