【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的实施例大体而言关于基板处理装置。
技术介绍
随着器件的关键尺寸持续缩小，原本在大尺寸下可能无关或不太重要的因素在较小尺寸下可变得关键。专利技术人已提供在处理基板时可促进改进的处理结果的改进的设备。
技术实现思路
本文揭示用于处理基板的设备。在一些实施例中，一种基板支架可包括:基板支架，所述基板支架具有用于支撑基板的支撑表面，所述基板支架具有中心轴线；第一电极，所述第一电极安置于所述基板支架内以在将基板安置于所述支撑表面上时将RF功率提供至基板；内部导体，所述内部导体围绕所述第一电极的与支撑表面相对的表面的中心耦接至所述第一电极，其中所述内部导体为管状，且在远离基板支架的支撑表面的方向上平行于中心轴线且围绕中心轴线从第一电极延伸；外部导体，所述外部导体围绕所述内部导体而安置；以及外部介电层，所述外部介电层安置于所述内部导体与所述外部导体之间，所述外部介电层使所述外部导体与所述内部导体电隔离。在一些实施例中，所述外部导体可耦接至电接地。在一些实施例中，DC能量可经由沿中心轴线延伸的第二导体而提供至第二电极。在一些实施例中，AC能量可经由关于中心轴线对称地安置...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.10.22 US 12/910,5471.一种基板支架，所述基板支架包含: 基板支架，所述基板支架具有用于支撑基板的支撑表面，所述基板支架具有中心轴线.第一电极，所述第一电极安置于所述基板支架内以在将基板安置于所述支撑表面上时将RF功率提供至所述基板； 内部导体，所述内部导体围绕所述第一电极的与所述支撑表面相对的表面的中心而耦接至所述第一电极，其中所述内部导体为管状，且在远离所述基板支架的所述支撑表面的方向上平行于所述中心轴线且围绕所述中心轴线从所述第一电极延伸； 外部导体，所述外部导体围绕所述内部导体而安置；以及 外部介电层，所述外部介电层安置于所述内部导体与所述外部导体之间，所述外部介电层使所述外部导体与所述内部导体电隔离。2.如权利要求1所述的基板支架，其特征在于，所述外部导体耦接至电接地。3.如权利要求2所述的基板支架，其特征在于，所述基板支架进一步包含: 导电平板，所述导电平板耦接至所述外部导体。4.如权利要求3所述的基板支架，其特征在于，所述基板支架进一步包含: 介电层，所述介电层安置于所述第一电极与所述导电平板之间。5.如权利要求4所述的基板支架，其特征在于，所述基板支架进一步包含: 第一导体，所述第一 导体在所述第一电极下方耦接至所述内部导体，所述第一导体从所述内部导体侧向延伸至从所述中心轴线离轴安置的RF功率源，所述RF功率源用以将RF功率提供至所述第一电极，其中所述导电平板安置于所述第一电极与所述第一导体之间。6.如权利要求5所述的基板支架，其特征在于，所述基板支架进一步包含: 接地层，所述接地层围绕所述第一导体而安置；以及 第二介电层，所述第二介电层安置于所述第一导体与所述接地层之间以使所述接地层与所述第一导体电隔离。7.如权利要求2所述的基板支架，其特征在于，所述基板支架进一步包含: 内部介电层，所述内部介电层安置于所述内部导体内。8.如权利要求7所述的基板支架，其特征在于，所述基板支架进一步包含: 第二电极，所述第二电极在所述第一电极上方安置于介电层中，以在将DC能量供应至所述第二电极时静电地保持安置于所述基板支架上的基板。9.如权利要求8所述的基板支架，其特征在于，所述基板支架进一步包含: 第二导体，所述第二导体沿所述中心轴线在中心安置于所述内部介电层中，且将所述第二电极耦接至DC功率源。10.如权利要求8所述的基板支架，其特征在于，所述基板支架进一步包含: 多个第三导体，所述多个第三导体安置于所述内部介电层中，其中所述多个第三导体关于所述中心轴线对称地安置；以及 多个加热器电极，所述多个加热器电极安置在所述第一电极与所述支撑表面之间，以在基板存在于所述基板支架上时响应于将AC能量施加至所述多个加热器电极而将热量提供至所述基板，其中所述多个第三导体中的各个第三导体耦接于所述多个加热器电极中的对应加热器电极。11.如权利要求10所述的基板支架，其特征在于，所述加热器电极安置于多个区域中。12.如权利要求10所述的基板...
【专利技术属性】
技术研发人员：X·林，D·A·小布齐伯格，X·周，A·恩盖耶，A·希内尔，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：
国别省市：
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