【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】背景本专利技术的实施例一般涉及沉积设备和沉积设备的使用方法。更具体而言，本专利技术的实施例涉及沉积设备，所述沉积设备包括连续接地遮护板，且所述接地遮护板设置在等离子体源组件的外侧。包括物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD)的各种沉积工艺用来在半导体晶片上沉积金属薄膜以形成电互连，所述金属薄膜例如是铜。在某些PVD工艺中，在诸如氩气之类的载气存在下施加高直流(D.C.)功率水平在位于晶片上方的铜靶材上。PVD工艺通常凭借极窄角度分布的离子速率使金属沉积在晶片内具有高深宽比(aspect ratio)的开口的侧壁和底壁上。如何相对于沉积在所述开口的底壁上的材料量而言在所述开口的侧壁上沉积足够材料是一个问题。另一个问题是有关如何避免因靠近开口顶部边缘处的沉积作用过快而造成开口夹合(pinch-off)。当特征结构尺寸逐渐缩小时，典型开口的深宽比(深度/宽度)会提高，而目前微电子特征结构的尺寸已缩小至约22纳米。随着缩小幅度越大，在每个开口的底壁或底部上沉积指定沉积厚度且在侧壁上沉积最小沉积厚度的任务变得更难实现。已可通过进一步缩窄离子速率角度分布、提高晶片至溅射靶...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.07.02 US 61/361,107;2011.06.30 US 13/173,1971.一种由接地侧壁和接地顶壁围成的沉积设备，所述设备包括: 处理腔室，所述处理腔室由所述接地侧壁围成，所述处理腔室具有顶板和底板； 等离子体源组件，所述等离子体源组件位于所述处理腔室的所述顶板上，且所述等离子体源组件包括导电中空圆柱和至少一个功率源，所述至少一个功率源连接至所述导电中空圆柱；和 实质连续接地遮护板，所述实质连续接地遮护板位于所述导电中空圆柱的外侧，且所述实质连续接地遮护板与所述沉积设备的所述接地侧壁和所述接地顶壁的其中一个或多个接触，所述实质连续接地遮护板的形状与所述导电中空圆柱实质共形，使得在所述导电中空圆柱与所述接地遮护板之间的空间实质上均匀一致。2.如权利要求1所述的设备，其中所述至少一个功率源通过连接杆连接至所述导电中空圆柱，所述连接杆未穿过所述连续接地遮护板。3.如前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述至少一个功率源通过所述接地顶壁内的开口而连接至所述导电中空圆柱，并且所述至少一个功率源离轴地连接至所述导电中空圆柱。4.如前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述连续接地遮护板由所述接地侧壁和所述接地顶壁整体成形而成。5.如前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述至少一个功率源包括射频功率源和直流功率源，所述射频功率源和所述直流功率源连接至所述导电中空圆柱的相反侧。6.如前述权利要求中任一项所述的设备，其中相较于在不具有所述实质连续接地遮护板的类似设备中所产生的电场而言，由射频功率源和直流功...
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