本发明的实施例涉及在制造背接触太阳能电池(诸如发射极穿绕(EWT)太阳能电池)期间、用于在硅衬底中激光钻孔的方法和设备。在一个实施例中，该方法和设备使用短焦距平场透镜和动态扫描技术来在硅衬底中完成单次脉冲钻孔。相比于常规的设备和处理，该...

本发明揭示一种利用旋转基板支撑件处理一基板的方法及设备。于一实施例中，用于处理基板的设备包括一处理室，其中设有一基板支撑组件。该基板支撑组件包括一基板支撑件，该基板支撑件具有一支撑表面及一加热器，该加热器设于支撑表面下方。一轴部耦接至该...

本发明的具体实施例一般涉及一种供半导体处理室所用的处理套件，以及具有处理套件的半导体处理室。详言之，本文所描述的具体实施例涉及一种处理套件，其包括使用于物理沉积室中的覆盖环、屏蔽件以及隔离件。处理套件的组件单独地和可结合地工作，以显著减...

在第一方面，提供电子装置制造的第一方法。该第一方法包括：步骤(1)接收一个从包括多个基片加载站的电子装置制造设施的第一基片加载站传送载体到第二基片加载站的请求，其中该设施还进一步包括多个连接到适于在设施内运送载体的传送带系统的载体支架；...

一种具有双温度区的静电吸盘的衬底支架。本发明公开了一种在衬底处理腔室中用于容纳衬底的静电吸盘，包括具有衬底容纳表面和具有多个隔开的台面的相对的背面的陶瓷圆盘。电极嵌入在陶瓷圆盘中以产生静电力以保持衬底。位于陶瓷圆盘的外围和中心部分的加热...

一种用于原子层沉积的涡流室盖。本发明的实施方式是关于在原子层沉积工艺期间沉积材料至衬底上的设备和方法。在一实施方式中，提供用于处理衬底的处理室，其包括含有置中设置的气体分配道的室盖组件，其中气体分配道的汇流部往气体分配道的中心轴逐渐变细...

一种用于原子层沉积的涡流室盖。本发明的实施方式是关于在原子层沉积工艺期间沉积材料至衬底上的设备和方法。在一实施方式中，提供用于处理衬底的处理室，其包括含有置中设置的气体分配道的室盖组件，其中气体分配道的汇流部往气体分配道的中心轴逐渐变细...

氮化硅的热化学气相沉积，本发明的设备包含处理区；基材托架；气体输送系统；气体混合区；加热元件，该加热元件用以将固定在面板上的转接环加热到所需要的温度；以及有温度控制的排气系统。此外，本发明是关于涉及一种方法和设备，其可包括：将双(第三-...

提供一种具有电极处RF匹配的等离子体处理系统以及利用该系统来处理基板的方法。一实施例中，等离子体处理系统包括腔室主体、基板支撑件、电极、盖组件与RF调谐元件。基板支撑件置于界定于腔室主体中的处理空间中。电极置于基板支撑件上方与盖组件的盖...

本文描述用于制造薄膜电池的方法与工厂。方法包括用于制造薄膜电池的操作。工厂包括用于制造薄膜电池的一个或更多个工具组。

本发明的具体实施例提供一种在用以形成图案的等离子体离子注入工艺期间减少热能聚积的方法，所形成的图案包括基板上的磁性敏感表面上的磁畴及非磁畴。于一具体实施例中，在等离子体离子注入工艺期间控制基板温度的方法包含下列步骤：(a)于处理腔室中，...

提供制造半导体器件的方法，半导体器件(50)包括衬底(30)、半导体层(36、38)和至少一个金属化层(52、70)，至少一个金属化层与从衬底和半导体层中选出的至少一项相邻，该方法包括如下步骤：形成至少一个金属化层(52；70)，至少一...

叙述一种降低复杂度的薄膜电池方法。在此还叙述适用于支援降低复杂度的薄膜电池方法的处理设备配置。在此还描述支援降低复杂度的薄膜电池方法的群组工具(cluster?tool)。

在此提供用于处理基板的方法与设备。在一些实施例中，用于处理基板的设备包括：处理腔室，所述处理腔室具有配置于所述处理腔室中的基板支撑件，以在所述处理腔室内于期望的位置支撑基板的处理表面；第一进入通口，用于在第一方向提供所述基板的所述处理表...

描述了用于处理基板与控制基板的加热与冷却的方法及设备。提供第一波长范围内的辐射的辐射源在预定温度范围内加热基板，所述基板可吸收在所述第一波长范围内和所述预定温度范围内的第二波长范围内的辐射。滤片防止至少一部分的第二波长范围内的辐射到达所...

提供一种用具有可旋转靶(20)的阴极组件(10)涂覆衬底(100)的方法。可旋转靶具有至少一个位于其内的磁体组件(25)。该方法包括将磁体组件定位在第一位置，使得其相对于平面(22)不对称地排列达预定第一时间间隔，所述平面从衬底(100...

在此描述一种用于线锯装置(100、200)的滑轮，所述滑轮具有形成锯线网的锯线10。所述滑轮包括：所述滑轮轴周围的轮部，其中所述轮部包含导电塑料材料；以及在所述轮部的径向外侧的锯线导引部，具有用于导引所述锯线的沟槽结构。

线锯工件支撑装置(200)具有支撑表面(214、314)，支撑表面适合于在锯切期间支撑正在被线锯(1)进行锯切的工件(100)，支撑表面(214、314)限定支撑平面。线锯工件支撑装置包括：实体支撑体(210)；以及至少一个线接收体积(...

本发明的实施例提供了用于利用来自等离子体的自由基进行金属HVPE或MOCVD的方法和装置。本发明的一个实施例提供了具有配气总成的处理室，所述配气总成被配置成生成等离子体，并且在将处理体积与等离子体的电场隔离的同时、将一种或多种自由基种供...

一种沉积高品质低缺陷的单晶三族氮化物膜的方法。在此提供具有多个特征结构的图案化基材，该基材具有以间隔空间隔开的倾斜侧壁。三族氮化物膜是通过氢化物气相外延(HVPE)制程而沉积在图案化基材上。HVPE沉积制程形成三族氮化物膜，该三族氮化物...