具有氧化涂层的抗腐蚀、含钇金属的等离子体室部件制造技术

本发明专利技术涉及具有氧化涂层的抗腐蚀、含钇金属的等离子体室部件，描述一种可抵抗由化学活性等离子体所导致的侵蚀或腐蚀的物体以及制造该物体的方法。该物体包括金属或金属合金衬底，该衬底的表面上具有涂层，且该涂层为金属或金属合金的氧化物。该氧化物涂层的结构在本质上为柱状。构成氧化物的结晶的晶粒尺寸在氧化物涂层的暴露表面处比氧化物涂层与金属或金属合金衬底之间的界面处大，其中氧化物涂层在氧化物涂层与金属或金属合金衬底之间的界面处呈压迫状态。一般来说，金属选自由钇、钕、钐、铽、镝、铒、镱、钪、铪、铌、或其组合所组成的群组。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施例涉及抗腐蚀的半导体处理部件，且该部件包括钇金属衬底。本专利技术亦描述制造此种部件的一种方法。
技术介绍
此部分描述与本专利技术所公开的实施例相关的
技术介绍
。但并不意味或隐含在此讨论的背景合法构成现有技术。在存在有腐蚀性环境的条件下，抗侵蚀(包括腐蚀)对于在半导体处理室中使用的设备部件及衬垫是一种关键的特性。虽然侵蚀性等离子体大多数存在于半导体处理环境(包括等离子体增强化学气相沉积及物理气相沉积)中，但最具侵蚀性的等离子体环境是用于清洁处理设备及用于蚀刻半导体衬底的等离子体环境。更确切的是，在当存在有高能等离子体且结合化学反应性以作用环境中的部件表面时。用于制造电子组件及微机电系统(MEMS)的处理室中的处理室衬垫及部件设备通常由铝及铝合金构成。处理室及部件设备(存在于室中)的表面通常经过阳极电镀(anodized)，以提供对于侵蚀性环境的某程度的保护。然而，阳极电镀层的完整性会被铝或铝合金中的杂质所破坏，因此，侵蚀会提早发生，因而降低保护性涂层的使用寿命。相较于一些其它的陶瓷材料，氧化铝的抗等离子体特性并非较佳，因此，各种组成的陶瓷涂层已用于取代上述的氧化铝层，且本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造物体的方法，所述物体具有金属或金属合金衬底，所述方法包括：在所述金属或金属合金衬底的表面上形成氧化物涂层，其中使用热氧化处理形成所述氧化物涂层，其中所述热氧化处理包括：使用时间温度分布将所述金属或金属合金衬底暴露于包括氧的周围环境保持一段时间；所述时间温度分布包括：初始快速地加热所述金属或金属合金衬底至期望的最高温度；在所述最高温度段将所述衬底保持标称时间；以及逐渐降低所述衬底的温度，直到所述氧化物涂层的形成速率实质停止为止，其中所述金属或金属合金包括钇、钕、钐、铽、镝、铒、镱、钪、铪、铌、或其组合。

【技术特征摘要】
2007.12.21 US 12/004,9071.一种制造物体的方法，所述物体具有金属或金属合金衬底，所述方法包括 在所述金属或金属合金衬底的表面上形成氧化物涂层，其中使用热氧化处理形成所述氧化物涂层，其中所述热氧化处理包括使用时间温度分布将所述金属或金属合金衬底暴露于包括氧的周围环境保持一段时间；所述时间温度分布包括初始快速地加热所述金属或金属合金衬底至期望的最高温度；在所述最高温度段将所述衬底保持标称时间；以及逐渐降低所述衬底的温度，直到所述氧化物涂层的形成速率实质停止为止，其中所述金属或金属合金包括乾、钕、衫、铺、镝、铒、镱、钪、铪、银、或其组合。2.如权利要求I所述的制造物体的方法，其中初始快速加热的速率为约20°C/分 约IOO0C / 分。3.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：詹尼弗·Y·孙，徐理，肯尼思·S·柯林斯，托马斯·格瑞斯，段仁官，赛恩·撒奇，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：