通过冷却剂流量控制及加热器任务周期控制的组件温度控制制造技术

公开了在等离子体处理腔室中控制温度的方法和系统，用于大范围设定温度及减少能量消耗。冷却液回路与热源之间的温度控制由控制算法协调，该控制算法由等离子体处理模块控制器实施。该控制算法可响应于指示实际温度低于设定温度的反馈信号，而完全停止冷却液流入温度受控组件。该控制算法还可在工艺配方执行期间至少部分基于前馈控制信号，该前馈控制信号源自输入到该处理腔室中的等离子体功率或等离子体功率变化。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】通过冷却剂流量控制及加热器占空比控制的组件温度控制相关申请的交叉引用本申请要求公元2010年5月27日提交的、名称为“COMPONENTTEMPERATURECONTROLBYCOOLANTFLOWCONTROLANDHEATERDUTYCYCLECONTROL”的美国临时专利申请第61/349,073号，以及2011年3月3日提交的、名称为“COMPONENTTEMPERATURECONTROLBYCOOLANTFLOWCONTROLANDHEATERDUTYCYCLECONTROL”的美国临时专利申请第13/040,149号的权益；这些申请通用地以引用的范式全部并入本文。1)
本专利技术的实施例通常涉及等离子体处理设备，并且更具体地涉及在具有等离子体处理腔室的情况下、在处理工件期间控制温度的方法。2)相关技术在诸如等离子体蚀刻或等离子体沉积腔室等的等离子体处理腔室中，腔室组件的温度往往是工艺控制的重要参数。例如，基板支撑器(俗称夹盘或基座)的温度可以被控制为在工艺配方期间将工件加热/冷却至不同控制温度(例如，用以控制蚀刻速度)。同样地，在工艺配方期间，也可控制喷淋头/上电极或本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.05.27 US 61/349,073;2011.03.03 US 13/040,1491.一种用于控制等离子体处理腔室组件温度的方法，所述方法包含以下步骤：产生反馈信号，所述反馈信号指示所述腔室组件温度低于设定温度；以及响应于所述反馈信号，将所述处理腔室与散热器之间的冷却液流量减至零流率，其中所述散热器在所述处理腔室外部，其中通过将冷却液控制阀的脉宽调制占空比调至0％而将所述流率减至零。2.如权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：当所述处理腔室处于执行等离子体工艺配方的作用状态时，决定输入到所述处理腔室的等离子功率；以及利用基于所输入的等离子体功率的前馈控制信号控制所述冷却液流量。3.如权利要求2所述的方法，还包括以下步骤：利用基于所输入的等离子体功率的前馈控制信号，控制输入到所述腔室组件的加热功率。4.如权利要求3所述的方法，其中控制所述冷却液流量和所述加热功率输入的步骤还包括以下步骤：在所述等离子体工艺配方中的执行步骤的第一部分期间，应用第一增益值组，所述第一增益值组与等离子体输入功率和执行配方步骤的所述设定温度配对的关键值相关联，其中增益值组至少包括前馈控制信号增益和反馈控制信号增益。5.如权利要求4所述的方法，其中控制所述冷却液流量和所述加热功率输入的步骤还包括以下步骤：在执行配方步骤的第二部分期间，应用瞬变增益值组，所述瞬变增益值组与所述执行步骤和后续等离子体工艺配方步骤之间的等离子体输入功率的变化以及所述设定温度的变化配对的关键值有关。6.如权利要求5所述的方法，其中所述瞬变增益值组取决于所述腔室组件温度和所述设定温度的变化应用一段持续时间。7.如权利要求4所述的方法，其中控制所述冷却液流量和所述加热功率输入的步骤还包括以下步骤：在执行配方步骤的第二部分期间，由查表决定冷却液流量占空比或加热功率输入。8.如权利要求2所述的方...

【专利技术属性】
技术研发人员：科坦·马哈德斯瓦拉萨瓦米，卡尔蒂克·拉马斯瓦米，布赖恩·廖，塞吉奥·秀吉，达·D·源，汉密第·诺巴卡施，大卫·帕拉加斯维勒，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：
国别省市：