使用磁场集中器的具有金属喷淋头的电感应式等离子体源制造技术

本发明专利技术提供用于基板的等离子体处理的方法与装置。处理腔室具有基板支撑件与面向该基板支撑件的盖组件。该盖组件具有包括电感应线圈的等离子体源，该电感应线圈被配置于导电平板内，该导电平板可包括被嵌套的导电环。该电感应线圈与导电平板实质上共平面，并由绝缘体与导电平板绝缘，该绝缘体适配于通道内，该通道形成于导电平板中，或嵌套于导电环内。于电感应线圈周围提供场集中器，并且该场集中器由隔离器与电感应线圈绝缘。该等离子体源由导电支撑板支撑。气体分配器将气体从穿过导电平板配置的导管，经由穿过支撑平板与等离子体源的中心开孔，而供应至该腔室。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用磁场集中器的具有金属喷淋头的电感应式等离子体源
在此描述的实施例大体上涉及制造半导体器件。更具体地，在此描述的实施例涉及基板的等离子体处理的方法和装置。
技术介绍
等离子体处理通常被用于许多半导体制造工艺上，该半导体制造工艺用于制造集成电路、平板显示器、磁性介质以及其它装置。通过对在腔室内的低压气体施加电磁场而在处理腔室内部产生等离子体或离子化气体，产生的等离子体或离子化气体继而被施加于工件，以完成诸如沈积、蚀刻或离子注入的处理。等离子体也可在腔室外部产生，然后在压力条件下被引导至腔室内，以增加等离子体内自由基与离子的比例，而用于需要这种处理的工艺。等离子体可利用电场、磁场或电磁场而产生。利用电场产生的等离子体通常使用间隔(spaced-apart)的电极以在充满气体的空间中产生电场。电场使气体离子化，所产生的离子与电子在电场的影响下移向一个电极或另一个电极。电场可给予离子非常高的能量，这些离子冲向工件，这会从工件上溅射出材料、破坏工件并且在腔室内产生潜在的污染粒子。此外，伴随这种等离子体的高电势会产生不希望的放电以及寄生电流。电感耦合等离子体可被用在许多情况中以避免电容耦合等离本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.05.14 US 12/780,5311.一种用于等离子体腔室的盖组件，该盖组件包括：气体分配器；支撑板，所述支撑板被配置于所述气体分配器的周围；第一导电环，所述第一导电环被配置于所述气体分配器的周围；第一环形电感应线圈，该第一环形电感应线圈被配置于第一绝缘通道内，所述第一绝缘通道与所述第一导电环嵌套在一起；以及第二环形电感应线圈，该第二环形电感应线圈被配置于第二绝缘通道内，所述第二绝缘通道与所述第一导电环嵌套在一起；以及绝缘体，所述绝缘体被配置于所述第一环形电感应线圈上方，从而所述第一环形电感应线圈被绝缘材料包围，场集中器，所述场集中器被配置于在所述第一环形电感应线圈周围的所述第一绝缘通道内。2.如权利要求1所述的盖组件，其中该第一环形电感应线圈与该第二环形电感应线圈各包括金属管，该第一环形电感应线圈被嵌套在该导电环的中央开孔内，且该第二环形电感应线圈被嵌套在该导电环的外围边缘的周围，该导电环与该第一环形电感应线圈以同心的方式安置。3.一种用于等离子体腔室的盖组件，该盖组件包括：气体分配器；支撑板，该支撑板被配置于该气体分配器的周围；导电环，该导电环被配置于该气体分配器的周围并且被耦接至该支撑板；环形电感应线圈，该环形感应线圈被配置于绝缘通道内，该绝缘通道与该导电环嵌套在一起；以及绝缘体，该绝缘体被配置于该环形电感应线圈上方，从而该环形电感应线圈被绝缘材料包围，场集中器，该场集中器被配置于在该电感应线圈周围的该绝缘通道内。4.如权利要求3所述的盖组件，其中该绝缘通道被同心地配置于该导电环的中央开孔内，该绝缘通道具有面对该支撑板的开孔，且该绝缘通道具有超出该导电环的内边缘的延伸部分。5.如权利要求4所述的盖组件，其中该支撑板可导电并且电连接至该导电环...

【专利技术属性】
技术研发人员：坎芬·莱，杰弗里·托宾，彼得·I·波尔施内，乔斯·安东尼奥·马林，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：
国别省市：