一半导体元件的一膜层的压缩应力，可单独或合并使用一或多种技术，而加以控制。一第一组实施例是经由将氢加入沉积化学作用中而提高氮化硅的压缩应力，并降低以高压缩应力氮化硅膜层制作的元件的元件缺陷，而该具高压缩应力的氮化硅膜层是于存有氢气的状态...

本发明之实施例提供了用于逐段加载及卸载多基材处理室之设备及方法。本发明之一个实施例提供了用于处理多个基材之一设备。此设备包括：一基材支撑盘，此基材支撑盘具有形成多个分段之多个基材腔袋；及一基材处置组件，此基材处置组件经设置以自基材支撑盘...

本发明提供闸阀及其使用方法的实施例。在一些实施例中，一种用于过程腔室的闸阀包含：主体，具有开口，该开口设置成从该主体的第一表面穿过该主体到该主体的相对第二表面；凹穴，从该开口的侧壁延伸到该主体内；闸，可移动地设置在该凹穴内，而介于密封该...

提供一种对半导体处理工具提供接口的装置和方法。在某些实施例中，该装置可包括：输入/输出电桥，其用于从系统控制器接收模拟和状况命令系统控制讯号、并将返回数据和状态信息发送至系统控制器，其中模拟和状况命令系统控制讯号要控制模拟设备，并且输入...

本发明实施例大致涉及在制造处理过程中检查与分析刻划于太阳能模块中的隔离沟槽的间距的方法与设备。一个实施例中，在制造处理不同处拍摄并分析刻划沟槽的图像。接着可以手动或自动方式应用结果来诊断、改变与调整上游处理，以改善随后处理的太阳能模块的...

本文所述实施例大致关于藉由金属-有机化学气相沉积(MOCVD)处理与/或氢化物气相磊晶(HVPE)处理形成III-V族材料的方法。一实施例中，在第一腔室中于基板上执行III1族-N层的沉积，在第二腔室中于基板执行III2族-N层的沉积，...

沉积工艺期间，材料不仅可能沉积在基材上，而且也可能沉积在其他腔室部件上。在MOCVD腔室中，一种所述这样的部件为气体分配喷头。可透过以由包括惰气与氯气的等离子体所生成的自由基轰击所述喷头而清洁的。为了生成等离子体，喷头可受负偏压或者相对...

一种方法与设备，用于从处理腔室的内部表面去除沉积产物，以及用于防止或减缓此类沉积产物的生长。提供含卤素气体至该腔室以蚀刻去除沉积产物。提供卤素驱除气体至腔室以去除任何残余的卤素。通过将卤素驱除气体暴露至电磁能而大体上活化卤素驱除气体，这...

本发明提供一种用于形成金属化纤维，并在所述金属化纤维上沉积多层膜以形成薄膜电化学能量储存装置的成本有效的方法和设备。在一个实施方式中，使用纤维纺丝工艺形成纤维基板，并且使用湿式沉积以铜层电镀所述纤维基板。此后，沉积多个材料层到所述铜层上...

本发明实施例提供用于自动地把基板加载至基板载盘的方法及设备。本发明的一实施例提供一种自动基板加载器，该自动基板加载器含有晶片盒处理机构、用来对准基板的基板对准器、以及载盘对准器。该自动基板加载器更包含：第一机器人，用来在该基板对准器和该...

本发明揭露的实施例大致关于HVPE腔室。腔室可具有与该腔室耦接的两个分离的前驱物源以便沉积两个分离的层。举例而言，镓源与分离的铝源可耦接至处理腔室以便在相同处理腔室中分别地沉积氮化镓与氮化铝于基板上。可在较低温度下在与镓及铝分离的位置处...

在一实施例中，提供一种用于制造复合氮化物半导体装置的方法，所述方法包含以下步骤：将一个或多个基板安置于包含喷头的金属有机化学气相沉积(MOCVD)腔室的处理区域中的基座上；藉由将第一含镓前体及第一含氮前体经由所述喷头流入所述MOCVD腔...

本发明大体而言提供了用于形成LED结构的装置和方法。本发明的一个实施例提供了一种用于制造复合氮化物结构的方法，包括：在第一处理腔室中，通过氢化物气相外延(HVPE)处理或金属有机化学气相沉积(MOCVD)处理在基板上形成包含第一III族...

本发明提供一种用于成本有效地形成复合材料的方法和设备，所述复合材料包括金属化碳纳米管和/或纳米纤维，所述金属化碳纳米管和/或纳米纤维可用来形成能量储存器件(诸如锂离子电池)的部分。在一个实施方式中，使用催化化学气相沉积工艺在主基板上形成...

本发明的实施例大致关于在腔室中处理基板(例如，藉由金属-有机化学气相沉积(MOCVD)处理形成III族-V族材料)后自基板处理腔室的一或多个内表面移除不想要的沉积累增物的方法与设备。一实施例中，提供自基板处理腔室的一或多个内表面移除不想...

本发明所公开的实施例一般涉及HVPE腔室。腔室可具有两个不同的前驱物源，两个不同的前驱物源与腔室耦接以便沉积两个不同层。举例而言，镓源与不同的铝源可耦接至处理腔室以便在相同处理腔室中分别地沉积氮化镓与氮化铝于基板上。可在较低温度下在与镓...

本发明提供一种制备用于形成结合III/V族化合物半导体的电子器件基板的方法及装置。使基本卤素气体、卤化氢气体或其它卤素或卤化物气体与液态或固态III族金属接触，以形成前驱物，该前驱物可与氮气源反应以于基板上沉积氮化物缓冲层。缓冲层可为转...

本文公开靶材组件及包括靶材组件的PVD腔室。靶材组件包括具有凹面外形的靶材。当用于PVD腔室中时，凹面靶材在配置于溅射腔室中的基板上提供径向更均匀的沉积。

本发明的实施例试图利用新颖等离子体氧化工艺在太阳能电池基板的表面上形成钝化薄膜叠层，来形成高效率太阳能电池。在一个实施例中，方法包括：提供基板，所述基板具有在所述基板的背面上的第一型掺杂原子和在所述基板的前面上的第二型掺杂原子；等离子体...

描述了一种容易制造、高功率、高能量、大面积的能量存储器件。所述能量存储器件使用与大面积处理工具兼容的工艺，所述大面积处理工具诸如为大面积涂覆系统和与柔性薄膜基板兼容的线性处理系统。所述能量存储器件可包括电池、超电容和超级电容。一种能量存...