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应用材料公司专利技术
应用材料公司共有6594项专利
激光束定位系统技术方案
本发明提供了一种用于标定辐射光束的方法和设备。导光反射镜和捕光反射镜以可移动方式置于光学路径上。控制器在x-y平面中移动该导光反射镜和该捕光反射镜,并旋转这些反射镜,以将光束标定于表面上的靶材位置,同时为表面上所有靶材位置而使光学路径长...
用于支撑可旋转靶材的装置和溅射设备制造方法及图纸
提供了一种用于支撑沉积设备的可旋转靶材(1)的装置,沉积设备用于将材料溅射到衬底(20)上,其中该装置包括:驱动单元(2),其用于使可旋转靶材(1)旋转;环形部分(3),其连接到驱动单元(2)以用于将驱动单元安装到可旋转靶材(1);以及...
对用于柔性衬底的腔室入口或腔室出口进行密封的装置、衬底处理设备及组装该装置的方法制造方法及图纸
本公开涉及一种对用于柔性衬底(16)的腔室入口(18)或腔室出口进行密封的装置(100),该装置包括:具有密封表面(108)的本体(104);形成在本体中的衬底开口(106),其被构造为由柔性衬底横越;至少部分面向密封表面的弹性管(11...
在等离子体离子注入过程中测量掺杂物浓度的方法技术
本发明的具体实施方式提供一种在等离子体掺杂工艺期间用来检测预设掺杂物浓度终点的方法。在一具体实施方式中,此方法包含:将基板置于处理腔室中;于该处理腔室中的紧邻该基板的上表面处产生等离子体;传送光线穿过该基板;由传感器接收该光线;产生起始...
包埋层水阻障性的改进制造技术
一种包埋层水阻障性的改进。揭示了一种用于将氮化硅材料层沉积在基板上的方法,包括:将所述基板置放在处理室中;传送由所述材料层的前驱物组成的混合物,并传送氢气至所述处理室中,以改善所述材料层的水阻障效能。控制所述基板温度至约100℃或以下的...
高性能液流电池组制造技术
基于碱性锌/铁氰化亚铁可充电(“ZnFe”)的高性能液流电池组和类似液流电池组可包括以下改善中的一或更多者。第一,电池组设计具有电池堆叠,所述电池堆叠包含至少一个正的半电池中的低电阻正极和至少一个负的半电池中的低电阻负极,其中选择正极电...
循环氧化与蚀刻的设备及方法技术
在此描述了用于制造适用于窄间距应用的半导体器件的设备及该半导体器件的制造方法。公开了各种单一腔室,该单一腔室配置以通过氧化材料层表面来形成氧化物层而形成和/或塑形材料层;通过蚀刻工艺来移除至少一些该氧化物层;以及循环地重复该氧化以及移除...
抗弧零电场板制造技术
本发明实施例大致涉及用于减少基板处理腔室中的电弧与寄生等离子体的设备。所述设备大致包括具有基板支撑件、背板与喷头的处理腔室,所述基板支撑件、背板与喷头配置在所述处理腔室中。喷头悬置件将背板电耦接至喷头。导电托架耦接至背板并与喷头分隔。导...
用于微结构受控制的薄膜沉积的离子化物理汽相沉积制造技术
描述了一种于PVD腔室中处理基板的方法,该PVD腔室包含靶材、基板以及处理气体,所述处理气体处在足以造成自该靶材溅射的物种的实质部份离子化的压力。通过施加甚高频功率至靶材,以维持电容耦合高密度等离子体。由于施加至基板的高频偏压功率,溅射...
气体分布器的多个气体喷嘴的流动性质的测量制造技术
一种气体喷嘴测量设备,包含:可控气体源,用以提供恒定压力或恒定流速的气体流动,使其横跨具有气体喷嘴的气体板;以及感应器板,其尺寸覆盖包含该气体板的前表面的至少一部分的区域。该感应器板包含气体流动感应器,这些气体流动感应器被配置在与该气体...
用于覆盖高纵横比特征结构的氮化硅钝化层制造技术
本文描述在基板的特征结构上形成包括氮化硅的钝化层的方法。在沉积方法的第一阶段中,将包括含硅气体与含氮气体的电介质沉积气体导入处理区中并经供给能量以沉积氮化硅层。在第二阶段中,将组成不同于电介质沉积气体的处理气体导入处理区并经供给能量以处...
用于改善处理室利用的系统及其操作方法技术方案
描述了一种用于对基本竖直取向的衬底进行处理的衬底处理系统。该系统包括:第一处理室,其具有第一处理区域并且适合于沉积包括第一材料的第一层;第二处理室,其具有第二处理区域并且适合于在第一层上沉积第二层,第二层包括第二材料;第三处理室,其具有...
高速机械手运输下修正移动引起失真的工件表面成像方法技术
提供一种用于成像工件的方法,在工件由机械手传递的同时,通过撷取狭长型静态视野(相对于机械手的工件运送路径横向延伸)的连续画面来成像工件。以狭长型照明模式(相对于运送路径横向延伸)照射机械手运送路径,来获得连续画面的工件图像。通过计算沿着...
循环氧化与蚀刻的设备及方法技术
在此描述了用于制造适用于窄间距应用的半导体器件的设备及该半导体器件的制造方法。公开了各种单一腔室,该单一腔室配置以通过氧化材料层表面来形成氧化物层而形成和/或塑形材料层;通过蚀刻工艺来移除至少一些该氧化物层;以及循环地重复该氧化以及移除...
循环氧化与蚀刻的设备及方法技术
在此描述了用于制造适用于窄间距应用的半导体器件的设备及该半导体器件的制造方法。公开了各种单一腔室,该单一腔室配置以通过氧化材料层表面来形成氧化物层而形成和/或塑形材料层;通过蚀刻工艺来移除至少一些该氧化物层;以及循环地重复该氧化以及移除...
用于减薄半导体工件的系统技术方案
本发明提供一种用于加工半导体工件的系统。新的装置和方法允许生产更薄的、同时保持强固的工件。具体地说,提供了一种卡盘,所述卡盘包括主体、可拆卸地附连至所述主体的保持件、以及密封形成构件。当工件被放在卡盘主体上、且保持件被接合至主体时,所述...
高机械手传输下减少或防止移动引起失真的工件表面成像方法技术
提供一种用于成像工件的方法,在工件由机械手传递的同时,通过撷取狭长型静态视野(相对于机械手的工件运送路径横向延伸)的连续画面来成像工件。以狭长型照明模式(相对于运送路径横向延伸)照射机械手运送路径,来获得连续画面的工件图像。通过将相机画...
用于在高速机械手运输中成像工件表面的度量系统技术方案
一种度量系统,具有面向机械手的工件运送路径的狭长型静态相机像素阵列,所述像素阵列具有相当于工件直径且相对于运送路径部分横向延伸的视野;和静态狭长型光发射阵列,所述静态狭长型光发射阵列大致平行于像素阵列。当机械手正在移动工件通过运送路径时...
单步骤选择性氮化方法与设备技术
提供选择性单步骤氮化半导体基板的方法与设备。利用选择性氮化工艺,将氮选择性地并入具有硅区和氧化硅区的半导体基板的硅区。通过形成含氮等离子体及过滤或去除等离子体中的离子,可将含氮自由基导向基板,或者可执行使用选择性前驱物的热氮化工艺。远程...
CMP浆流的闭环控制制造技术
本发明的实施例总体涉及用于化学机械抛光基板的方法。这些方法一般包含以下步骤:测量抛光垫的厚度,该抛光垫在抛光表面上具有沟槽或其他的浆液传送特征部。一旦确定该抛光表面上的这些沟槽的深度,即可响应于所确定的沟槽深度而调整抛光浆液的流量。在该...
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