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一种超短沟道混合功率场效应晶体管（ＦＥＴ）器件，其使电流从体硅流出而没有ＮＰＮ寄生。该器件包括ＪＦＥＴ部件、与ＪＦＥＴ部件相邻布置的第一累积ＭＯＳＦＥＴ、和在沟槽底端与ＪＦＥＴ部件相邻布置的第二累积ＭＯＳＦＥＴ，或者具有连接了源极的隔离栅极...
该专利属于威世硅尼克斯所有，仅供学习研究参考，未经过威世硅尼克斯授权不得商用。

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