形成无氢含硅介电薄膜的方法技术

本公开的实施例一般提供在薄膜晶体管(TFT)器件中形成无氢含硅层的方法。在TFT器件、光电二极管、半导体二极管、发光二极管(LED)、有机发光二极管(OLED)或其他适合的显示器应用中，无氢含硅层可以作为钝化层、栅极介电层、蚀刻终止层或其他适合的层。在一个实施例中，在薄膜晶体管中形成无氢含硅层的方法包括：供应包括无氢含硅气体和反应气体的气体混合物进入等离子体增强化学气相沉积腔室内，其中无氢含硅气体选自由SiF4、SiCl4及Si2Cl6所组成的群组；以及在有该气体混合物存在的情况下，在基板上形成无氢含硅层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】形成无氢含硅介电薄膜的方法专利技术背景专利
本专利技术的实施例一般关于形成不含氢元素的介电薄膜的方法。更特别的是，此专利技术是关于利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺来形成无氢含硅介电层的方法。相关技术的描述显示器件已经使用于广泛的电子应用上，例如：电视、监视器、手机、MP3播放器、电子书阅读器和个人数字助理(personaldigitalassistants，PDAs)等等。显示器件一般被设计为藉由对液晶施加电场而产生所需的影像，所述液晶填补两基板之间的间隙并具有可控制介电场强度的各向异性介电常数。藉由调节传输通过基板的光量，可有效控制亮度和影像的强度、品质和功率消耗。各式各样的显示器件，例如：主动式矩阵液晶显示器(activematrixliquidcrystaldisplay，AMLCD)或主动式矩阵有机发光二极管(activematrixorganiclightemittingdiodes，AMOLED)，可应用为采用触控面板的显示装置的光源。透明非晶氧化物半导体(transparentamorphousoxidesemiconductor；TAOS)或金属氧化本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.08.20 US 61/375,6431.一种在薄膜晶体管中形成无氢含硅层的方法，包括：供应气体混合物至等离子体增强化学气相沉积腔室内，所述气体混合物包括无氢含硅气体和反应气体，其中所述无氢含硅气体选自由SiCl4及Si2Cl6所组成的群组，其中以约60：1和10：1之间的以容积计的气流比例供应所述无氢含硅气体与所述反应气体；以及在有所述气体混合物存在的情况下，在基板上形成无氢含硅层。2.如权利要求1所述的方法，其中所述反应气体选自由O2、N2O、NO2、O3、CO和CO2所组成的群组。3.如权利要求2所述的方法，其中所述无氢含硅层为氧化硅层。4.如权利要求1所述的方法，其中所述反应气体选自由NH3和N2所组成的群组。5.如权利要求4所述的方法，其中所述无氢含硅层为氮化硅层。6.如权利要求1所述的方法，其中所述反应气体选自由N2O、NO2、O2和NH3气体的组合，以及O2和N2气体的组合所组成的群组。7.如权利要求6所述的方法，其中所述无氢含硅层为氮氧化硅层。8.如权利要求1所述的方法，其中所述无氢含硅层为薄膜晶体管器件中的钝化层、栅极绝缘层、蚀刻终止层。9.如权利要求1所述的方法，其中所述无氢含硅层是介面层，所述介面层设置为邻近形成于薄膜晶体管器件中的活性层或源极-漏极金属电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔寿永，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：
国别省市：