提供了一种用于调整CMP系统中的抛光垫片的方法与设备。在一具体实施例中，一种用于调整抛光垫片的方法包含：对调整盘施加向下力，该向下力推进该调整盘抵住该抛光垫片；测量使该调整盘刮扫该抛光垫片所需的力矩；比较所测量的力矩与模式化力轮廓(MF...

本文提供形成薄膜电池的电化学层的方法与设备。将包括散布于携带媒介的电化学活性前体微粒的前体混合物提供至处理腔室，并利用亦提供至腔室的可燃气体混合物进行热处理。通过热能将前体转换成纳米晶体，并将纳米晶体沉积于基板上。当纳米晶体沉积于表面上...

在此描述的是根据实施例的示范性方法及设备，该方法及设备用于制造气体分配喷洒头组件。在实施例中，方法包括提供气体分配板，该气体分配板具有第一组通孔，第一组通孔用于将处理气体输送进入半导体处理腔室。第一组通孔位于板(例如铝基板)的背侧上。该...

提供一种在衬底上沉积低介电常数层的方法。在一个实施例中，所述方法包括将一种或更多种有机硅化合物引进腔室，其中所述一种或更多种有机硅化合物包含硅原子和成孔剂成分；在存在射频功率的情况下，使所述一种或更多种有机硅化合物反应而在腔室内的衬底上...

本发明的实施例提供了用于蚀刻的方法。在一个实施例中，提供了一种用于在等离子蚀刻反应器中蚀刻衬底的方法，包括以下步骤：使背侧处理气体在衬底与衬底支撑组件之间流动；并循环地蚀刻衬底上的层。

本发明提供用于沉积工艺的方法和设备。在部分实施例中，一种设备可包括基板支撑件，所述基板支撑件包括：基座板，所述基座板具有凹穴和唇部，所述凹穴设置在基座板的上表面中，所述唇部形成在所述上表面中，且所述唇部外接所述凹穴，而所述唇部配置以将基...

本发明揭示了一种快速热处理腔室，所述快速热处理腔室具有灯具驱动电路，灯具驱动电路包含两个晶体管和两个二极管。快速热处理腔室包含多个卤素灯具、灯具驱动器、测量晶片温度的温度传感器以及连接至温度传感器和灯具驱动器的温度控制器，温度控制器提供...

本发明的实施例关于形成微电子结构。对于下一代32纳米的技术节点，低k电介质材料需要呈现低于约2.6的电介质常数。本发明能利用此低k电介质材料来形成半导体装置，同时提供改善的整体微电子结构的弯曲与剪切强度整合性。

本发明的具体实施例大体上提供等离子体蚀刻制程腔室的改良。提供了一种改良的气体注射喷嘴，其可于腔室盖体的中央位置处使用。气体注射喷嘴可用于现有等离子体蚀刻腔室中，并经配置以提供一连串的圆锥状气体流遍及布置于腔室内之基材的表面。在一个具体实...

本发明的实施例涉及用于以改良的等离子体离解效率将处理气体提供至处理腔室的方法和设备。本发明的一个实施例提供挡板喷嘴组件，该挡板喷嘴组件包括外部主体，外部主体限定连接至处理腔室的延伸容积。处理气体经过延伸容积流至处理腔室，延伸容积暴露至用...

本文在此描述用于决定虚拟量测的适应性预测算法的方法、装置和系统。在一些具体实施例中，一种计算机可实施方法识别多个预测算法。该方法决定：何时使用多个预测算法的一个或多个来预测在制造设备(manufacturing?facility)中的一...

本发明的实施方式涉及在原子层沉积工艺期间在基板上沉积材料的设备和方法。在一种实施方式中，腔室盖组件包含：通道，所述通道具有上部和，其中所述通道沿着中心轴延伸；壳体，所述壳体具有内部区域并至少部分界定两个或更多个环状通道的壳体；插入件，所...

一种物理气相沉积反应器包含一真空腔室、一耦接到腔室上的真空泵、一耦接到腔室的工艺气体入口以及一耦接到工艺气体入口的工艺气体源；其中该真空腔室包含一侧壁、一顶板与接近腔室底面的一晶片支撑底座。金属溅射靶材位于顶板上且高压直流源耦接到溅射靶...

基板清洁室包括具有拱形表面的轮廓顶电极，所述拱形表面面对基板支撑件且具有可变的横截面厚度，以改变拱形表面与基板支撑件之间的间隙大小好提供横跨基板支撑件的可变的等离子体密度。清洁室的介电环包括底部、脊部以及覆盖基板支撑件的外围唇部的径向向...

本发明所述实施例提供用于制造充电更快、容量更高的能量储存装置的方法与系统，该能量储存装置更小、更轻并可在高生产率下更具成本效益地加以制造。一实施例中，提供分段阴极结构。分段阴极结构包括导电基板；形成于导电基板上的第一孔状层，该第一孔状层...

本发明描述形成氧化硅层的方法。本方法包括以下步骤：将不含碳的含硅前驱物与氮自由基前驱物进行混合，以及在基板上沉积含硅及氮的层。通过使含氢及氮的前驱物流至等离子体中，在等离子体中形成氮自由基前驱物。在沉积含硅及氮的层之前，形成氧化硅衬垫层...

本发明提供用于气体散布组件的设备与方法。在一方面中，提供一种气体散布组件，其包含：环形本体，其包含：环形圈，其具有内环形壁、外壁、上表面与底表面；上凹部，其形成到该上表面内；及座部，其形成到该内环形壁内；上板，其设置在该上凹部中且包含：...

本发明描述了一种用来形成氧化硅层的方法。所述方法可以包括以下步骤：将无碳的含硅前体与自由基-氮-和/或-氢前体混合，并在基材上沉积含硅-氮-和-氢的层。然后通过在含臭氧的气氛中进行低温退火(“固化”)来引发所述含硅-氮-和-氢的层向含硅...

用于利用减小的控制器响应时间和增加的稳定性来控制等离子体处理室中的温度的方法和设备。温度控制至少部分地基于从进入等离子体处理室的等离子体功率输入得到的前馈控制信号。对于归因于等离子体功率的温度干扰进行补偿的前馈控制信号可以与消除所测量的...

本发明的实施例大体包括一种处理装置，其利用压缩空气在生产线中的不同操作位置或工作站之间夹持并移动衬底。该处理装置包括夹持端，该夹持端经成形以便界定空心底座区域，在该空心底座区域中实现次大气压，以使得邻近定位的衬底被推向设置于该空心底座区...