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本发明提出一种高压LDMOS器件，所述器件通过在每个降场层靠近源区引入一个与降场层相连或重合的相同导电类型半导体重掺杂区；这样就能够在漂移区中部产生一个高的电场峰值，降低了主结处高的电场峰值，优化了漂移区的表面电场分布，从而能够提高器件的反...
该专利属于南京邮电大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京邮电大学授权不得商用。

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