本发明提供了一种对于半导体处理中使用的含卤素等离子体耐腐蚀的陶瓷制品。该陶瓷制品包括典型地包括两相到三相的多相陶瓷。在第一实施方式中，该陶瓷由以下成分形成，即：摩尔浓度变化范围从约50％摩尔比到约75％摩尔比的氧化钇；摩尔浓度变化范围从...

描述由减少数量的前驱物达成催化性原子层沉积。沉积前驱物含有硅、氧及催化性配位基。使末端羟基化基板暴露于所述沉积前驱物下以于两个表面键结氧之间形成硅桥键。所述表面键结氧系两个表面键结羟基的一部分，且所述沉积前驱物的吸附作用游离出氢。所述硅...

本发明提供一种在等离子体处理期间藉由直接监视等离子体处理腔室的射频（RF）功率电极上的直流(DC)偏置电压以检测诸如电弧、微电弧或其它等离子体不稳定性的等离子体偏移的系统及方法。受监视的直流偏置电压随后通过连续多个模拟滤波器与放大器以提...

本发明提供一种用于在基板(102)上方形成薄膜晶体管栅极绝缘层(100、302)的方法，该基板(102)设置在处理腔室(104)中。该方法包含：将处理气体(116)引进，以在该处理腔室(104)中产生等离子体；将该基板(102)加热到介...

本公开的实施例一般提供在薄膜晶体管(TFT)器件中形成无氢含硅层的方法。在TFT器件、光电二极管、半导体二极管、发光二极管(LED)、有机发光二极管(OLED)或其他适合的显示器应用中，无氢含硅层可以作为钝化层、栅极介电层、蚀刻终止层或...

一种用于化学机械抛光机的载具头包括底座、基板安装表面、环形内环和环形外环。内环具有配置为圆周地环绕定位于基板安装表面上的基板的边缘的内表面、外表面和接触抛光垫的下表面。内环相对于基板安装表面而可垂直移动。外环具有圆周地环绕内环的内表面、...

本发明的各实施例一般涉及从衬底表面去除污染物和原生氧化物的方法。方法一般包含暴露衬底至氧化源，所述衬底具有氧化层于衬底上。氧化源氧化位于氧化层下方的衬底的上部，以形成具有增加厚度的氧化层。具有增加厚度的氧化层接着去除以暴露衬底的干净表面...

本发明提供一种可应用于化学气相沉积和/或氢化物气相外延(HVPE)沉积的方法及装置。所述装置包括喷头组件，所述喷头组件具有独立入口和歧管，用于将独立的处理气体输送到腔室的处理空间中且不会在气体进入处理空间前混合气体。喷头包括设置在多个气...

一种基板处理系统包含邻近处理腔室的热处理器或等离子体发生器。第一处理气体进入所述热处理器或等离子体发生器。所述第一处理气体随后直接流动穿过喷头进入所述处理腔室。第二处理气体流动穿过第二流径，所述第二流径经过所述喷头。所述第一处理气体及所...

一种适应处理期间的热梯度的托盘。在一个方面，托盘包括一对细长部件、固定耦连到每个细长部件的固定式细长横向部件，和浮动耦连到细长部件的细长浮动式横向部件。所述浮动式横向部件偏离所述固定耦连的横向部件，以在两者间限定间隙。

本发明提供一种对称等离子体处理室。本发明实施例提供允许极其对称的电、热和气体传导通过室的室设计。通过提供这种对称，形成在室内的等离子体自然地在设置在室的处理区域中的衬底的表面上具有改进的均匀性。这种改进的对称性以及其他室的附加情况（诸如...

本发明提供一种对称等离子体处理室。本发明实施例提供允许极其对称的电、热和气体传导通过室的室设计。通过提供这种对称，形成在室内的等离子体自然地在设置在室的处理区域中的衬底的表面上具有改进的均匀性。这种改进的对称性以及其他室的附加情况（诸如...

本发明提供了一种静电夹盘和使用所述静电夹盘的方法。在某些实施例中，静电夹盘可以包括盘，所述盘具有第一侧，所述第一侧用以将基板支撑在所述第一侧上，及第二侧，所述第二侧与所述第一侧相对，用以提供选择性地将所述盘耦接到热控板材的界面；第一电极...

本文揭示用于处理基板的设备。在一些实施例中，一种基板支架可包括：基板支架，所述基板支架具有用于支撑基板的支撑表面，所述基板支架具有中心轴线；第一电极，所述第一电极安置于所述基板支架内以在将基板安置于所述支撑表面上时将RF功率提供至所述基...

本发明的一个或多个实施例涉及沉积设备，所述沉积设备包括接地顶壁、处理腔室和等离子体源组件，所述等离子体源组件具有导电中空圆柱及实质连续接地遮护板，所述接地遮护板实质顺应所述中空圆柱的形状。

本文提供了用于自动验证半导体工艺步骤的方法及设备。在一些实例中，一种用于验证半导体工艺制作方法的方法包括以下步骤：选择规则集，所述规则集描述半导体工艺工具的操作窗口；相对于所述规则集的限制核对规则来核对参数值以产生第一结果，所述参数值由...

本发明的实施方式一般提供液流电池组电池、包括多个液流电池组电池的系统，以及用于诸如通过流动及暴露阴极电解液至各种类型的阴极来改善液流电池组电池内的金属电镀的方法。在一个实施方式中，提供一种液流电池组电池，所述液流电池组电池包括由电解质膜...

本发明提供一种电子设备，该电子设备包含基板上的可变电阻存储器元件。该可变电阻存储器元件包含：(1)无定形碳层，该无定形碳层包含至少约30原子百分比的氢含量及小于约1×10-9安培的最大漏电流；以及(2)一对电极，该对电极环绕该无定形碳层...

在此提供用于在工艺腔室中控制气体流动的设备。在一些实施例中，一种设备用于在工艺腔室中控制气体流动，所述工艺腔室具有在所述工艺腔室内的处理空间与在所述工艺腔室内的泵送空间（pumping?volume），所述处理空间配置在基板支撑件上方，...

本发明实施例提供对用于化学气相沉积处理中的处理腔室部件施加表面涂层的方法与设备。一实施例中，所述设备提供喷头设备，所述喷头设备包括主体；多个延伸通过主体的导管，所述多个导管各自具有延伸至主体的处理表面的开孔；及设置于处理表面上涂层，涂层...