对称等离子体处理室制造技术

本发明专利技术提供一种对称等离子体处理室。本发明专利技术实施例提供允许极其对称的电、热和气体传导通过室的室设计。通过提供这种对称，形成在室内的等离子体自然地在设置在室的处理区域中的衬底的表面上具有改进的均匀性。这种改进的对称性以及其他室的附加情况（诸如提供操纵上下电极之间以及在气体入口和被处理的衬底之间的间隙的能力）相较于传统的系统允许对等离子体处理和均匀性更好的控制。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及用于制造其中等离子体被施加在电极之间的RF功率激发的衬底的等离子体处理设备。更具体地，本专利技术涉及为改进的等离子体均匀控制而提供电、气体流和热对称的等离子体处理室。
技术介绍
诸如平板显示器和集成电路的电子装置通过一系列处理步骤来制造，其中，层沉积在衬底上，并且沉积的材料被蚀刻为期望的图案。处理步骤通常包括物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、等离子增强CVD (PECVD)和其他等离子体处理。具体地，等离子体处理要求将处理气体混合物供应到真空处理室，并施加电或者电磁功率(RF功率)以将处理气体激发到等离子体状态。等离子体将气体混合物分解成执行期望的沉积或者蚀刻处理的离子颗粒。等离子处理遇到的一个问题是与在处理过程中在衬底的表面上建立均匀的等离子体密度相关的困难，这会导致在衬底的中心和边缘区域之间不均匀的处理。建立均匀等离子体密度的困难的一个原因涉及由于物理处理室设计的不对称而造成的固有的电、气流和热差异(skew)。这种差异不仅造成固有地、方位角的、非均匀等离子体密度，而且还难以使用其他处理变量或者“旋钮”来控制中心到边缘的等离子体均匀性。因而，存在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体处理设备，包括：盖组件和室体，其围成处理区域；以及衬底支撑组件，其设置在所述室体中，其中，所述衬底支撑组件包括：设置在所述室体的中心区域中的支撑基座，所述中心区域与所述处理区域流体地密封；由所述支撑基座支撑的下电极；以及第一致动装置，其设置在所述中心区域内，并构造成将所述下电极竖直移动一距离。

【技术特征摘要】
2011.10.05 US 61/543,5651.一种等离子体处理设备，包括: 盖组件和室体，其围成处理区域；以及 衬底支撑组件，其设置在所述室体中，其中，所述衬底支撑组件包括: 设置在所述室体的中心区域中的支撑基座，所述中心区域与所述处理区域流体地密封； 由所述支撑基座支撑的下电极；以及 第一致动装置，其设置在所述中心区域内，并构造成将所述下电极竖直移动一距离。2.根据权利要求1所述的的等离子体处理设备，其中，所述衬底支撑组件还包括布置在其中的多个升降销。3.根据权利要求2所述的的等离子体处理设备，还包括第二致动装置，其设置在所述中心区域内，并构造成竖直移动所述多个升降销。4.根据权利要求3所述的的等离子体处理设备，其中，所述多个升降销耦合到升降销板。5.根据权利要求4所述的的等离子体处理设备，其中，所述第二致动装置包括: 丝杠，其耦合到所述升降销板；以及 致动器，其构造为使所述 丝杠前进和后退。6.根据权利要求1所述的的等离子体处理设备，还包括真空管，其流体耦合到布置在所述下电极内的一个或多个升降销孔。7.根据权利要求6所述的的等离子体处理设备，还包括气体供应管路，其流体耦合到布置在所述下电极中的气体端口。8.根据权利要求6所述的的等离子体处理设备，所述真空管流体耦合到所述室体的排气区域。9.根据权利要求1所述的的等离子体处理设备，其中，所述盖组件包括: 上电极，其具有都具有导电配件的一个或多个流体入口和一个或多个流体出口 ；以及多个导电塞，其中，所述导电配件和所...

【专利技术属性】
技术研发人员：詹姆斯·D·卡达希，哈密迪·塔瓦索里，阿吉特·巴拉克利斯纳，陈智刚，安德鲁·源，道格拉斯·A·小布什伯格，卡尔蒂克·贾亚拉曼，沙希德·劳夫，肯尼思·S·柯林斯，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：