功率场效应晶体管制造技术

一种超短沟道混合功率场效应晶体管（ＦＥＴ）器件，其使电流从体硅流出而没有ＮＰＮ寄生。该器件包括ＪＦＥＴ部件、与ＪＦＥＴ部件相邻布置的第一累积ＭＯＳＦＥＴ、和在沟槽底端与ＪＦＥＴ部件相邻布置的第二累积ＭＯＳＦＥＴ，或者具有连接了源极的隔离栅极的ＭＯＳＦＥＴ。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】功率场效应晶体管
本专利技术一般地提供了 一种高电流密度功率场效应晶体管。本专利技术涉及通过不同类型半导体器件的垂直集成而制成的基于沟槽的高电流密 度功率半导体结构。其在高电流下的低正向电压和导通电阻特性使得该常关型器件能够被 用作DC-DC转换应用中的同步整流晶体管。
技术介绍
功率MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管)包括在模拟和数字电路两种应用 中用作节能开关的最有效的场效应晶体管之一。一般采用与平面结构相反的垂直结构来构造基于沟槽的功率M0SFET。垂直结 构使得该晶体管能够承受高截止电压和高电流。类似地，采用垂直结构，部件面积和有效 器件密度大致与其能承受的作为器件“导通”特性的电流成比例，并且硅漂移部件(drift component)厚度与作为器件“截止”特性的击穿电压成正比。基于沟槽的功率MOSFET器件 的最显著优点之一是它的低反向漏电流下的更低的导通电阻(Rdson)。作为DC-DC转换中的关键应用之一，在使功率MOSFET器件的p-η体二极管处在 续流模式下而将该功率MOSFET器件用作同步整流晶体管时还具有另一优点。在传统功率 MOSFET中使用p-本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种混合功率场效应晶体管器件，包括：　　ＪＦＥＴ部件；　　与所述ＪＦＥＴ部件相邻布置的第一累积ＭＯＳＦＥＴ；　　在沟槽底端与所述ＪＦＥＴ部件相邻布置的第二累积ＭＯＳＦＥＴ；并且其中所述ＪＦＥＴ部件、所述第一累积ＭＯＳＦＥＴ和所述第二累积ＭＯＳＦＥＴ被构造来引发电流流经所述器件的体硅区。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2008-5-12 12/119,3671.一种混合功率场效应晶体管器件，包括JFET部件；与所述JFET部件相邻布置的第一累积MOSFET ；在沟槽底端与所述JFET部件相邻布置的第二累积MOSFET ；并且其中所述JFET部件、 所述第一累积MOSFET和所述第二累积MOSFET被构造来引发电流流经所述器件的体硅区。2.如权利要求1所述的器件，还包括第一肖特基区，布置在所述JFET部件一侧；形成在垂直接触沟槽的一个侧壁上，不连 接η沟道器件中的η+源极与ρ+触点。3.如权利要求1所述的器件，其中所述第一累积MOSFET和所述第二累积MOSFET包括 在沟槽侧壁上的薄氧化物和靠近沟槽底部的厚栅极氧化物区，以减小栅漏电容。4.如权利要求1所述的器件，其中按照高密度设计布局来布置所述第一累积MOSFET和 所述第二累积MOSFET以便于自对准确定。5.如权利要求1所述的器件，其中流经所述器件的体硅区的所引发的电流被构造来减 小栅极氧化物扩散。6.如权利要求1所述的器件，其中所述第一累积MOSFET和所述第二累积MOSFET是N 沟道 MOSFET。7.如权利要求1所述的器件，其中所述第一累积MOSFET和具有第二MOSFET连接到源 极的隔离栅极。8.如权利要求1所述的器件，其中所述JFET部件、所述第一累积MOSFET和所述第二累 积MOSFET被制造成基于沟槽的垂直器件。9.一种功率MOSFET器件，包括JFET部件；与所述JFET部件相邻布置的第一累积MOSFET ；在与所述第一累积MOSFET相对侧上与所述JFET部件相邻布置的第二累积MOSFET ；其中所述JFET部件、所述第一累积MOSFET和所述第二累积MOSFET被构造来引发电流 流经所述器件的体硅区；以及其中所述JFET部件、所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎建，欧阳金，
申请(专利权)人：威世硅尼克斯，
类型：发明
国别省市：US