温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明描述了用于制造超结型沟槽功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件的方法。超结中的p型掺杂物柱与n型掺杂物的第一柱通过第一氧化物柱隔离开，并与n型掺杂的第二柱通过第二氧化物柱隔离开。在n沟道器件中，用于FET的栅极元件优选地...
该专利属于威世硅尼克斯所有，仅供学习研究参考，未经过威世硅尼克斯授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。