显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种显示装置，所述显示装置包括：第一基板；栅极线，栅极线设置在第一基板上，并包括栅电极；栅极绝缘层，栅极绝缘层设置在栅极线上；半导体层，半导体层设置在栅极绝缘层上；数据线，数据线设置在半导体层上，并连接到源电极；漏电极，漏电极设置在半导体层上，并面对源电极；钝化层，钝化层设置在数据线上，其中，半导体层包含含有铟、锡和锌的氧化物半导体。铟以大约5原子百分比(at％)至大约50at％的量存在，其中，锌与锡的比为大约1.38至大约3.88。

【技术实现步骤摘要】
显示装置
本公开涉及一种显示装置。
技术介绍
诸如以液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)显示器、电泳显示器和等离子体显示器为例的平板显示器，包括多对场产生电极和设置在它们之间的光电有源层。液晶显示器包括液晶层作为光电有源层，有机发光二极管显示器包括有机发射层作为光电有源层。彼此成对的场产生电极中的一个电极可以连接到开关元件以接收电信号，光电有源层可以将电信号转换成光信号，因此显示图像。平板显示器可以包括其上形成有薄膜晶体管的显示面板。可以在薄膜晶体管阵列面板上对多层的电极、半导体等进行图案化。此外，可以在图案化工艺中使用掩模。同时，半导体层可以是确定薄膜晶体管的特性的一个重要的因素。在形成半导体层时，通常使用非晶硅，但是在制造高性能的薄膜晶体管方面可能存在着限制，这是因为非晶硅可以具有很低的电荷迁移率。此外，在将多晶硅用于形成半导体层的情况下，因为电荷迁移率可能很高，所以可以容易地制造高性能的薄膜晶体管。然而，当使用多晶硅时，制造成本可能增加，且均匀性可能降低，因此，在制造大尺寸的薄膜晶体管阵列面板方面可能存在着限制。由于这样的原因，正在进行使用氧化物半导体形成的半导体层的薄膜晶体管的研究，其中，与非晶硅相比，氧化物半导体具有更高的电子迁移率和更高的ON/OFF电流比，且与多晶硅相比，氧化物半导体具有更低的制造成本，并具有很高的均匀性。例如，正在进行使用氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO2)和氧化锌锡(ZnSnO)或类似物作为半导体层的氧化物半导体的研究。然而，因为薄膜晶体管的特性以及蚀刻特性可能根据构成氧化物半导体的构成材料的组分而变化，所以应满足使用氧化物半导体来实际制造显示装置的适当的条件。
技术实现思路
本专利技术的示例性实施例可以提供一种包括驱动特性优良且满足诸如在四片工艺(four-sheetprocess)中的实际大规模生产的条件的氧化物半导体的显示装置。本专利技术的示例性实施例提供一种显示装置，所述显示装置包括：第一基板；栅极线，栅极线设置在第一基板上，并包括栅电极；栅极绝缘层，栅极绝缘层设置在栅极线上；半导体层，半导体层设置在栅极绝缘层上；数据线，数据线设置在半导体层上，并连接到源电极；漏电极，漏电极设置在半导体层上，并面对源电极；钝化层，钝化层设置在数据线上，其中，半导体层由含有铟、锡和锌的氧化物半导体形成。铟以大约5原子百分比(at％)至大约50at％的量存在，锌与锡的比为大约1.38至大约3.88。铟可以以大约10at％至大约30at％的量存在，锌与锡的比可以为大约1.78至大约2.95。半导体层的蚀刻速率可以为大约至大约除了形成在半导体层中的沟道部分之外，半导体层可以与源电极、漏电极和数据线具有相同的平面图案。半导体层的阈值电压可以为不小于大约-10V。半导体层的电荷迁移率可以为大约5cm2/Vs。栅极绝缘层可以包括下层和上层。下层可以由氧化硅制成。上层可以由氮化硅制成。所述显示装置还可以包括像素电极，像素电极设置在钝化层上，其中，钝化层具有接触孔，像素电极通过接触孔连接到漏电极。所述显示装置还可以包括第二基板，第二基板面对第一基板，其中，液晶层设置在第一基板和第二基板之间。半导体层的蚀刻速率可以为大约至大约除了形成在半导体层中的沟道部分之外，半导体层可以与源电极、漏电极和数据线具有相同的平面图案。栅极绝缘层可以包括下层和上层。下层可以由氧化硅制成，上层可以由氮化硅制成。所述显示装置还可以包括像素电极，像素电极设置在钝化层上，其中，钝化层具有接触孔，像素电极通过接触孔连接到漏电极。铟可以以大约10at％的量存在，锌与锡的比可以为大约1.78至大约3.88。铟可以以大约20at％的量存在，锌与锡的比可以为大约1.50至大约3.23。铟可以以大约30at％的量存在，锌与锡的比可以为大约1.38至大约2.95。本专利技术的示例性实施例提供一种显示装置，所述显示装置包括：第一基板；栅极线，栅极线设置在第一基板上，并包括栅电极；栅极绝缘层，栅极绝缘层设置在栅极线上；半导体层，半导体层设置在栅极绝缘层上；数据线，数据线设置在半导体层上，并连接到源电极；漏电极，漏电极设置在半导体层上，并面对源电极；钝化层，钝化层设置在数据线上，其中，半导体层由含有铟、锡和锌的氧化物半导体形成。铟以大约5原子百分比(at％)至大约50at％的量存在，锌以大约25at％至大约71.6at％的量存在，锡以大约16.1at％至大约33.3at％的量存在。根据本专利技术的示例性实施例，可以实现一种电荷迁移率优良的显示装置，且可以通过使用含有铟、锌和锡的氧化物半导体并通过调节铟、锌和锡的原子浓度比来共同地蚀刻金属布线和氧化物半导体。附图说明图1是示出根据本专利技术的示例性实施例的薄膜晶体管阵列面板的布局图。图2是沿图1的II-II’线截取的剖视图。图3是示出根据本专利技术的示例性实施例的液晶显示器的剖视图。图4是示出根据锡与锌的比率的迁移率特性的曲线图。图5是示出根据铟的原子百分比的阈值电压特性的曲线图。图6是示出根据锌与锡的比率的蚀刻速率的曲线图。图7是示出根据铟的原子百分比的蚀刻速率的曲线图。图8和图9是示出根据锡、锌和铟的比率的蚀刻速率的曲线图。图10是示出根据迁移率特性的铟、锡和锌的比率的曲线图。图11是示出根据阈值电压特性的铟、锡和锌的比率的曲线图。图12是示出根据蚀刻速率的上限和下限的范围的铟、锡和锌的比率的曲线图。图13是示出根据迁移率特性、阈值电压特性和蚀刻速率特性的铟、锡和锌的比率的曲线图。具体实施方式下文中，将参照附图对本专利技术的示例性实施例进行详细地描述。如本领域技术大员应该理解的，可以以各种不同的方式来实施本专利技术的示例性实施例，且均不脱离本专利技术的精神或范围。在附图中，为了清楚而夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。应该理解的是，当层被称为“在”另一层或基底“上”时，其可以直接在另一层或基底上，或者也可以存在一个或多个中间层。贯穿本说明书，相同的标号指示相同的元件。如在这里所使用的，除非上下文进行了另外地清楚指明，否则单数形式也意图包括复数形式。图1是示出根据本专利技术的示例性实施例的薄膜晶体管阵列面板的布局图。图2是沿图1的II-II’线截取的剖视图。参照图1和图2，多条栅极线121形成在由例如透明玻璃、塑料或类似物制成的第一基板110上。栅极线121传输栅极信号，并基本沿例如水平方向延伸。然而，本专利技术的示例性实施例不限于栅极线121的上面的方向，而是相反，可选择地，栅极线121可以替代性地沿垂直方向延伸。每条栅极线121包括从栅极线121突出的多个栅电极124。栅极线121和栅电极124可以由例如从基于铝的金属(诸如铝(Al)和铝合金)、基于银的金属(诸如银(Ag)和银合金)、以及基于铜的金属(诸如铜(Cu)和铜合金)中选择的一种制成。此外，栅极线121和栅电极124中的每个还可以由从例如基于金的金属(诸如金(Au)和金合金)、基于镍的金属(诸如镍(Ni)和镍合金)、基于铌的金属(诸如铌(Nb)和铌合金)、基于钕的金属(诸如钕(Nd)和钕合金)、基于钼的金属(诸如钼(Mo)和钼合金)、铬(Cr)、铬合金、钛(Ti)、钛合金、钽(Ta)、钽合金、锰(Mn)、以及锰合金中选择的其他的材料中的一种材料形成。在本本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示装置，所述显示装置包括：第一基板；栅极线，栅极线设置在第一基板上，并包括栅电极；栅极绝缘层，栅极绝缘层设置在栅极线上；半导体层，半导体层设置在栅极绝缘层上；数据线，数据线设置在半导体层上，并连接到源电极；漏电极，漏电极设置在半导体层上，并面对源电极；钝化层，钝化层设置在数据线上，其中，半导体层包含含有铟、锡和锌的氧化物半导体，其中，铟以5原子百分比至50原子百分比的量存在，其中，锌与锡的比为1.38至3.88。

【技术特征摘要】
2011.11.04 KR 10-2011-01147491.一种显示装置，所述显示装置包括：第一基板；栅极线，栅极线设置在第一基板上，并包括栅电极；栅极绝缘层，栅极绝缘层设置在栅极线上；半导体层，半导体层设置在栅极绝缘层上；数据线，数据线设置在半导体层上，并连接到源电极；漏电极，漏电极设置在半导体层上，并面对源电极；钝化层，钝化层设置在数据线上，其中，半导体层包含含有铟、锡和锌的氧化物半导体，其中，铟以5原子百分比至50原子百分比的量存在，其中，锌与锡的原子浓度比为1.38至3.88。2.如权利要求1所述的显示装置，其中：铟以10原子百分比至30原子百分比的量存在，锌与锡的原子浓度比为1.78至2.95。3.如权利要求2所述的显示装置，其中：半导体层的蚀刻速率为/秒至/秒。4.如权利要求3所述的显示装置，其中：除了形成在半导体层中的沟道部分之外，半导体层与源电极、漏电极和数...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴在佑，李制勋，安秉斗，朴世容，朴埈贤，金建熙，林志勋，李京垣，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：