在此提供双臂基板移送机器人的实施例。在某些实施例中，双臂基板移送机器人可包括中央致动器，围绕中央轴旋转移送机器人；连接臂，该连接臂拥有第一端以及通常与第一端相对的第二端，其中该连接臂在介于第一端与第二端之间毗邻连接臂中心处与中央致动器连...

提供了用于修复受损的低介电常数薄膜的方法。对低介电常数薄膜的损坏发生在处理薄膜期间，诸如，在蚀刻、灰化及平坦化期间。对低介电常数薄膜的处理使水储存在薄膜的孔中且进一步使亲水性化合物形成在低介电常数薄膜结构中。结合紫外线（UV）辐射及硅烷...

一种从包含氮化硅层与氧化硅层的基板选择性地蚀刻氮化硅的方法包括以下步骤：使含氟气体流动到基板处理腔室的等离子体产生区域内；及施加能量到该含氟气体，以在该等离子体产生区域中产生等离子体。该等离子体包含氟自由基与氟离子。该方法还包括以下步骤...

一种从包括含金属层与氧化硅层的基板选择性地蚀刻含金属膜的方法，包括以下步骤：使含氟气体流动到基板处理腔室的等离子体产生区域内；以及施加能量到所述含氟气体，以在所述等离子体产生区域中产生等离子体。所述等离子体包括氟自由基与氟离子。所述方法...

描述了制备供后续薄膜形成工艺所用的基板的方法。亦描述制备供后续薄膜形成工艺所用的基板，且不将基板浸入水溶液中的方法。所描述的工艺包括将基板置入工艺腔室中，基板具有热氧化物表面，所述热氧化物表面基本上不具有活性的表面末端。将热氧化物表面暴...

本文所述的实施例涉及一种用于对腔室内的处理区域形成衬里的设备和方法。于一个实施例中，提供用于衬底处理腔室的模块衬里组件。所述模块衬里组件包含第一衬里和第二衬里，所述第一衬里和所述第二衬里每个包括环形主体，所述环形主体经调整尺寸以容纳于腔...

本发明提供了一种处理腔室部件及制造所述处理腔室部件的方法。处理腔室部件以本文所述的方式制造且所述处理腔室部件包括在腔室部件的表面上产生至少巨观纹理。巨观纹理由多个设计特征限定，所述多个设计特征在腔室部件的表面上以预限定取向布置。在一些实...

提供一种涂布设备(700)，所述涂布设备包括：(i)真空腔室(16)，所述真空腔室用于使用经由金属丝(wire)(14)加热的涂布材料涂布基板(12)；和(ii)致动器系统(18)，所述致动器系统包括机动驱动器(20)。致动器系统配置成...

本发明提供一种用于电化学处理器的密封环，所述密封环在按压抵靠晶片表面时不横向滑移或偏转。所述密封环可在处理器的转子上，其中密封环具有外壁，所述外壁通过末端接合至尖端圆弧。所述外壁可为直壁。相对刚性的支撑环可附接至密封环，以提供更精确的密...

用于高深宽比填充的半导体反流处理，一种用于至少部分填充工件上的部件的方法包括以下步骤：获得包括部件的工件，所述部件具有在约10到约80的范围内的高深宽比；将第一共形导电层沉积在部件中；和热处理工件以使第一共形导电层在部件中反流。

一种用于至少部分填充工件上的部件的方法通常包括以下步骤：获得包括部件的工件；将第一共形导电层沉积在部件中；和热处理工件以使第一共形导电层在部件中反流。

通过使高架RF源功率施加器绕倾斜轴倾斜来执行等离子体蚀刻速率分布中的歪斜校正，倾斜轴的角度是由处理数据中的歪斜来确定的。通过结合对浮置板进行支撑的精确的三个轴向运动伺服系统来提供运动的完全自由度，从该浮置板悬挂高架RF源功率施加器。

一种用于溅射腔室的溅射靶材，其包含背板并且所述背板上安装有溅射板。在一态样中，所述背板包括正面具有环形凹槽的圆形板。所述溅射板包含具有溅射面及背面的圆盘，在所述圆盘的背面具有环形凸脊，并且环形凸脊的形状与尺寸塑造成能使所述凸脊安装入所述...

提供了高容量储能装置和储能装置部件，并且更具体地，提供了用于使用形成三维多孔结构的工艺来制造这种高容量储能装置和储能装置部件的系统和方法。在一个实施例中，提供了一种在高容量储能装置中使用的阳极结构，所述阳极结构包含导电性集电极基板、形成...

本发明描述了用于在图案化衬底上形成高密度间隙填充氧化硅的工艺。所述工艺增加尤其在窄沟槽中的间隙填充氧化硅的密度。所述密度还可在宽沟槽和凹入的开放区域中增加。在允许蚀刻速率更加接近匹配的处理之后，在窄和宽沟槽/开放区域中的间隙填充氧化硅的...

本发明提供包括气体分配板的原子层沉积设备及方法，所述气体分配板包含至少一个气体喷射器单元。每一气体喷射器单元包含多个狭长气体喷射器，所述多个狭长气体喷射器包括至少两个第一反应气体喷射器及至少一个第二反应气体喷射器，所述至少两个第一反应气...

本发明公开用于处理基板的方法及设备。设备为双重功能处理腔室，所述双重功能处理腔室可在基板上执行材料处理与热处理两者。腔室具有环形辐射源，所述环形辐射源安置于腔室的处理位置与输送位置之间。升降销具有长度，所述长度足以在基板支撑件下降至辐射...

本发明提供包括旋转轮的原子层沉积设备及方法，所述旋转轮具有多个基板载体，所述原子层沉积设备及方法用于连续处理基板。处理腔室在前端上可具有载入站，所述载入站被配置成具有一个或更多个机械手臂以从基板载体载入及卸载基板，无需停止旋转轮。

本发明大致上关于偏移电极TFT及该偏移电极TFT的制造方法。该偏移电极TFT为一种TFT，其中一电极，为源极或是漏极，围绕另一电极。栅极电极仍位于源极电极与漏极电极两者的下方。藉由重新设计TFT，相较于常规的底部栅极TFT或顶部栅极TF...

本发明的实施例提供一种在处理腔室中加热且支撑基板的装置。本发明的一个实施例提供一种基板支撑组件。所述基板支撑组件包括加热板及悬臂，所述加热板在前侧上具有基板支撑表面，所述悬臂自所述加热板的背侧延伸。所述加热板经设置以支撑且加热所述基板支...