本文提供用于输送气体进入等离子体处理腔室的方法和设备。在某些实施例中，用于处理基板的设备包括：具有处理空间的处理腔室；设置在处理空间中的基板支撑件；产生处理空间内的电场的感应耦合等离子体源，该处理空间包括电场的幅值的一个或多个局部最大值...

在此描述具有物理气相沉积（PVD）形成的氮化铝缓冲层的氮化镓类发光二极管（LED）的制造。举例而言，多腔室系统包括物理气相沉积（PVD）腔室，所述PVD腔室具有铝构成的靶。也包括一腔室，所述腔室适于沉积无掺杂或n型的氮化镓，或适于沉积前...

一种用于半导体工件的处理组件大体包括能够旋转工件的转子组件、用于将化学物输送至所述工件的化学物输送组件及用于自所述工件收集废化学物的化学物收集组件。所述化学物收集组件可包括配置为与所述转子组件一起旋转的堰。还提供一种处理半导体工件的方法。

本发明关于薄膜的真空沉积领域中用于基板的载具及组装该载具的方法。具体而言，本发明针对一种用于基板的载具(1)，该基板要在真空室中涂布，该载具包含：第一框架(3)，第一框架(3)包含两个垂直部分(32)及两个水平部分(31)，这些部分经尺...

本发明公开了一种内扣环和外扣环。一种用于化学机械抛光机的载具头包括底座、基板安装表面、环形内环和环形外环。内环具有配置为圆周地环绕定位于基板安装表面上的基板的边缘的内表面、外表面和接触抛光垫的下表面。内环相对于基板安装表面而可垂直移动。...

本发明涉及改良的承载头薄膜并提出用于平坦化基底的方法及设备。提出具有改良的外罩的基底承载头以牢固地握持基底。外罩可具有珠部，其尺寸大于与其进行配适的凹部，从而通过压缩力在凹部内形成共形的密封。珠部亦可不经涂覆，以加强珠部与沟槽表面的附着...

一种用于涂布卷筒纸料的真空涂布装置包括第一可旋转涂布滚筒(11)以及与第一滚筒(11)平行设置的第二可旋转涂布滚筒(12)，其中在第一涂布滚筒与第二涂布滚筒(11、12)之间形成有用于传送至少一个卷筒纸料(15)的缝隙(17)。第一蒸发...

本发明提供一种用于形成包括气隙的低k介电层的方法及装置。在一个实施例中，提供一种处理基板的方法。该方法包含：将基板安置在处理区域内；在存在等离子体的情况下，将有机硅化合物与氧化气体以及提供致孔剂的前驱物反应，以将包含硅、氧及碳的含致孔剂...

本实用新型涉及屏蔽件和处理套件。物理气相沉积腔室的屏蔽件包括：圆柱形外带；圆柱形内带；基部平板，其将圆柱形外带与圆柱形内带耦接以形成单件式单一构件；及多个球体，其耦接至圆柱形内带，球体向圆柱形内带的内部径向延伸。

本发明的实施例提供太阳能电池上的铜触点结构，所述铜触点结构使用铜金属化胶(copper?metallization?paste)和/或铜墨(copper?ink)形成。在一个实施例中，所述铜金属化胶包括有机基质、有机基质内的玻璃料(gl...

本文提供在基板上形成器件的方法。在某些实施例中，在基板上形成器件的方法可包括下列步骤：提供基板，基板具有部分制造的第一器件设置于基板上，第一器件包括第一膜堆叠，第一膜堆叠包含第一介电层及设置于第一介电层顶上的第一高介电常数介电层；于第一...

本发明提供一种用于在基板上形成非晶形碳层的方法与设备。具有高应力水平的该非晶形碳层的第一部分由具有高稀释比的碳氢化合物前驱物形成，且纳入任选的胺前驱物以添加提升应力的氮。透过减少碳氢化合物前驱物的稀释比以及降低或消除胺气体，而将具有低应...

提供用以提供遍布基板表面的均匀UV辐射照射轮廓的方法与装置。在一实施例中，一种基板处理工具包括：处理腔室，该处理腔室定义处理区域；基板支撑件，该基板支撑件用以支撑基板在该处理区域内；紫外线(UV)辐射源，该UV辐射源和该基板支撑件隔离，...

本发明大致上涉及控制UV灯输出以增加辐照度均匀性的方法。这些方法大致上包含决定腔室内的基准线辐照度，决定与第一灯及第二灯相对应的基板上的相对辐照度，以及根据相对辐照度与基准线辐照度决定修正因子或补偿因子。然后使用修正因子或补偿因子经由闭...

本发明通常描述用来在衬底的期望区域上执行退火工艺的设备和方法。在一个实施例中，利用闪光灯或激光设备，将脉冲电磁能量供给到衬底上。该脉冲可以是从约1纳秒到约10毫秒长，并且每个脉冲具有比熔化衬底材料需要的能量小的能量。脉冲之间的能量间隔通...

本发明涉及一种用于介电薄膜的原子层沉积的化学品的光激发的方法和装置。本发明大体来说提供一种沉积材料的方法，并且更明确地说，本发明的实施例有关于使用光激发技术来沉积阻障层、种层、导电材料以及介电材料的化学气相沉积制程以及原子层沉积制程。本...

本发明的实施例大体上关于集成电路的制造，并且尤其关于含硼非晶碳层在半导体基板上的沉积。在一实施例中，提供一种在处理腔室中处理基板的方法。此方法包含：在处理空间中提供基板；使含碳氢化合物气体混合物流动到处理空间内；通过从RF源施加功率来产...

提供了一种改良的方法用于沉积超低介电常数薄膜堆栈。本发明实施例藉由降低超低介电薄膜堆栈中的氧化物黏着层厚度而将来自沉积超低介电常数薄膜堆栈的最初阶段的k(介电常数)影响最小化，因而将薄膜堆栈的厚度非均匀性降低至小于2%。所述改良的工艺以...

描述一种从多个槽蚀刻氧化硅的方法，该方法能容许槽之间更为一致的蚀刻速率。在蚀刻之后，槽内经蚀刻的氧化硅的表面也可较为平滑。该方法包括两个干式蚀刻阶段以及后续的升华步骤。第一干式蚀刻阶段迅速地移除氧化硅，且产生大的固体残余物颗粒。第二干式...

本发明提供一种用于化学机械抛光的方法和设备，其包括支撑着抛光物件的台板、位于台板附近的机械手、带有保持环的载具头、以及载具头支撑机构。机械手被设置成将衬底定位在抛光物件上，载具头支撑机构被设置成使载具头移动到使保持环围绕衬底的位置。