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本发明提供一种用于在基板(102)上方形成薄膜晶体管栅极绝缘层(100、302)的方法，该基板(102)设置在处理腔室(104)中。该方法包含：将处理气体(116)引进，以在该处理腔室(104)中产生等离子体；将该基板(102)加热到介于5...
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