【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施例一般涉及半导体的处理,并且更特定地涉及用于控制衬底支撑件的温度的设备。
技术介绍
随着半导体组件的关键尺寸(critical dimension)持续缩减,对于能够在窄的制程范围(process window)内均匀处理半导体衬底的半导体制程设备的需求也随之增加。举例来说,在许多例如蚀刻、沉积或其类似者的制程过程中,在制程过程中的衬底温度对于制程控制(例如蚀刻衬底到一适当深度或尺寸)是关键因素。·在半导体制程腔室中,可以通过温度控制设备以控制或维持衬底的温度。该设备可以例如包括有能量交换系统,其中能量交换介质循环通过衬底支撑件。通过使用此系统,衬底支撑件可以被冷却和/或加热到期望温度。不幸的,由于能量交换系统的温度的缓慢升温和降温的时间,在单个制程步骤过程中改变衬底的温度不是可行的。此外,由于上述的缓慢升温和降温时间,所以在制程步骤之间改变温度也是耗费时间的。因此,在本领域中需要一种能够将衬底更快速地冷却或加热到期望温度的设备。
技术实现思路
本专利技术提供用于控制衬底支撑件的温度的方法和设备。在部分实施例中,用于控制衬底支撑件的温度的设备包括第一热传递回 ...
【技术保护点】
一种用于控制衬底支撑件的温度的设备,包括:第一热传递回路,其具有第一浴槽,所述第一浴槽具有处于第一温度的第一热传递流体,并利用第一流量控制器来将所述第一热传递流体提供到所述衬底支撑件;第二热传递回路,其具有第二浴槽,所述第二浴槽具有处于第二温度的第二热传递流体,并利用第二流量控制器来将所述第二热传递流体提供到所述衬底支撑件;以及一个或多个回流管路,其将所述衬底支撑件的一个或多个出口耦接到所述第一浴槽和所述第二浴槽,来使得所述第一热传递流体和所述第二热传递流体回流到所述第一浴槽和所述第二浴槽,其中,所述第一热传递流体和所述第二热传递流体在进入所述衬底支撑件之前不混合,并且其中 ...
【技术特征摘要】
2008.06.03 US 12/132,1011.一种用于控制衬底支撑件的温度的设备,包括 第一热传递回路,其具有第一浴槽,所述第一浴槽具有处于第一温度的第一热传递流体,并利用第一流量控制器来将所述第一热传递流体提供到所述衬底支撑件; 第二热传递回路,其具有第二浴槽,所述第二浴槽具有处于第二温度的第二热传递流体,并利用第二流量控制器来将所述第二热传递流体提供到所述衬底支撑件;以及 一个或多个回流管路,其将所述衬底支撑件的一个或多个出口耦接到所述第一浴槽和所述第二浴槽,来使得所述第一热传递流体和所述第二热传递流体回流到所述第一浴槽和所述第二浴槽, 其中,所述第一热传递流体和所述第二热传递流体在进入所述衬底支撑件之前不混合,并且其中,所述一个或多个回流管路包括将所述衬底支撑件耦...
【专利技术属性】
技术研发人员:理查德·弗威尔,保罗·比瑞哈特,桑·音·伊,安尼苏尔·H·卡恩,吉维克·帝尼威,谢恩·奈威尔,
申请(专利权)人:应用材料公司,
类型:发明
国别省市:
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