用于半导体集成制造生产线中的微型PVD模块制造技术

本发明专利技术的微型PVD模块通过采用在所述壳体与所述传输带之间设置所述滚筒组，利用所述滚筒组与壳体和所述传输带的密封连接关系，达到所述壳体与所述传输带之间的动态密封设计；通过设置移动的靶材装置，实现了靶材装置的小型化设计，大幅度的降低了整个模块的制造成本；通过所述温度检测装置实时的测定所述壳体内表面温度、测定所述靶材装置温度及测定放置于所述传输带上的半导体基板的温度，可据此控制所述靶材装置的放热量，从而保证镀膜过程中可在合理的温度下进行；另外，本发明专利技术采用所述PVD控制系统，可实现整个镀膜过程的自动化控制。因此，本发明专利技术实现了将半导体集成制造生产线中PVD镀膜工艺的微型化和模块化。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体生产设备的设计领域，尤其涉及用于半导体集成制造生产线中的微型PVD模块。
技术介绍
由于半导体集成制造的过程中需要由多个工艺分步完成，如清洗处理、干燥处理、隔离处理、PVD镀膜等等，且每一工艺步骤均需要在密闭的环境下进行，对此现有技术中通常采用集成密封制造系统，使每一步工艺在同一密闭的环境下进行。在整个半导体集成制造过程中，PVD镀膜是半导体成型的核心步骤。PVD指利用物理过程实现物质转移，将原子或分子由源转移到基板表面上的过程。在目前的半导体制造过程中，PVD镀膜技术的基本方法有真空蒸发、真空溅射和真空离子镀膜的方法。真空蒸发是指将膜材置于真空室内的蒸发源中，在高真窒条件下，通过蒸发加热使其蒸发，当蒸汽分子的平均自由程大于真空室的线性尺寸后，蒸汽状态下的原子和分子从蒸发源表面逸出后，很少受到其他分子或原子的冲击与阻碍，可直接到达被镀的基板表面上，由于基板温度较低，便凝结于其上而形成镀膜。现有技术中，半导体集成制造系统的每一工艺流程均需在密闭的环境下进行，当完成一工艺流程后，需将半导体半成本取出，以进行下一步的工艺处理，但其对取出后的空间真空度要求较高，因此造成本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于半导体集成制造生产线中的微型PVD模块，包括一壳体，其特征在于：所述壳体横向两侧分别设有供传输带通过的入口和出口，且所述传输带将所述壳体分隔成上腔与下腔，所述壳体之入口和出口处分别设有动态夹持所述传输带的滚筒组，各所述滚筒组包括贴设于传输带上侧的上滚筒和贴设于传输带下侧的下滚筒，所述壳体上还设有驱动所述滚筒组运转的第一伺服电机，所述下腔的侧壁开设有连接抽气装置的排气孔，所述排气孔设有与之适配的排气控制阀，所述下腔内设有移动靶材装置，所述下腔于所述传输带与所述靶材装置之间设有加速电磁场，该微型PVD模块还包括PVD控制系统，所述PVD控制系统包括设于所述上腔内并实时监测所述上腔内气压的气压计...

【技术特征摘要】
1.用于半导体集成制造生产线中的微型PVD模块，包括一壳体，其特征在于所述壳体横向两侧分别设有供传输带通过的入口和出口，且所述传输带将所述壳体分隔成上腔与下腔，所述壳体之入口和出口处分别设有动态夹持所述传输带的滚筒组，各所述滚筒组包括贴设于传输带上侧的上滚筒和贴设于传输带下侧的下滚筒，所述壳体上还设有驱动所述滚筒组运转的第一伺服电机，所述下腔的侧壁开设有连接抽气装置的排气孔，所述排气孔设有与之适配的排气控制阀，所述下腔内设有移动靶材装置，所述下腔于所述传输带与所述靶材装置之间设有加速电磁场，该微型PVD模块还包括PVD控制系统，所述PVD控制系统包括设于所述上腔内并实时监测所述上腔内气压的气压计，还包括测定所述壳体内表面温度、测定所述靶材装置温度及测定放置于所述传输带上的半导体基板的温度的温度检测装置，还包括控制所述第一伺服电机、所述排气控制阀、靶材装置及加速电磁场工作状态的控制器，所述控制器分别与所述第一伺服电机、排气控制阀、靶材装置、加速电磁场、气压计及温度检测装置电连接。2.根据权利要求1所述的用于半导体集成制造生产线中的微型PVD模块，其特征在于 所述靶材装置包括用于盛装靶材的加热锅、固接于所述加热锅上的加热装置及一转动的丝杆，所述加热锅或加热装置设有与所述丝杆适配的螺纹孔。3.根据权利要求2所述的用于半导体集成制造生产线中的微型PVD模块，其特征在于 所述靶材装置还包括设于所述壳体侧壁并驱动所述丝杆转动的第二伺服电机，所述第二伺服电机与所述控制器电连接。4.根据权利要求1所述的用于半导体集成制造生产线中的微型PVD模块，其特征在于 所述加速磁场包括两分别设置于所述下腔内侧壁的电磁铁。5.根据权利要求1所述的用于半导体集成制造生产线中的微...

【专利技术属性】
技术研发人员：王奉瑾，
申请(专利权)人：王奉瑾，
类型：发明
国别省市：