本发明公开了用于双腔室处理系统的方法和设备，并且在一些实施例中，该设备可包括：第一工艺腔室，所述第一工艺腔室具有第一真空泵以维持第一处理空间中的第一操作压力，其中所述第一处理空间可通过布置在所述第一处理空间与所述第一真空泵之间的第一闸阀...

本发明公开了用于双腔室处理系统的方法和设备，并且在一些实施例中，该设备可包括第一工艺腔室和第二工艺腔室以及多个共享资源，多个共享资源介于第一与第二工艺腔室之间，第一工艺腔室与第二工艺腔室具有独立处理空间。在一些实施例中，共享资源包括共享...

本发明提供了具有共享资源的工艺腔室及其使用方法。在一些实施例中，基板处理系统包括第一工艺腔室，该第一工艺腔室具有布置在第一工艺腔室中的第一基板支撑件，其中第一基板支撑件具有第一加热器和第一冷却板，以控制第一基板支撑件的温度；第二工艺腔室...

在大面积等离子体工艺系统中，工艺气体经由喷气头组件而导入腔室中，而喷气头组件可作为RF电极驱动。接地的气体供应管与喷气头为电性隔离。气体供应管不但提供工艺气体，还提供来自远程等离子体源的清洁气体至工艺室。气体供应管的内侧可以维持在低RF...

本发明涉及具有氧化涂层的抗腐蚀、含钇金属的等离子体室部件，描述一种可抵抗由化学活性等离子体所导致的侵蚀或腐蚀的物体以及制造该物体的方法。该物体包括金属或金属合金衬底，该衬底的表面上具有涂层，且该涂层为金属或金属合金的氧化物。该氧化物涂层...

本发明的实施例大体上提供等离子体源设备及该等离子体源设备的使用方法，通过使用电磁能量源，该等离子体源能够在等离子体生成区域中生成自由基及/或气体离子，而等离子体生成区域是对称地定位在磁性核心元件周围。大体而言，等离子体生成区域和磁性核心...

本发明的实施方式一般来说涉及锂离子电池，且更明确地说，涉及用于使用形成三维结构的薄膜工艺来制造这些电池的系统和方法。在一个实施方式中，提供一种用于形成能量存储装置的阳极结构。所述阳极结构包括：柔性导电基板；多个导电微结构，所述多个导电微...

本发明提供一种用以形成太阳能电池的方法与设备。在一个实施例中，光伏装置包括：抗反射涂覆层，其设置在衬底的第一表面上；阻挡层，其设置在衬底的第二表面上；第一透明导电氧化物层，其设置在阻挡层上；导电接触层，其设置在第一透明导电氧化物层上；第...

本发明的实施例提供一种传送机械手，所述传送机械手具有与所述传送机械手附接的冷却板，用于在处理腔室与负载锁定腔室之间传送时冷却基板。在一个实施例中，冷却板是单一、大面积的冷却板，所述冷却板在正被传送的基板下方附接至所述传送机械手。在另一实...

本发明提供了用于衬底处理系统的锁止室，其至少包括适合于提供锁止室的内部部分与大气压或超压的流体连通的第一管道。此外，锁止室至少包括用于控制室的内部部分与大气压或超压的流体连通的流率的第一控制阀，其中，控制阀适合于连续地控制流率。此外，提...

本案描述用以形成介电层的方法。所述方法包含混合含硅前驱物及等离子体流出物的步骤，以及在基板上沉积含硅及氮的层的步骤。通过在用来沉积所述含硅及氮的层的同一基板处理区域内在含臭氧气氛中进行固化，使所述含硅及氮的层转化成含硅及氧的层。可在所述...

本发明的实施例考量一种遮蔽环，该遮蔽环在晶圆的边缘上提供增加的或减少的且更均匀的沉积。通过从该遮蔽环的顶表面和/或底表面移除材料，可实现增加的边缘沉积及斜面覆盖率。在一个实施例中，通过在该底表面上提供凹陷狭槽，来减少该底表面上的材料。通...

提供用于同时处理多个基板的方法与设备。每个基板可具有将被处理的两个主活性表面。设备具有基板搬运模块与基板处理模块。基板搬运模块具有负载组件、翻转组件与工厂接口。基板在负载组件处设置在基板载具上。翻转组件是用来在需要两侧处理的情况下翻转基...

本实用新型公开了碱金属和碱土金属的沉积系统，包括金属溅射靶、基板固定器和多个功率源，金属溅射靶包括冷却通道，基板固定器配置成保持基板面对且平行于金属溅射靶，多个功率源配置成将能量施加至在基板和金属溅射靶之间点燃的等离子体。靶可具有盖，盖...

本发明的实施例通常涉及使用处理模组用以形成太阳能电池器件的系统，其中该处理模组经调整以在形成太阳能电池器件时执行一个或多个工艺。在一实施例中，该系统经调整以形成薄膜太阳能电池器件，这是通过接收大型未处理的基板和执行多重沉积、材料移除、清...

提供用于调节CMP系统中的研磨垫的设备与方法。在一实施例中，提供一种用于研磨基材的设备。此设备包含可旋转平台与调节装置，该可旋转平台与调节装置耦接到基座。调节装置包含轴杆，该轴杆藉由第一马达可旋转地耦接到基座。可旋转调节头藉由臂耦接到轴...

本发明的实施例涉及用于改善研磨制程的均匀性的设备与方法。本发明的实施例提供加热机构或冷却机构或偏压加热机构，加热机构设以在研磨期间施加热能到基材的周围，冷却机构设以在研磨期间冷却基材的中心区域，偏压加热机构设以在研磨垫的给定半径上产生温...

本文描述一种用以监控一固定环的表面状况的方法及设备，其中该固定环设置在一研磨模组中的一载具头上。在一实施例中，提供一种设备。该设备包括：一载具头，载具头可在基材被固定在载具头中时移动于介于用来研磨基材的至少一个研磨站之间的一行进路径中；...

本发明的实施例一般关于化学机械研磨基材的方法。该方法一般包含：将待研磨的第一基材耦接至伪基材；及移除第一基材背侧的部分以减少第一基材的厚度。第一基材及伪基材系置于承载头组件中，该承载头组件包括可膨胀膜及支撑环。第一基材系放置与研磨垫接触...

本发明描述了一种方法及设备，用于促进研磨垫的研磨表面的均衡调节。此设备包括延伸装置，此延伸装置耦接至邻近研磨垫的外周边缘的基部，且所述研磨垫调适成支撑调节装置；此延伸装置包括主体，此主体可相对于所述研磨垫移动，及耗蚀性衬垫，此耗蚀性衬垫...