遮蔽的闸阀制造技术

本发明专利技术提供闸阀及其使用方法的实施例。在一些实施例中，一种用于过程腔室的闸阀包含：主体，具有开口，该开口设置成从该主体的第一表面穿过该主体到该主体的相对第二表面；凹穴，从该开口的侧壁延伸到该主体内；闸，可移动地设置在该凹穴内，而介于密封该开口的关闭位置与显露该开口且将该闸完全地设置在该凹穴内的开启位置之间；及遮蔽件，用以在该闸处于该开启位置时可选择性地密封该凹穴。在一些实施例中，一或多个加热器可以连接到该主体或该遮蔽件的至少一者。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的实施例大致上关于处理设备。
技术介绍
在处理设备内，可以使用闸阀以例如控制过程腔室内的压力与(或)控制来自处理空间的反应性物质、过程气体、过程的副产物等等的流动。闸阀一般包括闸，该闸设置在闸阀主体中且可选择性地移动于两位置(即闸会密封闸阀中开口的关闭位置以及气体可以流动通过闸阀中开口的开启位置)之间。不幸地，但是这样的气体会在处于开启位置时不希望地流入该闸所设置之处的闸阀主体的凹部内，并且形成沉积物或腐蚀该闸(或门阀的其它部件)。通过因闸阀操作引起的震动而致使过程腔室中的压力变化，这样的沉积物会不希望地破裂，这会导致腔室中正在处理的基材的不希望的污染。因此，此技艺需要一种改善的闸阀。
技术实现思路
在此提供闸阀及其使用方法的实施例。在一些实施例中，一种用于过程腔室的闸阀包含主体，具有开口，该开口设置成从该主体的第一表面穿过该主体到该主体的相对第二表面；凹穴，从该开口的侧壁延伸到该主体内；闸，可移动地设置在该凹穴内，而介于密封该开口的关闭位置与显露该开口且将该闸完全地设置在该凹穴内的开启位置之间；及遮蔽件，用以在该闸处于该开启位置时可选择性地密封该凹穴。在一些实施例中，一或多个加热器可以连接到该主体或该遮蔽件的至少一者。在一些实施例中，一种用以处理基材的设备包含过程腔室，具有内部空间用以在处理期间固持基材于其中；及闸阀，连接到该过程腔室，其中该闸阀包括主体，具有开口， 该开口设置成从该主体的第一表面穿过该主体到该主体的相对第二表面；凹穴，从该开口的侧壁延伸到该主体内；闸，可移动地设置在该凹穴内，而介于密封该开口的关闭位置与显露该开口且将该闸完全地设置在该凹穴内的开启位置之间；及遮蔽件，用以在该闸处于该开启位置时可选择性地密封该凹穴。在一些实施例中，一种从过程环境移除流出物的方法包含提供具有闸阀的过程腔室，该闸阀连接到该过程腔室以从该过程腔室的内部空间排放材料，该闸阀包含主体； 具有设置穿过该主体的开口 ；凹穴，从该开口的侧壁延伸到该主体内；闸，可移动地设置在该凹穴与该开口中，其中该闸在该闸阀处于该开启位置时设置在该凹穴内；及遮蔽件，其在该闸阀处于该开启位置时密封该凹穴与该间；在该过程腔室中执行过程，该过程腔室产生欲从该内部空间移除的流出物；及在该闸阀处于该开启位置下，使该流出物从该内部空间流动通过该开口，以从该过程环境移除该污染物。在一些实施例中，该过程气体包含三氟甲烷(CHF3)或氯(Cl2)的至少一者。在一些实施例中，污染物包含副产物、反应性物质、或该过程气体的至少一者。附图说明可通过参考本专利技术的实施例来详细了解本专利技术的说明，其简短地在前面概述过， 其中一些实施例在附图中示出。但是应注意的是，附图仅示出本专利技术的典型实施例，因此不应视为对其范围的限制，因为本专利技术可允许其它等效实施例。图1是示出根据本专利技术一些实施例的蚀刻反应器的侧视图，其中该蚀刻反应器具有与其连接的闸阀。图2A是示出根据本专利技术一些实施例的图1闸阀处于开启位置时的侧视图。图2B是示出根据本专利技术一些实施例的图1闸阀处于关闭位置时的侧视图。图3是示出根据本专利技术一些实施例的从过程环境移除流出物的方法的流程图。为了使其容易了解，已尽可能指定使用相同的组件符号来代表各图中的相同组件。为清晰起见已简化且未按比例绘制附图。应了解，一个实施例的组件与特征可有利地并入其它实施例而不需特别详述。具体实施例方式在此提供闸阀及其使用方法的实施例。本专利技术的闸阀及其使用方法有利地限制或避免处理期间所产生的过程气体、副产物、或其它这样的物质沉积到闸阀的凹穴内。本专利技术的方法可以有利地避免污染物在过程环境进行排放时因间阀部件的沉积和后续剥落再进入过程环境。本专利技术的闸阀可以被设置在过程腔室中，例如蚀刻反应器或需要闸阀的其它适当的过程腔室中。举例而言，图1是示出这样的蚀刻反应器100的示意图，其可用来实施在此所讨论的本专利技术的实施例。蚀刻反应器100可以被单独使用，或一般被用作为整合式半导体基材处理系统或丛集工具(例如可由美国加州圣克拉拉市的应用材料公司获得的 CENTURA )的处理模块。适当的蚀刻反应器100的实例包括ADVANTEDGE 系列的蚀刻反应器(诸如AdvantEdge G3或AdvantEdge G5)、DPS 系列的蚀刻反应器(诸如DPS 、DPS II、DPS AE、DPS HT、DPS G3多晶硅蚀刻机)、或其它蚀刻反应器，其亦可由美国加州圣克拉拉市的应用材料公司获得。也可以适当地使用其它蚀刻反应器与(或)丛集工具，例如具有远程等离子体源的腔室、电子回旋共振(ECR)等离子体腔室等等。也可以变更使用闸阀与(或)会形成沉积物的过程气体的其它非蚀刻反应器，以利用在此揭露的闸阀来受益。示出的蚀刻反应器100包含腔室110，腔室110具有在导电主体(壁)130内的基材支撑件(阴极)116与控制器140。腔室110可以具有真空泵136，例如涡轮式泵或诸如此类，其经由闸阀127流动地连接到腔室110的内部空间111。腔室110可以具有实质平坦的介电室顶120。或者，腔室110可以具有其它种类的室顶，例如圆顶形室顶。包含至少一个感应式线圈构件112的天线设置在室顶120上方(图上显示两个同轴的感应式线圈构件 112)。感应式线圈构件112经由第一匹配网络119连接到等离子体功率源118。典型地，等离子体功率源118可以在50kHz至13. 56MHz的可调整频率范围下产生例如高达3000W的功率。基材支撑件116经由第二匹配网络IM连接到偏压功率源122。大致上，偏压功率源122可以在例如约13. 56MHz的频率下产生高达1500W的功率。偏压功率可以是连续的或脉冲式功率。在其它实施例中，偏压功率源122可以是DC或脉冲式DC源。控制器140包含中央处理单元(CPU) 144、内存142及供CPU所用的支持电路146， 并且促进腔室110及本文所执行的任何蚀刻腔室的部件的控制。在运作中，将基材114放置在基材支撑件116上，及从气体盘138经由入口埠1 供应过程气体，并且这些过程气体形成气体混合物150。通过分别施加来自等离子体功率源118的功率且将连接到感应式线圈构件112和阴极116的功率源122予以偏压，气体混合物150在腔室110中被引发成等离子体155。气体混合物150与(或)等离子体155可以在例如等离子体蚀刻过程中和基材114相互作用，以移除基材材料的一部分。基材材料可以通过例如和等离子体155反应以形成气体副产物来移除，其中该气体副产物可以从腔室110经由闸阀127被排放到真空泵136。闸阀127可设以避免气体混合物150、等离子体155、气体副产物、聚合物质或其组合沉积在闸阀127的部件之上与(或)之内。图2A-B更详细地是示出闸阀127，并且示出处于开启位置(图2A)和关闭位置(图2B)的闸阀127。图2A是示出根据本专利技术一些实施例的闸阀127的侧视图。闸阀127包括主体202， 主体202具有阀开口 206设置穿过该主体202 (例如从主体202的第一表面208到主体202 的相对第二表面210)。主体202可以依特定应用的需要而具有任何适当的形状。在一些实施例中，主体202为实质上椭圆的形状，如图2A所示。主体202本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：北村真，深田充利，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：