一种光阻涂布的方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种光阻涂布的方法及装置，用以降低半导体芯片的不良率。该方法包括：将晶片放置在工作台上，对所述晶片进行至少两次的光阻涂布，其中，每次光阻涂布包括：旋转所述工作台，并使所述工作台上方的光阻输配喷嘴喷出光阻。这样，使得涂布的光阻厚度均匀性得到显著改善，刻蚀后最薄处光阻剩余厚度足以挡住护层刻蚀，因此可以解决护层过刻问题，确保刻蚀后图形定义完整，降低半导体芯片的不良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件生产
，特别涉及一种光阻涂布的方法及装置。
技术介绍
目前，半导体器件采用光刻(MASK)工艺进行制造，而光刻工艺包括:光阻涂布，掩膜、曝光、显影、刻蚀和剥离等工艺。具体包括:将光阻均匀地涂布在芯片表面，使芯片可以利用曝光机来制作图案，经过刻蚀后定义出电路。一般，制作一个半导体器件需要经过多次光刻工艺，晶片经过前段生产工艺，在晶片上刻蚀出相应的电路布局，导致晶片表面凹凸不平，这样，晶片在后段生产工艺，须在在对凹凸不平的晶片表面进行光阻涂布，从而会导致晶片表面每个区域的光阻厚度不均。其中，在凹槽的侧壁区域涂布的光阻厚度会相对偏薄，当其厚度低于某个阈值时，曝光和显影后，保留的光阻将起不到抗刻蚀的作用，定义的电路被破坏，导致芯片不能正常工作。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种光阻涂布的方法及装置，用以降低半导体芯片的不良率。本专利技术实施例提供一种光阻涂布的方法，包括:将晶片放置在工作台上；对所述晶片进行至少两次的光阻涂布，其中，每次光阻涂布包括:旋转所述工作台，并使所述工作台上方的光阻输配喷嘴喷出光阻。本专利技术实施例提供光阻涂布的装置，包括:工作台，用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光阻涂布的方法，其特征在于，包括：将晶片放置在工作台上；对所述晶片进行至少两次的光阻涂布，其中，每次光阻涂布包括：旋转所述工作台，并使所述工作台上方的光阻输配喷嘴喷出光阻。

【技术特征摘要】
1.一种光阻涂布的方法，其特征在于，包括: 将晶片放置在工作台上； 对所述晶片进行至少两次的光阻涂布，其中，每次光阻涂布包括:旋转所述工作台，并使所述工作台上方的光阻输配喷嘴喷出光阻。2.按权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述晶片进行两次的光阻涂布时，所述工作台在第一次光阻涂布中的旋转速度大于或等于在第二次光阻涂布中的旋转速度。3.按权利要求2所述的方法，其特征在于，所述工作台在第一次光阻涂布中的旋转速度为2000转/分-3000转/分。4.按权利要求2所述的方法，其特征在于，所述工作台在第二次光阻涂布中的旋转速度为1500转/分-2000转/分。5.按权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一次光阻涂布的作业时间与所述第二次光阻涂布的作业时间相等。6.一种光阻涂布的装置，其特征在于，包括: 工作台，用...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴新华，彭超群，方表峰，杜兆董，
申请(专利权)人：北大方正集团有限公司，深圳方正微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：