【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件，具体地说，涉及包括高k栅电介质和金属栅电极的那些半导体器件。
技术介绍
具有由二氧化硅制成的非常薄的栅电介质的MOS场效应晶体管可能会经历不能接受的栅极漏电流。由特定高k介电材料替代二氧化硅形成栅电介质可以减小栅泄漏。然而，由于这种电介质可能与多晶硅不兼容，在包括高k栅电介质的器件中使用金属栅电极可能会令人满意。具有低于4. 3eV的功函数的某些金属可以被用来制作用于NMOS晶体管 的金属栅电极。然而，那些金属在400°C以上的温度可能会热不稳定，导致它们与高k栅电介质不利地反应。因此，存在对具有高k栅电介质以及具有低于4. 3eV的功函数的在400°C热稳定的NMOS金属栅电极的半导体器件的需要。本专利技术提供这种半导体器件。
技术实现思路
根据第一实施例，提供了一种半导体器件，包括高k栅电介质，所述高k栅电介质包括从由氧化铪、氧化铪硅、氧化镧、氧化镧铝、氧化错、氧化错娃、氧化钛、氧化钽、氧化钡银钛、氧化钡钛、氧化银钛、氧化钇、氧化招、氧化铅钪钽以及银酸铅锌构成的组中选择的材料；金属栅电极，其形成在栅电介质上，其包括具有成分凡八‘的铝化物...
【技术保护点】
一种半导体器件，包括：高k栅电介质，所述高k栅电介质包括从由氧化铪、氧化铪硅、氧化镧、氧化镧铝、氧化锆、氧化锆硅、氧化钛、氧化钽、氧化钡锶钛、氧化钡钛、氧化锶钛、氧化钇、氧化铝、氧化铅钪钽以及铌酸铅锌构成的组中选择的材料；金属栅电极，其形成在栅电介质上，其包括具有成分MxAly的铝化物，其中M是过渡金属；形成在铝化物上的填充金属；以及PMOS金属栅电极，其布置在所述高k栅电介质上，所述PMOS金属栅电极不包括铝化物。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：M多茨，J卡瓦里罗斯，M梅茨，J布拉斯克，S达塔，R曹，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：
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