沉积薄膜晶体管的方法与系统技术方案
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】沉积薄膜晶体管的方法与系统
本专利技术的实施例关于用于沉积薄膜晶体管(TFT)的方法与系统。具体而言，本专利技术的实施例关于用于沉积TFT的栅极绝缘层的方法与系统。
技术介绍
TFT是由多个薄膜所制造的特定类别的场效应晶体管。这些薄膜形成半导体层(诸如构成沟道的TFT的活性层)、介电质层(诸如栅极绝缘层、蚀刻终止层或钝化层)及金属接触(诸如TFT的栅极、漏极或源极)。这些薄膜形成在诸如玻璃的支撑基板上方。至少一些已知的TFT是被实施在广泛应用于计算机与电视监视器的液晶有源矩阵显示器(LCDs)中。又，至少一些已知的TFT是被实施在亦用于有源矩阵显示器的有机发光二极管(OLEDs)中。大致上，TFT包括用于将栅极端子予以绝缘的栅极绝缘层。尤其，至少一些已知的TFT被提供有由氧化硅(例如SiO2)形成的栅极绝缘层。在TFT的性能中，栅极绝缘层是重要因素。尤其，栅极绝缘层会大大影响TFT的击穿电压与漏电流。因此，需要提供一种用于形成栅极绝缘层的沉积方法与沉积系统，该栅极绝缘层有利于改善TFT的性能。
技术实现思路
在一方面中，本专利技术提供一种用于在基板上方形成薄膜晶体管栅...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.09.10 EP 10176247.41.一种用于在基板(102，202，730)上方形成薄膜晶体管栅极绝缘层(100，200，734)的方法，所述基板设置在处理腔室(104，204)中，所述方法包含：将处理气体(116，216)引进，以在所述处理腔室(104，204)中产生等离子体；将所述基板(102，202，730)加热到介于50℃与350℃之间的基板处理温度；及通过在介于1kHz与100kHz之间的频率下溅射靶组件(108，206)来在经加热的所述基板(102，202，730)上方沉积氧化硅、氧氮化硅或氮化硅。2.如权利要求1所述的方法，其中沉积包括在介于1kHz与100kHz之间的频率下从双阴极(132a，132b，226a，226b)的溅射。3.如权利要求1或2所述的方法，其中所述靶组件(108，206)包括可旋转的靶。4.如权利要求1或2所述的方法，其中所述溅射是完全反应溅射。5.如权利要求3所述的方法，其中所述溅射是完全反应溅射。6.如权利要求1或2所述的方法，其中所述靶组件(108，206)包括纯硅靶。7.如权利要求4所述的方法，其中所述靶组件(108，206)包括纯硅靶。8.如权利要求5所述的方法，其中所述靶组件(108，206)包括纯硅靶。9.一种用于在基板上方形成薄膜晶体管的至少一部分的沉积系统(180，280，500，600)，所述沉积系统(180，280，500，600)包含：处理腔室(104，204)，所述处理腔室适于容纳处理气体(116，216)以在所述处理腔室(104，204)中产生等离子体；加热系统(110，210)，所述加热系统被配置成将所述基板(102，202，730)加热到介于50℃与350℃之间的基板处理温度；及溅射系统(128，228)，所述溅射系统被配置成通过在介于1kHz与100kHz之间的频率下溅射靶组件(108，206)来在经加热的所述基板(102，202，730)上方沉积氧化硅、氧氮化硅或氮化硅，使得栅极绝缘层(100，302，734)形成在所述基板(102，202，730)上方。10.如权利要求9所述的沉积系统(180，280，500，600)，其中所述加热系统(110，210)包含加热器(112，212)与加热控制系统(214)，所述加热器耦接到所述基板(102)以加热所述基板，所述加热控制系统与所述加热器(112，212)相关联以控制所述基板处理温度，所述加热控制系统(214)被配置成将所述基板处理温度调整到介于50℃与350℃之间的温度。11.如权利要求9或10所述的沉积系统(180，280，500，600)，其中所述溅射系统(128，228)包括至少两个电极(132a，132b，226a，226b)与一电源(130，222)，所述电源可运作地耦接到所述至少两个电极(132a，132b，226a，226b)，使得中等频率AC功率在所述靶组件(108，206)的溅射期间耦接到...
【专利技术属性】
技术研发人员：E·谢尔，O·格劳，R·韦伯，U·施赖伯，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：
国别省市：
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