本发明提供一种用于半导体处理腔室的工艺配件。在一个实施例中，工艺配件包括环形沉积环主体，所述环形沉积环主体包含凹入主体的上表面中的凹槽，其中所述凹槽的最低点延伸至环主体厚度的至少一半，所述环主体厚度由顶壁和底壁界定。在另一实施例中，工艺...

提供一种用于形成磁性介质衬底的方法和设备。图案化抗蚀层形成在具有磁化层的衬底上。共形保护层形成在图案化抗蚀层上，以免图案于后续处理期间降解。衬底经能量处理，其中能量物种依据形成于图案化抗蚀剂中的图案，穿透部分图案化抗蚀层和共形保护层而撞...

本实用新型揭示了一种用于将射频功率耦合到等离子体腔室的装置。一种射频阻抗匹配网络(33)的电接地(36)，电接地(36)连接到等离子体腔室的接地腔室罩(18)上的连接区域(50)。连接区域从腔室罩的中心向工件通道(20)偏移。或者，射频...

本文提供用于在热丝化学气相沉积(HWCVD)系统中的终端连接器。在一些实施例中，一种用于热丝化学气相沉积(HWCVD)系统的终端连接器可包括：基底；丝夹，所述丝夹沿轴相对于所述基底可移动地安置；反射罩，所述反射罩沿所述轴从所述丝夹沿第一...

本发明提供一种对称等离子体处理室。本发明实施例提供允许极其对称的电、热和气体传导通过室的室设计。通过提供这种对称，形成在室内的等离子体自然地在设置在室的处理区域中的衬底的表面上具有改进的均匀性。这种改进的对称性以及其他室的附加情况（诸如...

本发明提供一种对称等离子体处理室。本发明实施例提供允许极其对称的电、热和气体传导通过室的室设计。通过提供这种对称，形成在室内的等离子体自然地在设置在室的处理区域中的衬底的表面上具有改进的均匀性。这种改进的对称性以及其他室的附加情况（诸如...

在此描述空洞体积比例降低的间隙填充氧化硅层的形成。该沉积涉及在缺少氧较可流动的间隙填充层之前形成富含氧较不可流动的衬垫层。然而，该衬垫层在与间隙填充层相同的腔室内沉积。衬垫层与间隙填充层二者可通过使自由基成份与未激发的含硅前体（即不直接...

本发明涉及一种基板制程系统中用于校准多个气体流量的方法及装置。在一些实施例中，基板制程系统可包含群集工具，该群集工具包含：与中央真空传送腔室耦接的第一制程腔室及第二制程腔室；第一流量控制器，该第一流量控制器提供制程气体至该第一制程腔室；...

在此提供用于沉积具有高厚度均匀度和低阻抗的薄膜的方法及设备。在一些实施例中，磁控管组件包含：分流板，所述分流板可绕轴而转动；内侧封闭回路磁极，所述内侧封闭回路磁极耦接至分流板；及外侧封闭回路磁极，所述外侧封闭回路磁极耦接至分流板，其中外...

本发明提供一种对称等离子体处理室。本发明实施例提供允许极其对称的电、热和气体传导通过室的室设计。通过提供这种对称，形成在室内的等离子体自然地在设置在室的处理区域中的衬底的表面上具有改进的均匀性。这种改进的对称性以及其他室的附加情况(诸如...

本发明提供一种形成互连结构的方法。在一些实施例中，在衬底上形成互连结构的方法可包括：通过第一沉积工艺而在衬底的顶表面上和在特征结构的一或多个表面上沉积材料，所述特征结构设置于衬底中，所述第一沉积工艺以在所述顶表面上较快的速率而在所述特征...

本发明关于一种用于在基板上形成金属前介电(PMD)层或金属间介电(IMD)层的方法，所述方法包括下列步骤：将基板置放于化学气相沉积(CVD)处理腔室中，并在所述化学气相沉积处理腔室中，于基板上形成第一氧化物层。使用热CVD处理在约450...

本发明提供一种在形成于基板上的高深宽比特征结构中沉积金属的方法。在某些实施例中，一方法包括以超高频(VHF)频率施加第一射频(RF)功率至含金属的靶材以形成等离子体，该靶材设置在基板上方；施加直流(DC)功率至靶材，以引导等离子体朝向靶...

于第一实施方式中，本发明提供用于半导体元件制造期间使用的主机。该第一主机包括(1)侧壁，可界定适于容设机械臂的中心传送区；(2)数个面，形成于该侧壁上，各适于耦接至处理室；以及(3)延伸面，形成于该侧壁上，可让该主机能耦接到至少四个全尺...

本发明基本上涉及一种电容耦合的等离子体(CCP)处理腔、一种用于减小或防止杂散电容的方法和一种用于测量在所述处理腔内的等离子体状态的方法。由于CCP处理腔尺寸上的增大，杂散电容有会对工艺产生负面影响的趋势。此外，RF接地带可能断裂。通过...

本实用新型涉及基于碳纳米管的太阳能电池及形成其的设备。太阳能电池中设有碳纳米管(CNT)，这些碳纳米管用于：界定太阳能电池的微米/次微米几何尺寸；及/或做为电荷传输体，以有效地从吸收层移除电荷载流子以减少吸收层中的电子空穴复合速率。太阳...

本文公开用于处理基板的设备。在某些实施例中，基板处理系统可包括处理腔室、基板支撑件及等离子体过滤器。该处理腔室具有用来接收等离子体的第一空间以及用来处理基板的第二空间。该基板支撑件设置于第二空间中。该等离子体过滤器设置于处理腔室中并且在...

本文关于用于溅射系统的磁铁配置(800,900,1000)，其中磁铁配置适于溅射系统的可旋转靶材(126a,126b)并包含：第一磁铁元件(810,910,1010)，所述第一磁铁元件沿第一轴(X)延伸；第二磁铁元件(820,920,1...

本发明描述切割半导体晶圆之方法，其中每一晶圆具有多个集成电路。一种方法包括以下步骤：在该半导体晶圆上方形成一遮罩。该遮罩由覆盖且保护该等集成电路之一层组成。用一基于飞秒之激光划线制程将该遮罩布局图样，以提供具有间隙之一经布局图样之遮罩。...

提供一种用于制造在触摸面板中使用的透明主体的工艺。所述工艺包括：于基板上沉积第一透明层堆迭，第一透明层堆迭包括第一介电膜、第二介电膜以及第三介电膜。第一介电膜及第三介电膜具有低折射率，且第二介电膜具有高折射率。所述工艺还包括：以一方式沉...