用于自动验证半导体工艺制作方法的方法及设备技术

本文提供了用于自动验证半导体工艺步骤的方法及设备。在一些实例中，一种用于验证半导体工艺制作方法的方法包括以下步骤：选择规则集，所述规则集描述半导体工艺工具的操作窗口；相对于所述规则集的限制核对规则来核对参数值以产生第一结果，所述参数值由所述半导体工艺制作方法中的步骤定义；使用所述规则集的步骤定义规则，根据所述半导体工艺制作方法中的所述步骤确定步骤类型，以产生第二结果；相对于所述规则集的步骤转变规则来核对所述步骤类型之间的转变，以产生第三结果；以及基于所述第一结果、所述第二结果及所述第三结果，使用所述计算机产生验证数据，以供使用所述半导体工艺工具的所述半导体工艺制作方法使用。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的实施例大体而言关于一种用于自动验证半导体工艺制作方法的方法及设备。
技术介绍
制造半导体装置的工艺可需要许多连续步骤，所述连续步骤产生上百乃至上千的工艺变量。此外，用以实施工艺步骤的工具具有各种规格、限制及要求，它们向制造工艺增加了另外的变量。因此，工艺工程师产生出半导体工艺制作方法(“制作方法”)，以指示工艺步骤且指示如何针对用于工艺中的每一个工具执行这种步骤。不正确的制作方法可产生不良结果，且甚至可能损坏正被处理的半导体晶圆。给定工具的可允许操作窗口可为定义明确而十分复杂的。鉴于这种复杂性，工艺工程师可错误地建立制作方法，所述制作方法在某些方面上不正确或者落在工具的定义操作窗口之夕卜。因此，在制造期间使用制作方法之前，必须验证所述制作方法。通常，手动验证制作方法，由此工艺工程师以详述特定工具的规格及操作窗口的文献交叉引用所述制作方法。手动验证制作方法为劳动密集型的且易出错。通常，自动进行制作方法验证工艺的尝试集中在使用电子表格以核实制作方法参数落在允许限度内。尽管这提供某种程度的验证，但若在涉及若干参数组合的复杂情况下，则这种工艺可能是不够的。更困难的是，验证制作方法中步骤的次序及类型符合给定工具的操作窗口要求。因此，本专利技术人提供了一种用于自动验证半导体工艺步骤的改进的方法及设备。
技术实现思路
本文提供了用于自动验证半导体工艺步骤的方法及设备。在一些实施例中，一种用于验证半导体工艺制作方法的方法(及一种存储用于执行所述方法的指令的计算机可读介质)包括选择规则集，所述规则集描述半导体工艺工具的操作窗口 ；相对于所述规则集的限制核对规则而核对参数值以产生第一结果，所述参数值由所述半导体工艺制作方法中的步骤定义；使用所述规则集的步骤定义规则，根据所述半导体工艺制作方法的所述步骤确定步骤类型，以产生第二结果；相对于所述规则集的步骤转变规则而核对所述步骤类型之间的转变，以产生第三结果；以及基于所述第一结果、所述第二结果及所述第三结果，使用所述计算机产生验证数据，以供使用所述半导体工艺工具的所述半导体工艺制作方法使用。在一些实施例中，一种用于验证半导体工艺制作方法的设备包括存储器，所述存储器经配置存储制作方法核对软件及多个规则集，所述规则集描述半导体工艺工具的操作窗口 ；以及处理器，所述处理器耦接至所述存储器，所述处理器经配置执行所述制作方法核对软件以从所述多个规则集选择规则集，所述规则集用于描述半导体工艺工具；相对于所述规则集的限制核对规则而核对参数值以产生第一结果，所述参数值由所述半导体工艺制作方法中的步骤定义；使用所述规则集的步骤定义规则，根据所述半导体工艺制作方法的所述步骤而确定步骤类型，以产生第二结果；相对于所述规则集的步骤转变规则而核对所述步骤类型之间的转变，以产生第三结果；以及基于所述第一结果、所述第二结果及所述第三结果，产生验证数据，以供使用所述半导体工艺工具的所述半导体工艺制作方法使用。本专利技术的其它及另外实施例描述如下。附图说明上文简要概述且下文更详细论述的本专利技术的实施例可参照本专利技术的说明性实施例进行理解，本专利技术的说明性实施例描绘于附图中。然而，应注意，附图仅图示本专利技术的典型实施例，且因此不视为限制本专利技术的范围，因为本专利技术可允许其它同等有效的实施例。图1为描绘计算系统的示例性实施例的框图；图2为描绘制作方法核对器的实施例的框图；以及图3为描绘验证工艺制作方法的方法实施例的流程图。为了便于理解，在可能的情况下，使用相同标号代表各图所共有的相同元件。各图未按比例绘制且为清楚起见可予以简化。预期一个实施例的元件及特征可有利地并入其它实施例中而无需进一步叙述。具体实施例方式图1为描绘计算系统100的示例性实施例的框图。计算系统100包括处理器102、存储器104、各种支持电路106、I/O接口 108及显示器109。本文中所称的“计算机”可至少包括处理器系统102及存储器104。通常，处理器102可包括一个或多个中央处理单元(CPU)。CPU包括电路，所述电路经配置执行程序指令(“软件”)。处理器102的支持电路106包括常规高速缓存、功率源、时钟电路、数据寄存器、I/O接口等。I/O接口 108可直接耦接至存储器104或经由处理器102耦接。I/O接口 108可耦接至显示器109及I/O装置111。I/O装置可包括各种输入/输出装置(例如，键盘、鼠标等)。存储器104可包括以下中的一个或多个随机存取存储器、只读存储器、磁阻读/写存储器、光学读/写存储器、高速缓存存储器、磁性读/写存储器等。存储器104存储软件110，软件110包括程序指令，所述程序指令经配置以由处理器102执行。软件110可包括操作系统(0S)112及半导体工艺制作方法核对工具(“制作方法核对器114”)。0S112可提供制作方法核对器114与计算系统100之间的接口。可使用本领域已知的各种操作系统以实施0S112。在0S112的控制下，可由处理器102执行制作方法核对器114，以执行半导体工艺制作方法的验证，如下文详细描述地。在一些实施例中，计算系统100可经由I/O接口 108耦接至半导体工艺工具150。因此，计算机系统100的输出(尤其，由制作方法核对器114所产生的输出)可有利地用以控制半导体工艺工具150以执行半导体处理。半导体工艺工具150可为本领域已知用于处理及制造半导体装置的任何类型工具。图2为描绘制作方法核对器114的实施例的框图。制作方法核对器114可包括规则引擎202、规则数据库204、输入接口(“输入IF206”)及输出接口(“输出IF208，，)。规则数据库204可包括多个规则集216。输入IF206经配置接收一个或多个制作方法210及工具配置数据(“工具配置214”)。输入IF206将(多个)制作方法210及工具配置214耦接至规则引擎202。规则引擎202经配置访问规则数据库204以获得一个或多个规则集216。规则引擎202产生验证数据212，所述验证数据212经由输出IF208作为输出提供。输入IF206及输出IF208可为用户接口的一部分，诸如图形用户接口(⑶I) 116，图形用户接口116可示出在计算系统100的显示器109上。在操作中，(多个)制作方法210描述一个或多个半导体工艺制作方法。(多个)制作方法210可为任何电子格式，诸如普通文本文件、可延伸标示语言(XML)文件等。每一个制作方法描述一系列待由半导体工艺工具(“工艺工具”)在半导体晶圆上执行的处理步骤(“步骤”)。制作方法中的步骤可由一个或多个指令定义。“指令”描述待由工具执行的动作及/或与工艺工具相关联的一个或多个参数配置。例如，指令可描述工艺工具的特定参数的赋值。如本领域所熟知地，工艺工具可执行各种动作，诸如蚀刻、沉积等，每一个动作包括可设定为不同值的各种参数，诸如源功率、偏压功率、工艺气流、工艺气压等。因此，制作方法中的步骤可实行动作及/或设定工艺工具的各种参数，以实现所要的半导体工艺。每一个工艺工具包括“操作窗口 ”，所述“操作窗口 ”定义关于各种动作及参数(例如，参数的最小/最大值、需要且允许的动作及动作顺序等)的限制。规则数据库204包括多个工艺工具的规则集216。每一个规则集216描述特定工艺工本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.08.31 US 61/378,561;2011.03.10 US 13/044,7471.一种验证半导体工艺制作方法的计算机实施方法，所述方法包括如下步骤: 选择规则集，所述规则集描述半导体工艺工具的操作窗口 ； 相对于所述规则集的限制核对规则来核对参数值以产生第一结果，所述参数值由所述半导体工艺制作方法中的步骤定义； 使用所述规则集的步骤定义规则，根据所述半导体工艺制作方法中的所述步骤确定步骤类型，以产生第二结果； 相对于所述规则集的步骤转变规则来核对所述步骤类型之间的转变，以产生第三结果；以及 基于所述第一结果、所述第二结果及所述第三结果，使用所述计算机产生验证数据，以供使用所述半导体工艺工具的所述半导体工艺制作方法使用。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述选择步骤包括以下步骤: 获得所述半导体工艺工具的配置数据；以及 基于所述配置数据，从多个规则集选择所述规则集。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述限制核对规则定义所述半导体工艺工具的可变参数的限制。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤定义规则为所述步骤类型中的每个步骤类型定义一组要求。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤转变规则定义步骤类型之间允许且需要的转变。6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述验证数据包括至少一个错误指示符，所述错误指示符描述违反所述规则集中的至少一个规则。7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述至少一个错误指示进一步描述所述半导体工艺制作方法的至少一个修改，以消除所述违规，或者其中所述方法进一步包括以下步骤:使用所述计算机修改所述半导体工艺制作方法，以消除所述违规，所述违规由所述至少一个错误指示符描述。8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括以下步骤: 使用所述计算机修改所述半导体工艺制作方法，以消除所述违规，所述违规由所述至少一个错误指示符描述，其中所述修改步骤包括以下步骤:在所述半导体工艺制作方法的所述步骤之间插入新步骤。9.如权利要求1所述的方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：C·哈迪，R·A·林德利，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：
国别省市：