提供了一种用于物理气相沉积的腔室(200;300;400;500;600;700;900;1000)。腔室包含外壳(210;310;410;510;610;710;910;1010)、腔门(220;320;420;520;620;720...

本发明的实施例通常包括与喷头组件一起使用之屏蔽框组件，以及具有屏蔽框组件之喷头组件，屏蔽框组件包括绝缘体，该绝缘体紧密安装围绕于真空处理腔室中之喷头的外缘。于一实施例中，喷头组件包括气体分配板以及多片式框组件，多片式框组件界定气体分配板...

本发明的实施例提供用于物理气相沉积(PVD)处理基板的改善方法和装置。在某些实施例中，物理气相沉积装置(PVD)可包括：靶材组件，所述靶材组件具有包含待沉积于基板上的源材料的靶材、反向配置于靶材背面并沿靶材的周围边缘电耦接至靶材的相对源...

一种在基板上沉积无定形碳层的方法包括下列步骤：将基板放置在处理室中；将烃源导入处理室；将重稀有气体导入处理室；以及在处理室中产生等离子体。重稀有气体选自由氩、氪、氙、及其混合物所组成的群组，并且稀有气体的摩尔流速大于烃源的摩尔流速。该方...

一种用于在基板上磁性薄膜中限定多个磁畴的方法，包含下列步骤：将该磁性薄膜涂覆以抗蚀剂；图案化该抗蚀剂，其中该磁性薄膜的多个区域实质未被覆盖住；以及将该磁性薄膜暴露于等离子体，其中等离子体离子穿透该磁性薄膜的该些实质未覆盖的区域，使得该些...

公开了在等离子体处理腔室中控制温度的方法和系统，用于大范围设定温度及减少能量消耗。冷却液回路与热源之间的温度控制由控制算法协调，该控制算法由等离子体处理模块控制器实施。该控制算法可响应于指示实际温度低于设定温度的反馈信号，而完全停止冷却...

本发明描述通过脉冲式施加加热功率和脉冲式施加冷却功率来控制等离子体处理腔室中的温度的方法和系统。在实施例中，温度控制至少部分地基于前馈控制信号，前馈控制信号源自输入到处理腔室中的等离子体功率。在另一实施例中，部分地通过耦接两个储器的被动...

本发明提供一种适于用以测试或处理基板的系统的基板支撑件单元。该基板支撑件单元包含：支撑件台桌，该支撑件台桌具有至少一个基板承载件结构，该基板承载件结构适于支撑基板，该基板承载件结构相对于接地端为电气浮置。

提供了用于在处理腔室中制造半导体器件的方法。在一个实施例中，一种方法包括下列步骤：在衬底上沉积第一基底材料，第一基底材料具有第一组互连特征；以可灰化材料填充第一组互连特征的上部；平坦化第一基底材料的上表面，使得填充在第一组互连特征中的可...

提供用于以富含硼的膜处理基板的方法。将富含硼的材料的经图案化层沉积在基板上，且所述富含硼的材料的经图案化层可用来作为蚀刻终止物。通过改变化学成分，可针对不同的蚀刻化学物质来最优化富含硼的材料的选择性及蚀刻速率。可将富含硼的材料以多层沉积...

使用包含有BDEAS及诸如臭氧之类的含氧气体的工艺气体将二氧化硅层沉积在衬底上。二氧化硅层可为包含有抗蚀剂层的抗蚀刻叠层的一部分。在另一方面中，将二氧化硅层沉积到穿孔中以形成用于硅通孔的氧化物衬垫。

本发明涉及快速衬底支撑件温度控制。本发明提供用于控制衬底支撑件温度的方法和设备。在部分实施例中，用于控制衬底支撑件的温度的设备包括第一热传递回路和第二热传递回路。第一热传递回路具有第一浴槽，且该第一浴槽具有处于第一温度的第一热传递流体。...

本发明提供用于基板的等离子体处理的方法与装置。处理腔室具有基板支撑件与面向该基板支撑件的盖组件。该盖组件具有包括电感应线圈的等离子体源，该电感应线圈被配置于导电平板内，该导电平板可包括被嵌套的导电环。该电感应线圈与导电平板实质上共平面，...

一种抛光垫包括：抛光层，该抛光层具有抛光表面；粘着层；该粘着层位于抛光层的一侧而与抛光表面相对；以及固态光透射窗，该固态光透射窗延伸穿透抛光层并成型于抛光层。固态光透射窗具有上方部分，该上方部分具第一横向尺寸，固态光透射窗并具有下方部分...

本文所述实施例关于自基板移除材料。更明确地，本文所述实施例关于经由化学机械研磨处理研磨或平坦化基板。一实施例中，提供基板的化学机械研磨(CMP)方法。方法包括将基板暴露于研磨液，基板上形成有导电材料层，且研磨液包括磷酸、一或更多螯合剂、...

本发明提供用于在形成太阳能电池期间沉积非晶和微晶硅膜的装置和方法。在一个实施例中，提供方法和装置以产生氢自由基并将氢自由基直接引导至处理室的处理区域中以与含硅前驱体反应而在衬底上进行膜沉积。在一个实施例中，氢自由基由远程等离子体源产生并...

在此所揭露的实施例一般涉及PECVD装置。当RF功率源在多个位置耦接至电极时，在多个位置上的电流和电压可以是不同的。为了确保电流和电压二者在多个位置基本相同，RF电桥组件可刚好在与电极的连接之前的位置上耦接在多个位置之间。RF电桥组件使...

本发明实施例大致提供在太阳能电池基板上形成多层背面钝化层的方法。方法包括在p-型掺杂区的背面上形成净电荷密度小于等于2.1x?1011库伦/平方厘米的氧化硅子层，该p-型掺杂区形成于包括半导体材料的基板中，并在氧化硅子层上形成氮化硅子层...

一种控制研磨的方法包括以下步骤：研磨基板；以及接收选定光谱特征的识别、具有宽度的波长范围，及该选定光谱特征的特性以在研磨期间进行监视。在研磨该基板的同时测量来自该基板的光的一系列光谱。根据该系列光谱产生该选定光谱特征的该特性的一系列值。...

本发明描述一种用于在抛光工艺中控制施加于基板的压力和力的方法和设备。在一个实施方式中，描述一种拋光系统。系统包括可旋转地布置在基座上的压板和垫压力施加器，所述压板具有侧壁和布置在所述压板上的抛光垫以形成内部体积，所述垫压力施加器布置在压...