【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术关于半导体晶圆处理系统，且更具体地是关于ー种用于将至少两种处理气体供应至半导体晶圆处理系统的反应腔室的气体分配喷头。
技术介绍
半导体晶圆处理系统通常含有处理腔室，所述处理腔室具有用于在腔室内靠近处理区域支撑半导体晶圆的基座。腔室形成部分界定处理区域的真空外売。气体分配装配件或喷头将ー种或多种处理气体提供至处理区域。可加热气体及/或为气体供应RF能，这导致分子离解。随后可混合处理气体并将所述处理气体用于在晶圆上执行某些エ艺。这些エ艺可包含用于在晶圆上沉积膜的化学气相沉积(CVD)或用于将材料从晶圆上移除的蚀刻。在一些实施例中，可将处理气体通电以形成等离子体，所述等离子体可在晶圆上执行诸如等离子体增强化学气相沉积(PECVD)或等离子体蚀刻的エ艺。在需要多种气体的エ艺中，通常在远离处理腔室且经由导管耦合至喷头的混合腔室内组合气体。气体混合物随后流动穿过导管至分配板，其中所述板含有多个孔，使得气体混合物被均匀地分配至处理区域中。当气体混合物进入处理区域时，通电的颗粒及/或中性基导致在CVD反应中在晶圆上沉积ー层材料。虽然通常有利的是在将气体释放至处理区域中...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.10.20 US 12/908,6171.一种装置，包括: 提供耦合至喷头上表面的热腔室、耦合至所述喷头下表面的处理腔室以及在所述处理腔室中的用于支撑基板的基座； 加热所述热腔室中的第一处理气体以产生中性基； 传送所述中性基从所述热腔室经过延伸穿过所述喷头的第一列孔至所述处理腔室； 传送第二处理气体经过与所述第一列孔隔离的所述喷头中的第二列孔； 将所述中性基与所述第二处理气体进行混合；以及 在所述处理腔室中的所述基板上沉积材料层。2.按权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法进ー步包括: 在所述喷头与所述基座之间施加RF功率；以及 在所述处理腔室中的所述基板上方产生等离子体。3.按权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法进ー步包含:在处理期间将所述基座冷却为低于100°c。4.按权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法进ー步包括: 从所述热腔室中的加热器产生热量； 从所述热腔室热传导所述热量经过间隔环至所述喷头；以及 在所述第二处理气体流动穿过所述喷头中的所述第二列孔的同时，加热所述第二处理气体。5.按权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法进ー步包括: 通过热传导隔离环将至所述热腔室的热量隔离至所述喷头。6.按权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置进ー步包括: 耦合至所述间隔环或嵌入在所述间隔环内的加热器。7.按权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置进ー步包括: 耦合至所述热腔室的加热器。8.按权利要求1所述的装置，其特征在于，所述热腔室包含:在所述热腔室中分配所述第一处理气体的阻隔板。9.按权利要求1所述的装置，其特征在于，所述喷头包含:所述上表面与所述下表面之间的内部体积、至所述内部体积的入口孔及第二列孔，所述第二列孔在所述下表面中供所述第二处理气体流动至所述处理腔室。10.按权利要求1所述的装置，其特征在于，所述喷头包含:多个凸起柱，所述多个凸起柱中的每ー个各自具有通孔，所述通孔与所述第一列孔对准，所述第一列孔从所述上表面延伸至所述下表面。11.按权利要求10所述的装置，其特征在于，所述多个凸起柱由陶瓷材料制成。12.一种方法,包括: 提供耦合至喷头上表面的等...
【专利技术属性】
技术研发人员：P·艾文加，S·巴录佳，D·R·杜波依斯，J·C·罗查阿尔瓦雷斯，T·诺瓦克，S·A·亨德里克森，YW·李，MY·石，LQ·夏，D·R·威蒂，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：
国别省市：
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