对称等离子体处理室制造技术

本发明专利技术提供一种对称等离子体处理室。本发明专利技术实施例提供允许极其对称的电、热和气体传导通过室的室设计。通过提供这种对称，形成在室内的等离子体自然地在设置在室的处理区域中的衬底的表面上具有改进的均匀性。这种改进的对称性以及其他室的附加情况（诸如提供操纵上下电极之间以及在气体入口和被处理的衬底之间的间隙的能力）相较于传统的系统允许对等离子体处理和均匀性更好的控制。

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理设备及盖组件本申请是基于申请日为2012年10月8日、申请号为201210391087.0、专利技术名称为“对称等离子体处理室”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术一般涉及用于制造其中等离子体被施加在电极之间的RF功率激发的衬底的等离子体处理设备。更具体地，本专利技术涉及为改进的等离子体均匀控制而提供电、气体流和热对称的等离子体处理室。
技术介绍
诸如平板显示器和集成电路的电子装置通过一系列处理步骤来制造，其中，层沉积在衬底上，并且沉积的材料被蚀刻为期望的图案。处理步骤通常包括物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、等离子增强CVD(PECVD)和其他等离子体处理。具体地，等离子体处理要求将处理气体混合物供应到真空处理室，并施加电或者电磁功率(RF功率)以将处理气体激发到等离子体状态。等离子体将气体混合物分解成执行期望的沉积或者蚀刻处理的离子颗粒。等离子处理遇到的一个问题是与在处理过程中在衬底的表面上建立均匀的等离子体密度相关的困难，这会导致在衬底的中心和边缘区域之间不均匀的处理。建立均匀等离子体密度的困难的一个原因涉及由于物理处理室设计的不对称而造成的固有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体处理设备，包括：盖组件和室体，其围成处理区域；衬底支撑组件，其设置在所述室体中；上衬里，其设置在所述室体内并包围所述处理区域，其中，所述上衬里具有圆柱形壁，所述圆柱形壁具有多个槽，所述多个槽贯穿设置并围绕所述衬底支撑组件的中心轴线对称地布置；以及背衬，其耦合到所述圆柱形壁并覆盖所述多个槽中的至少一者。

【技术特征摘要】
2011.10.05 US 61/543,5651.一种等离子体处理设备，包括：盖组件和室体，其围成处理区域；衬底支撑组件，其设置在所述室体中；上衬里，其设置在所述室体内并包围所述处理区域，其中，所述上衬里具有圆柱形壁，所述圆柱形壁具有多个槽，所述多个槽贯穿设置并围绕所述衬底支撑组件的中心轴线对称地布置；以及背衬，其耦合到所述圆柱形壁并覆盖所述多个槽中的至少一者。2.根据权利要求1所述的设备，还包括网衬，其围绕所述衬底支撑组件环形地设置并电耦合到所述上衬里。3.根据权利要求2所述的设备，其中，所述网衬包括底壁和从所述底壁以向外和向上的角度延伸的外壁。4.根据权利要求3所述的设备，其中，所述外壁具有多个贯穿形成的开孔。5.根据权利要求4所述的设备，其中，所述多个贯穿形成的开孔绕所述网衬的中心轴线对称定位。6.根据权利要求1所述的设备，还包括狭缝阀门组件，其定位为将狭缝阀门与所述上衬里中的一个所述槽对齐。7.根据权利要求6所述的设备，其中，所述狭缝阀门和所述上衬里由相同材料构成。8.根据权利要求6所述的设备，其中，所述狭缝阀门和所述背衬由相同材料构成。9.根据权利要求1所述的设备，其中，所述上衬里还包括从所述圆柱形壁向内延伸的底壁，其中，所述底壁具有多个贯穿形成的通道。10.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：詹姆斯·D·卡达希，哈密迪·塔瓦索里，阿吉特·巴拉克利斯纳，陈智刚，安德鲁·源，道格拉斯·A·小布什伯格，卡尔蒂克·贾亚拉曼，沙希德·劳夫，肯尼思·S·柯林斯，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：