说明了一种用于在一或更多载具头中不设有基板时模拟正于每个平台站的多载具头中进行研磨的一基板的方法与设备。在一实施例中，一种用于处理一基板的方法包含：提供一单一基板至一研磨站，该研磨站用以利用至少一第一载具头与一第二载具头而于一单一研磨垫...

本发明实施例系关于利用圆盘刷清洁基板的设备与方法。一实施例提供基板清洁器，其包括配置于处理空间中的基板夹盘以及配置于处理空间中的刷具组件，其中刷具组件包括与基板夹盘相对且可移动地配置的圆盘刷，且圆盘刷的处理表面接触基板夹盘上基板的表面。

本发明涉及一种以高处理量检测一物体(8)(例如标线板或光掩模)的检测系统(10)及方法，该系统与方法可形成并感应穿透和/或反射短周期光束(short?duration?beams)(15、17)。根据本发明一具体实施例可同时形成及感应该...

本发明揭露一种制程腔室（20），其系在酸性环境（如硫酸）且选择性配合氧化剂（如过氧化氢），利用直接照射红外线以移除固化之光致抗蚀剂，制程腔室包括一晶片承载单元（26），其系承载并较佳可旋转晶片；一红外线产生组件（126）包括复数红外线灯...

本发明所述的实施例关于在化学机械抛光制程中检测目标基板的终点的方法。在一个实施例中，该方法包括以下步骤：以第一薄膜移除速率抛光一或多个参考基板以提供参考光谱；以第二薄膜移除速率抛光一或多个目标基板以提供一或多个目标基板的当前光谱，其中第...

本发明提供具有受控沟道应变和结电阻的NMOS晶体管及NMOS晶体管的制造方法。在一些实施方式在中，用于形成NMOS晶体管的方法可以包括(a)提供具有p型硅区域的衬底；(b)在所述p型硅区域上沉积硅晶种层；(c)所述硅晶种层上沉积含硅体层...

本发明描述形成介电层的方法。本方法可包括以下步骤：混合含硅前驱物与氮自由基前驱物，以及沉积介电层至基板上。氮自由基前驱物在远端等离子体中藉由将氢(H2)及氮(N2)流动至等离子体中以便允许调整氮/氢比例所形成。介电层起初为含硅及氮层，所...

本发明描述一种蚀刻含硅材料的方法，该方法包含相较于先前技术具有较大或较小的氢氟流速比的SiConiTM蚀刻。已发现以此方法改变流速比可降低蚀刻后表面的粗糙度，以及降低稠密图案化区域与稀疏图案化区域的蚀刻速率差异。其他降低蚀刻后表面粗糙度...

本发明涉及使用金属浆料金属化的正面触点太阳能电池制造。本发明的实施例想到使用新颖方法形成太阳能电池装置的金属触点结构来形成高效太阳能电池。在一个实施例中，太阳能电池装置包括：衬底，其包括掺杂半导体材料；形成在衬底上的表面，表面具有第二掺...

提供一种用于形成粗糙化的波长选择反射层的方法和设备。在一个实施例中，形成太阳能电池器件的方法包括在形成于基板上的第一p-i-n结和第二p-i-n结之间形成波长选择反射层，并对波长选择反射层进行后处理工艺以形成粗糙度大于20nm的不均匀表...

本发明描述用以在一图案化基材上形成高密度间隙填充氧化硅的处理。此处理增加间隙填充氧化硅的密度，尤其是在窄沟槽中的浓度。也可增加宽沟槽与凹陷开放区域中的密度。在处理后，窄沟槽与宽沟槽/开放区域中的间隙填充氧化硅的密度变得更近似，这容许蚀刻...

本发明大致上涉及用于处理基板的方法与设备。本发明的实施例包括用于处理基板的设备，该设备包括动态热沉，该动态热沉对于来自辐射热源的光是实质上透明的，该动态热沉定位成靠近该基板而使两者耦接。本发明的额外实施例涉及使用所描述的设备来处理基板的...

描述形成氧化硅层的方法。方法包括将自由基前体与自由基氧前体两者同时与不含碳的含硅前体结合的步骤。自由基前体与含硅前体之一包含氮。方法造成沉积含硅-氧-与-氮层于基板上。接着提高含硅-氧-与-氮层的氧含量以形成可能含有非常少量氮的氧化硅层...

本发明描述以实质垂直的定向等离子体处理基板的方法与设备。基板定位在包含至少两个实质垂直定向的框架的承载件上。承载件设置在等离子体腔室中，等离子体腔室具有定位于基板间的天线结构。多个等离子体腔室可耦合至具有转盘的移送腔室，以将承载件引导至...

一种用于基板的薄膜处理的磁性处理组件，一种用于组装和拆卸阴影掩膜以覆盖工件的顶部以暴露于处理条件的系统和方法。所述组件可包括：磁性处理载体以及阴影掩膜，所述阴影掩膜设置于所述磁性处理载体上方并磁性耦合至所述磁性处理载体，以覆盖当暴露于处...

本发明提供用于电子装置制造系统的增强控制的方法和装置。在一些实施例中，集成辅助生产层系统可以经由装置的开放平台而使用以太网和/或RS232串行通信，以在电子装置制造期间实现减少的碳足迹。对于本示例，系统可以包括处理工具集和控制器，处理工...

提供用于增强控制、监测和记录电子装置制造系统的引入化学物和功率使用以及排放的方法和设备。在一些实施例中，集成辅助生产层系统可以监测辅助生产层装备的能源使用。对于系统，工具可以进入许多不同深度的能源节约模式中，例如空闲(浅层能源节约，其中...

本发明大体上涉及诸如用于电致变色窗(ECW)中的电致变色(EC)器件及其制造方法。EC器件可能包含：透明基板；第一透明导电层；经掺杂的变色层，其中所述变色层掺杂剂提供所述变色层中的原子排列的结构稳定性；电解质层；在所述电解质层上的经掺杂...

已经研发了显著降低部件的吸湿性的处理，得到对湿气和吸附/吸收对部件功能的影响更不敏感的部件。在一个实施例中，具有降低的对湿气暴露的敏感性的部件包括设置在气密性封装中的部件，该部件具有设置在部件的表面上的孔中的阻断气体。在另一实施例中，用...

提供在含硅介电材料上进行湿法氧化工艺的方法，该含硅介电材料填充在基板内所界定的沟槽或孔洞内。在一实施例中，在基板上形成介电材料的方法包括藉由流动式CVD工艺在基板上形成介电材料、固化设置在基板上的介电材料、在设置在基板上的介电材料上进行...