【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】方法
根据本专利技术的实施方式总的来说涉及半导体器件的制造。
技术介绍
为了节约能量，减少例如在直流(DC)到直流转换器中所使用的晶体管中的功率损耗尤为重要。在金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件中，尤其是在已知作为功率MOSFET的一类MOSFET中，能够通过减小器件的接通电阻(Rdson)来减小功率损耗。击穿电压指示出器件在反向电压条件下的耐击穿能力。由于击穿电压与Rdson成反比关系，所以当Rdson减小时会产生不利影响。为了解决这一问题，引入了超结型(SJ)功率M0SFET，其包括位于器件有源区以下的交替的P型区和η型区。SJ功率MOSFET中交替的P型区和η型区理想地处于电荷平衡(Qp = Qn)状态，从而这些区在反向电压条件下相互耗尽，因此使器件能够更好地耐击穿。
技术实现思路
虽然传统的SJ功率MOSFET提供了例如上述的优点，但其仍有改进的空间。例如，在传统的SJ沟槽功率MOSFET器件中，形成超结的P型柱和η型柱可能会在制造期间被加热时发生相互扩散，这样的扩散将会减小击穿电压。另外，P型柱是浮置的从而这些柱中的载流子无法快速移动，因此通常...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2009.08.27 US 12/549,1901.一种用于制造超结型沟槽功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件的方法，所述超结型沟槽功率金属氧化物半导体场效应晶体管器件具有第一型掺杂物的沟道，所述方法包括: 形成第二型掺杂物的柱； 在所述第二型掺杂物的柱的相对两侧上沉积氧化物层，以形成第一氧化物柱和第二氧化物柱； 与所述第一氧化物柱相邻地形成所述第一型掺杂物的第一柱，并且与所述第二氧化物柱相邻地形成所述第一型掺杂物的第二柱，所述第二型掺杂物的柱与所述第一型掺杂物的第一柱和所述第一型掺杂物的第二柱通过所述第一氧化物柱和所述第二氧化物柱隔离开；以及 在所述第一型掺杂物的第一柱与所述第一型掺杂物的第二柱之间并且在所述第二型掺杂物的柱的上方形成用于场效应晶体管的栅极元件。2.根据权利要求1的方法，还包括在形成所述栅极元件之前将氧化物层沉积在所述第二型掺杂物的柱的上方，从而将所述第二型掺杂物的柱与所述栅极元件隔离开。3.根据权利要求1的方法，其中如果所述第一型掺杂物包括η型掺杂物，则所述第二型掺杂物包括P型掺杂物，并且其中如果所述第一型掺杂物包括P型掺杂物，则所述第二型掺杂物包括η型掺杂物。4.根据权利要求1的方法，还包括: 沉积源极金属的层；以及 形成将所述第二型掺杂物的柱与所述源极金属的层电短路的电连接。5.根据权利要求4的方法，还包括: 在沉积所述源极金属的层之前，在所述栅极元件与相邻的栅极元件之间形成沟槽；以及 沉积所述源极金属以填充所述沟槽。6.根据权利要求5的方法，还包括在所述栅极元件与所述沟槽之间形成所述第二型掺杂物的体区和所述第一型掺杂物的源极区。7.根据权利要求5的方法，其中所述沟槽与所述第一型掺杂物的第一柱的纵轴排成一列。8.根据权利要求7的方法，还包括在所述沟槽与所述第一型掺杂物的第一柱之间注入所述第二型掺杂物的区。9.一种用于形成具有第一型掺杂物的沟道的半导体器件的方法，所述方法包括: 在所述第一型掺杂物的衬底上形成超结型结构，所述超结型结构包括布置在所述第一型掺杂物的柱形第一区与所述第一型掺杂物的柱形第二区之间的第二型掺杂物的柱形区，其中所述第二型掺杂物的柱形区与所述第一型掺杂物的柱形第一区通过第一隔离层隔离开，并且与所述第一型掺杂物的柱形第二区通过第二隔离层隔离开；以及 在所述超结型结构上形成场效应晶体管的栅极元件，其中所述栅极元件与所述第二型掺杂物的柱形区的纵轴排成一列。10.根据权利要求9的方法，还包括在形...
【专利技术属性】
技术研发人员：Y·高，凯尔·特里尔，德瓦·帕塔纳亚克，K·陈，T·周，莎伦·石，Q·陈，
申请(专利权)人：威世硅尼克斯，
类型：
国别省市：
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