复合可移除硬掩模制造技术

本发明专利技术提供一种用于在基板上形成非晶形碳层的方法与设备。具有高应力水平的该非晶形碳层的第一部分由具有高稀释比的碳氢化合物前驱物形成，且纳入任选的胺前驱物以添加提升应力的氮。透过减少碳氢化合物前驱物的稀释比以及降低或消除胺气体，而将具有低应力水平的该非晶形碳层的第二部分形成在第一部分上。作为调整前驱物流速的替代或补充，可调整压力、温度、与RF功率输入，并且可使用不同的前驱物以用于不同的应力水平。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】复合可移除硬掩模领域在此所述的实施例大体上关于形成半导体器件的方法。更具体地，在此所述的实施例是关于在半导体器件制造过程中形成蚀刻掩模层的方法。背景根据摩尔定律，半导体芯片上的器件尺寸已减少达超过50年。随特征结构逐渐变小，纵横比增加以及器件设计变得更加复杂，在制造此类器件上产生新的挑战。最近几年，趋势已移向使用抗蚀膜下方的可移除的硬掩模层以用在半导体基板的图案化与蚀刻上。可移除的硬掩模在减少堆栈高度与改善最终器件的电性能上提供了优点，但当器件持续缩小，被设计到硬掩模层(该硬掩模层是为了改善蚀刻选择性)中的残余应力引发图案线弯折与交织，线的粗糙、空间宽度的粗糙、以及受蚀刻的图案大体扭曲。在较小的特征结构中，此类扭曲逐渐引发器件失效。再者，在一些情形中，硬掩模层中的残余应力引发处理期间的分层问题。因此，持续需要一些方法，该些方法为以最小扭曲在基板中蚀刻细微图案以用于半导体工业中的各应用的方法。·概要在蚀刻的可移除硬掩模层中的图案线宽粗糙度或空间宽度粗糙度可通过形成具有低应力部分的硬掩模层而减少，该低应力部分减少由内应力所造成的图案扭曲。可使用在基板上形成硬掩模层的方法，该些方法包括以下步本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·克内奇，J·J·刘，D·帕德希，金秉宪，W·H·麦克林托克，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：
国别省市：