本发明的具体实施例提供了用以在多层沉积期间减少缺陷的方法。在一个具体实施例中，所述方法包括下列步骤：在等离子体存在下，使基板暴露于第一气体混合物和惰性气体，以在基板上沉积第一材料层；当第一材料的期望厚度达到后，终止第一气体混合物，同时仍...

本发明提供了一种用于制造太阳能电池组件的方法和相关系统。方法的实例包括：形成一系列层，并在形成与任意隔离线相关的特征之前在所述层中刻划一系列对准的互联线。与现有的方法相比，所述方法的实例提供连续刻划的互联线的使用，在所述现有的方法中，至...

本发明大体上提供形成高效率太阳能电池组件的方法，所述方法是通过制备表面和/或在含硅基板上形成至少一部分的高质量钝化层来完成的。本发明实施例尤其有益于制备形成在硅基板上的p-型掺杂区的表面，从而可在所述表面上形成高质量钝化层。在一个实施例...

在此描述在基板上形成高电流密度的垂直P-I-N二极管的方法。所述方法包括以下步骤：同时将含四族元素的前驱物结合依序式的暴露，所述依序式的暴露是以任一次序对n型掺杂剂前驱物及p型掺杂剂前驱物暴露。通过减少或消除掺杂剂前驱物的流动同时流入含...

本发明大体上关于薄膜晶体管(TFT)以及制做TFT的方法。TFT的有源沟道可包含一种以上的金属，这些金属选自由锌、镓、锡、铟及镉所构成的群组。有源沟道亦可包含氮及氧。为了在源极-漏极电极图案化期间保护有源沟道，可沉积蚀刻停止层于有源层上...

提供了一种用于在基板上形成结晶半导体层的设备与方法。半导体层是通过气相沉积形成的。执行脉冲激光熔融/再结晶工艺以将半导体层转化成结晶层。将激光或其它电磁辐射的脉冲形成为脉冲串并且在处理区的上方均匀分布，并且将连续的邻近处理区暴露给所述脉...

本发明提供在过程腔室中使用的可重置的喷洒头。在一些实施例中，一种可重置的喷洒头可包括：主体，具有设置在其中的一或多个充气部；以及一或多个插入件，配置而设置在一或多个充气部内，其中一或多个插入件将可重置的喷洒头区分为多个区。在一些实施例中...

本发明大致提供形成LED构造的设备与方法。选择蓝宝石基板的一实施例中，块状III族-氮化物的生成可沉积于HVPE或MOCVD腔室中，而分隔处理腔室(诸如，PVD、MOCVD、CVD或ALD腔室)可用来在较低生成速率下生成缓冲层于蓝宝石基...

本文提供用于在衬底处理系统的前级管路中对排放气体进行处理的方法与设备。在一些实施例中，一种用于在衬底处理系统的前级管路中对排放气体进行处理的设备包括：等离子体源，其联接至处理腔室的前级管路；反应物源，其联接至等离子体源的上游的前级管路；...

本发明公开一种用以在磁性存储基板中形成磁性图案的设备。腔室包含：界定内部空间的腔室壁；在所述腔室的所述内部空间中的基板支座；在所述腔室的面对所述基板支座的壁区域中设置的气体散布器；用以将提供至所述腔室的工艺气体的一部分离子化的小型能量源...

本发明是揭示用于化学机械研磨的光谱基底监测的设备与方法，包含光谱基底终点侦测、光谱基底研磨速率调整、冲洗光学头的上表面、或具有窗口的垫片。该光谱基底终点侦测依经验法则为特定光谱基底终点判定逻辑选用一参考光谱，因此当应用该特定光谱基底终点...

本发明一般包括用于与腔室相接的浮动(floating)狭缝阀。浮动狭缝阀相对于另一对象(例如腔室)而移动或“浮动(float)”。狭缝阀可耦接于两个腔室之间。当耦接至狭缝阀的腔室加热时，狭缝阀亦可因传导而被加热。当狭缝阀被加热时，狭缝阀...

本发明提供了一种在高温下蚀刻高-K材料的方法。在一个实施方式中，在衬底上蚀刻高-K材料的方法可以包括将其上沉积有高-K材料层的衬底提供给腔室，利用蚀刻腔室中至少含有含卤素气体的蚀刻气体混合物形成等离子体，保持蚀刻腔室的内部体积表面的温度...

提供在基板上的磁敏感表面上形成包括磁畴及非磁性磁畴的图案的工艺与设备。在一个实施例中，一种在设置于基板上的磁敏感材料上形成多个磁畴的图案的方法包括：暴露磁敏感层的第一部分至由气体混合物形成的等离子体历时一段足够的时间，以将经由遮蔽层暴露...

本发明的实施例大致关于形成能量储存装置的方法与设备。更明确地，本文所述实施例关于形成电池与电化学电容器的方法。一实施例中，提供用于能量储存装置中的高表面积电极的形成方法。该方法包括在具有导电表面的集电器上形成非晶硅层、将非晶硅层浸入电解...

本文描述了一种用于自动纠正和预测性维护的方法和系统。在一个实施例中，接收与工具相关联的故障通知，其中故障通知指示关于工具的一个或多个故障。获取与工具相关联的维护数据，其中维护数据包括关于工具的一个或多个故障。通过融合故障通知和维护数据来...

本发明描述对大体上呈垂直定向的基板进行等离子体处理的方法和设备。基板被定位在承载件上，所述承载件包括至少两个大体上垂直定向的框架。所述承载件设置在等离子体腔室中，所述等离子体腔室具有定位在基板间的天线结构。多个等离子体腔室可耦接至具有转...

本发明的实施例大致上关于TFT及其制造方法。在此揭示的TFT是硅系TFT，其中有源沟道包含非晶硅。多个掺杂硅层沉积在非晶硅上方，其中掺杂硅层的电阻率在和非晶硅层的界面处比在和源极及漏极电极的界面处更高。替代地，单一掺杂硅层沉积在非晶硅上...

在此描述一种蚀刻含硅及碳的材料的方法，所述方法包括结合反应性氧流的SiConiTM蚀刻。反应性氧可在SiConiTM蚀刻之前导入，从而减少接近表面区域处的碳含量，并且使SiConiTM蚀刻得以更快速进行。或者，反应性氧可在SiConiT...

本发明描述了具有低破裂倾向的间隙填充氧化硅层的形成。沉积涉及可流动含硅层的形成，该可流动含硅层促进沟槽的填充。在高基板温度下的后续处理造成比根据现有技术方法所形成的可流动膜少的介电膜中的破裂。描述了在形成间隙填充氧化硅层之前所沉积的可压...