一种高压LDMOS器件制造技术

本发明专利技术提出一种高压LDMOS器件，所述器件通过在每个降场层靠近源区引入一个与降场层相连或重合的相同导电类型半导体重掺杂区；这样就能够在漂移区中部产生一个高的电场峰值，降低了主结处高的电场峰值，优化了漂移区的表面电场分布，从而能够提高器件的反向击穿电压；还能够提高常规降场层结构的LDMOS器件降场层的掺杂浓度，从而提高了器件的最优漂移区浓度，即能够降低器件的正向导通电阻。本发明专利技术引入的半导体重掺杂区与相同导电类型半导体体接触区在工艺制备上同时完成，无需增加掩膜板和附加的工艺步骤，工艺简单，成本低廉。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体功率器件
，特别涉及一种高压LDMOS器件。
技术介绍
高压LDMOS (Laterally Double-diffused M0SFET，横向双扩散场效应管)器件由于其良好的工艺兼容性，易于通过内部连线将分布在表面的源极、栅极和漏极与低压逻辑电路单片集成，被广泛的运用在高压功率集成电路中。但击穿电压和导通电阻之间的矛盾是设计功率LDMOS器件最主要的矛盾之一，为了克服这个矛盾关系，J.A.APPLES等人提出了 RESURF (Reduced SURface Field，降低表面场)技术，图1给出了一个典型的常规SOIRESURF LDMOS器件结构示意图，它由半导体衬底1、埋氧层4、半导体漂移区2、半导体漏区10、半导体体区6，其中半导体体区6中具有半导体源区11和半导体体接触区12，以及漏极金属15，源极金属14，·栅氧化层8、栅极9，场氧化层7组成。此技术自提出以来就被广泛运用于高压器件设计之中，但此技术只能在一定程度上降低导通电阻，仍然满足不了高速发展的功率集成电路对高压LDMOS器件的技术要求。为了改善RESURF结构的导通特性，文献:Zing本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高压LDMOS?器件，包括第一导电类型半导体衬底（1）、位于第一导电类型半导体衬底（1）上方的第二导电类型半导体漂移区（2）以及位于第二导电类型半导体漂移区（2）上方的高压LDMOS器件表面层；其中，在第二导电类型半导体漂移区（2）顶部一侧具有第二导电类型半导体漏区（10），在第二导电类型半导体漂移区（2）顶部另一侧具有第一导电类型半导体体区（6），在第一导电类型半导体体区（6）中具有第二导电类型半导体源区（11）和第一导电类型半导体体接触区（12）；所述高压LDMOS器件表面层由场氧化层（7）、栅氧化层（8）、源极金属（14）、漏极金属（15）组成，其中，漏极金属（15）与第二导电类型半...

【技术特征摘要】
1.一种高压LDMOS器件，包括第一导电类型半导体衬底(I)、位于第一导电类型半导体衬底(I)上方的第二导电类型半导体漂移区(2)以及位于第二导电类型半导体漂移区(2)上方的高压LDMOS器件表面层；其中，在第二导电类型半导体漂移区(2)顶部一侧具有第二导电类型半导体漏区(10)，在第二导电类型半导体漂移区(2)顶部另一侧具有第一导电类型半导体体区(6)，在第一导电类型半导体体区(6)中具有第二导电类型半导体源区(11)和第一导电类型半导体体接触区(12); 所述高压LDMOS器件表面层由场氧化层(7)、栅氧化层(8)、源极金属(14)、漏极金属(15)组成，其中，漏极金属(15)与第二导电类型半导体漏区(10)接触，源极金属(14)分别与第二导电类型半导体源区(11)和第一导电类型半导体体接触区(12)接触，第一导电类型半导体体区(6)与栅氧化层(8)接触，栅氧化层(8)表面是栅极(9)，第二导电类型半导体漂移区(2)分别与场氧化层(7)、栅氧化层(8)接触，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭宇锋，徐光明，花婷婷，黄示，张长春，夏晓娟，
申请(专利权)人：南京邮电大学，
类型：发明
国别省市：