对称等离子体处理室制造技术

本发明专利技术提供一种对称等离子体处理室。本发明专利技术实施例提供允许极其对称的电、热和气体传导通过室的室设计。通过提供这种对称，形成在室内的等离子体自然地在设置在室的处理区域中的衬底的表面上具有改进的均匀性。这种改进的对称性以及其他室的附加情况（诸如提供操纵上下电极之间以及在气体入口和被处理的衬底之间的间隙的能力）相较于传统的系统允许对等离子体处理和均匀性更好的控制。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及用于制造其中等离子体被施加在电极之间的RF功率激发的衬底的等离子体处理设备。更具体地，本专利技术涉及为改进的等离子体均匀控制而提供电、气体流和热对称的等离子体处理室。
技术介绍
诸如平板显示器和集成电路的电子装置通过一系列处理步骤来制造，其中，层沉积在衬底上，并且沉积的材料被蚀刻为期望的图案。处理步骤通常包括物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、等离子增强CVD (PECVD)和其他等离子体处理。具体地，等离子体处理要求将处理气体混合物供应到真空处理室，并施加电或者电磁功率(RF功率)以将处理气体激发到等离子体状态。等离子体将气体混合物分解成执行期望的沉积或者蚀刻处理的离子颗粒。等离子处理遇到的一个问题是与在处理过程中在衬底的表面上建立均匀的等离子体密度相关的困难，这会导致在衬底的中心和边缘区域之间不均匀的处理。建立均匀等离子体密度的困难的一个原因涉及由于物理处理室设计的不对称而造成的固有的电、气流和热差异(skew)。这种差异不仅造成固有地、方位角的、非均匀等离子体密度，而且还难以使用其他处理变量或者“旋钮”来控制中心到边缘的等离子体均匀性。因而，存在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体处理设备，包括：盖组件和室体，其围成处理区域；以及衬底支撑组件，其设置在所述室体中，其中，所述盖组件包括：上电极，其具有一个或多个流体入口和一个或多个流体出口；多个导电配件，其中一个所述导电配件耦合到所述一个或多个流体入口和所述一个或多个流体出口中的各一者；以及多个导电塞，其耦合到上电极，其中，所述导电配件和所述导电塞围绕所述衬底支撑组件的中心轴线对称布置。

【技术特征摘要】
2011.10.05 US 61/543,5651.一种等离子体处理设备，包括: 盖组件和室体，其围成处理区域；以及 衬底支撑组件，其设置在所述室体中，其中，所述盖组件包括: 上电极，其具有一个或多个流体入口和一个或多个流体出口； 多个导电配件，其中一个所述导电配件耦合到所述一个或多个流体入口和所述一个或多个流体出口中的各一者；以及 多个导电塞，其耦合到上电极，其中，所述导电配件和所述导电塞围绕所述衬底支撑组件的中心轴线对称布置。2.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其中，所述导电塞和所述导电配件由相同材料构成。3.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其中，所述导电塞具有与所述导电配件基本相同的尺寸和形状。4.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其中，所述导电塞和所述导电配件一同限定了以所述衬底支撑组件的中心轴线为中心的环形阵列。5.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其中，所述上电极包括喷头板和传热板。6.根据权利要求5所述的等离子体处理设备，其中，所述传热板具有布置在其中的多个流体通道，所述多个流体通道与所述一个或多个流体入口和所述一个或多个流体出口流体连通。7.根据权利要求5所述的等 离子体处理设备，其中，所述喷头板具有构造成将处理气体分配到所述处理区域中的中心歧管和构造成将处理气体分配到所述处理区域中的一个或者多个外部歧管。8.根据权利要求7所述的等离子体处理设备，其中，所述盖组件还包括环形歧管，其经由多个气体管耦合到所述一个或者多个外部歧管，所述气体管围绕所述衬底支撑组件的中心轴线对称地布置。9.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，还包括: 第一致动装置，其耦合到所述衬底支撑组件...

【专利技术属性】
技术研发人员：詹姆斯·D·卡达希，哈密迪·塔瓦索里，阿吉特·巴拉克利斯纳，陈智刚，安德鲁·源，道格拉斯·A·小布什伯格，卡尔蒂克·贾亚拉曼，沙希德·劳夫，肯尼思·S·柯林斯，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：