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本发明涉及一种基底和断裂准备至少一个功率半导体构件的基底的方法，该方法具有以下方法步骤：a）提供基底（1），其中，基底（1）具有不导电的绝缘材料体（2），b）在绝缘材料体（2）上沿着基底（1）的期望的断裂棱边（A、B、C、D、E）进行材料剥...
该专利属于赛米控电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过赛米控电子股份有限公司授权不得商用。

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