衬底处理的方法和用于所述方法的处理组成物技术

高卤酸和硫酸的混合物在高温下出乎意料地稳定，并在剥离光致抗蚀剂中是有效的，其包括用较短的处理时间剥离难以处理的注入了离子的光致抗蚀剂。在使用中，在高达145℃的温度没有观察到混合物的分解。在该混合物中，硫酸是高度纯化的，并具有96wt％或更高的浓度。高卤酸优选为H5IO6。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于衬底处理的酸性组成物，以及使用该组成物处理衬底的方法。
技术介绍
尽管某些伴随的问题，半导体处理使用光致抗蚀剂，包括使用电子束抗蚀剂是普遍的。这些问题包括去除或剥除抗蚀剂遇到的困难。一些光致抗蚀剂被高度注入，例如，离子剂量超过IO15原子/平方厘米，且注入能量高于20keV，和差不多40keV或更高。这些经注入的抗蚀剂不能通过常规的衬底处理工艺完全去除，并且甚至在某些情况下不能部分去除。 根据注入能量的等级和掺杂物的类型(硼、砷等)，许多光致抗蚀剂和它们的残余物通过SPM (硫酸双氧水混合物)、SOM (硫酸臭氧混合物)剥除或者，替代地，通过有机溶剂剥除；然而，这些技术不能对所有的抗蚀剂给出令人满意的结果或根本不能去除残余物。美国公布的专利申请No. 2009/0281016描述了包括硫酸和过碘酸的组成物，以及他们在剥除注入了离子的光致抗蚀剂中的使用。在某些实施方式中，该组成物可包括水，但其含量优选在最低限度。虽然提到了更宽的工艺温度范围，实际上混合物在温度为60到90°C的范围使用，符合由于爆炸或过度热释放的危险，过碘酸和强无机酸的混合物不应该加热到混合物脱水的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：赫伯特·席勒，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：
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